me可以被mojay(茂捷)m替代

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1、ME8109可以被MOJAY(茂捷)M5358替代特点n开关软启动可降低MOSFET的VDS压力n改善EMI的频率抖动技术n极低启动电流和工作电流n改善效率和待机功率最小化的扩展burst模式nn消除音频噪声nn50KHZ开关频率nn完善的各种保护以及自恢复功能nn逐周期电流限流n芯片供电欠压保护n自动重启功能应用nn离线式AV-DC反激变换器nn手机充电器，上网本充电器nn笔记本适配器，机顶盒电源nn各种开放式开关电源概述M5358是一款高度集成的电流模式PWM控制芯片，,内置高压MOS,适合应用于高性能、低待机功耗，低成本,离线AC-DC反激式拓扑结构，推荐应用于功率27瓦以

2、内的各种变换器。M5358提供完善的各种保护以及自恢复功能，包括逐周期电流限制（OCP）,过载保护(OLP),VDD电压钳位和低电压锁定(UVLO)。电路具有抖频功能以及软开关技术，保证了优秀的EMI性能，消除了低于20KHz的音频噪声。M5358采用DIP8封装。典型应用电路图：输出功率表产品230VAC±15%85-265VAC开放式开放式M535827W16W说明:连续工作的最大功率是在开放的50度环境中，且转换器有有足够的散热条件下测得。5/5IC脚位说明引脚信息M5358提供DIP8封装，脚位如下.封装散热等级封装RθJA(℃）DIP875注意：IC的Drain脚的覆铜

3、面积为100平方毫米最大极限参数参数数值内部高压功率管漏极（启动）-0.3V~BVdss芯片电源电压-0.3V~30V内部栅极驱动电压-0.3V~30VVDD钳位电流10mAFB输入电压-0.3~7VSense输入电压-0.3~7V最低/最高工作结温-20~150℃最低/最高储存温度-55to150℃过锡炉温度（10S）260℃注：最大极限值是指超出该工作范围，芯片有可能损坏。推荐工作范围是指在该范围内，器件功能正常，但并不完全保证满足个别性能指标。电气参数定义了器件在工作范围内并且在保证特定性能指标的测试条件下的直流和交流电参数规范。对于未给定上下限值的参数，该规范不予保证其精

4、度，但其典型值合理反映了器件性能。定制信息：编号描述M5358APDIP8无铅制作信息：5/5管脚描述：管脚名称I/O描述GNDP芯片地FBI反馈信号输入端，PWM占空比由该脚的电压以及SENSE脚的电流决定VDD-GP内部栅极驱动电压SENSEI电流采样信号输入端VDDP芯片电源DrainO内部高压功率管漏极，该脚连接到变压器的初级绕组输出端框图5/5电气参数(注4,5)（无特别说明情况下，VCC=16V,TA=25℃）符号参数描述条件最小值典型值最大值单位工作电压I_startupVDD启动电流VDD=14.5V520uAI_VDD_OperationVDD工作电流V_FB=

5、3V1.6mAVDD_UVLO(ON)VDD欠压保护（开启）8.79.710.7VVDD_UVLO(OFF)VDD欠压保护（关闭）14.615.817.0VOVP（ON）VDD过压保护（开启）CS=0V,FB=3V,增大VDD直到GATE时钟关闭2728.530VVDD_ClampVDD钳位电压IDD=10mA30VFB反馈VFB_OPENFB开环电压5.45.76VIFB_ShortFB短路电流FB接到地1.45mAVTH_OD过零点门槛电压0.8VVTH_PL功率限制门槛电压3.7VTD_PL功率限制延迟时间50mSecZFB_IN输入阻抗4Kohm电流采样Soft_star

6、t_time软启动时间4mST_blanking电流采样前沿消隐时间270nsZsense_IN输入阻抗40KohmTD_OC过电流检测迟滞时间从过流开始到驱动信号关闭120nsVTH_OC内部电流限制门槛电压0.720.770.82V时钟COMP下钳位电压1.5VF_osc正常振荡频率455055KHEΔf_Temp频率温飘5%5/5符号参数描述条件最小值典型值最大值单位Δf_VDD频率电压调整率5%D_MAX最大占空比V_FB=3.3V，CS=0V708090%F_BurstBurst模式基准频率22KHZ功率MOSBVdss功率管击穿电压600VRds_on功率管导通阻抗静

7、态Id=1.0A4.45.5Ω频率抖动Δf_osc-44%5/5