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时间:2019-02-14
《铌酸钠基压电陶瓷及其织构化研究》由会员上传分享,免费在线阅读,更多相关内容在学术论文-天天文库。
1、武汉理工大学硕士学位论文中文摘要本文介绍了当前无铅压电陶瓷的研究现状,并从三个方面阐述了铌酸钠基无铅压电陶瓷的研究:(1)采用传统固相烧结法来制备具有一定实用价值的无铅压电陶瓷。论文中阐述了SrTi03,BaTi03,V205.La203以及多种稀土元素的掺杂对化学组成为(K044Nao52Lio04)(Nbo84‰loSbo06)03的压电陶瓷性能的影响,同时讨论了烧结温度以及保温时间等烧结工艺对该体系性能的影响;(2)采用熔盐法制备NaNb03子晶材料。NaNb03予晶材料采用两步熔盐法(MSS),在第一步熔盐法中可以制备出NaNb03子晶材料的前驱体一B如Na35
2、Nb5018(BiNN5),在第二步熔盐法中通过前驱体BiNN5制备出NaNb03子晶材料。论文中重点讨论了烧结温度、保温时间以及熔盐的量对BiNN5以及NaNb03子晶材料性能的影响:(3)应用RTGG(反应模板晶粒生长法)采用不同的模板材料制备化学组成为(‰44Nao52Lio04)(Nbo84‰loSbo06)03的织构型压电陶瓷。对于采用固相烧结法制备无铅压电陶瓷,实验结果表明,SrTi03的掺杂能显著提高该体系的压电性能以及介电性能,BaTi03的掺杂对性能的影响不明显,V205以及La203的掺杂会降低该体系的压电性能;对于采用熔盐法制备的子晶材料,实验结果
3、同时表明,1130℃保温3小时制备的BiNN5性能较优,950℃保温6小时制备的NaNb03子晶的性能较优;对于采用RTGG制备织构型的铌酸钠钾系无铅压电陶瓷,实验结果表明,陶瓷织构化以后压电性能得到显著的提高。关键词:无铅压电材料,NaNb03模板,织构材料武汉理T大学硕士学位论文AbstractThispaperhaveintroducedthestatusoftheresearchontheleadfreepiezoelectricceramics,andinterpretedthesodiumniobatelcad—freepiezoelectriccerami
4、csfromthreeaspects:firstly,potassiumsodiumniobatelead—freepiezoelectricceramicssuitableforpracticalusewerefabricated;TheinfluenceoftheadditionofSrTi03,BaTi03,V20s,Lay03andmanysortsofthuliumOnthematerialof(K044Nao52Lio.04)(Nb084‰10Sb006)03hasbeendiscussed;What’Smore,theinfluenceoftemperat
5、ureanddwelltimeon也iskindofmaterialatSOhasbeendiscussed.Secondly,theplate—likeNaNb03templateshavebeensynthesizedbytwostepmoltensaltsynthesis(MSS)process.InthefirststepMSSprocess,theplate—likeBi2sNa3sNbsOts(BiNN5)particleswerefabricated;InthesecondstepMSSprocess,usingtheBiNN5astheprocessor
6、,theplate-likeNaNb03templatescouldbesynthesized.Thispaperpaidmoreattentiontodiscussetheinfluenceoftemperature,dwelltimeandtheamountofsaltonthepropertiesofBiNN5andNaNb03templates.Thirdly,thefabricationoftexturedpotassiumsodiumniobate1ead.freepiezoelectricceramicsusingRTGGmethodhasalSObeen
7、discussedinthispaper.Theinfluenceofdifferenttemplatesanddifferentdwelltimeonthepropertiesoftexturedpotassiumsodiumniobatelcad—freepiezoelectricceramicshavebeendiscussed,Asfortheconventionalsolidsynthesis,theresultshowsthattheadditionofSrTi03canincreasesthepiezoelectricand
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