snagcuge钎料组织、熔化、润湿及界面的研究

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1、哈尔滨理工大学工学硕士学位论文SnAgCuGe钎料组织、熔化、润湿及界面的研究摘要铅和铅的化合物对环境和人体健康有严重的危害。近年来随着微电子、表面组装技术(SMT)的发展，研制面向21世纪的绿色钎料产品以取代传统的锡铅钎料成为钎焊工业所面l临的重要课题之一。通过近十年的研发，研究者们发现：在众多无铅钎料中，SnAgCu钎料最有可能成为snPb铅料的替代品。对无铅钎料，我国开展研究比较晚，与国外的产品还具有较大的差距。本文选择目前最为常用的SnoAg．Cu无铅钎料，通过向其中添加少量的Gc元素，研究了Ge对Sn

2、．Ag．Cu无铅钎料组织、熔化特性和铺展润湿性能的影响，并分析了Ge的添加对Sn-A分Cu／Cu界面及对Sn．Ag．Cu／Cu接头老化的影响。研究结果表明，在所研究的合金系列中，未出现低熔点共晶峰，表明微量锗的添加不会使Sn．Ag．Cu合金产生低熔点共晶成分，有利于在钎焊过程中形成可靠的连接焊点。添加少量锗对Sn．Ag-Cu钎料合金的熔化温度影响不大，熔点温度在217．642℃一218．622℃之问．通过铺展面积的测量得出：当Ge含量为0．5％时，该系钎料具有较大的铺展面积和较小的润湿角。添加锗元素后，钎料组织

3、中的A93Sn和Cu6Sn5相都得到了一定程度的细化，并且其分布状态均匀，使共晶组织中的金属间化合物排列趋于规则。研究了含Ge量不同的sn．Ag．Cu．Ge钎料与Cu板的钎焊界面。锗含量为1．O％时界面平均厚度最小为2．165／lm，并且界面最平坦；锗含量为0．5％时界面厚度最大可达2．37～3．75,urn，并且界面整体看来参差不齐。，研究了在150"C的干燥箱中经100h时效后的钎焊接头，三个成分钎料形成的金属间化合物层都有不同程度的长大。sn．2．5Ag．0．7Cu．1．0Ge／Cu的界面平均厚度最薄为3

4、．9铷m。而锗含量为Sn．2．5Ag．0．7Cu．0．5Ge／Cu的界面生长的厚度最大是4．71um。不含锗的界面厚度为4．27Sum。总体来说，在时效的100小时内，由基体向Cu．Sn界面层扩散铜原子的速度大于界面层向钎料扩散的速度，从而导致了界面层的长大。关键词无铅钎料；显微组织；熔化特性；铺展润湿；界面竺玺堡圣三奎兰二兰璧圭兰竺兰圣STUDYOFMELTING,WETTINGANDINTERFACEOFSnAgCuGeSOLDERAbstractLeadanditscompoundsareharmfult

5、oenvironmentandhumanhealth．Inrecentyears，withthedevelopmentofmicroelectronicandSurfaceMountedTechnology,developingnewgreensolderstoreplacetinleadsolderisbecomingoneofthemostimportantsubjects．Aftertenyearsstudy,researcherfoundthatamongalloftheleadfreesolders，

6、SnAgCusolderisthemostpossiblesoldertoreplacetinleadsolder．Asourresearchaboutleadfreesolderislatter,wehaveagreatgapcomparedwithabroad．Thisworkchoosethemostpopularsolder(Sn·Ag-Culeadfreesolder)asexperimentlmaterial，addingasmallmountofGeintoin，tostudytheeffecto

7、fGetoitsmicrostmcture，meltingcharacteristicandspreadingwettability,andhowGeeffecttheinterfaceofSn·Ag·Cll／Cu，anditseffectonSn．Ag-Cu／Cujointafteraging．ncresultshowsthat．thereisnolow-meltingeutecticsubstanceformedintheSn-Ag—Cualloy,becausethereisnolow—meltingeu

8、tecticpcal【inallthealloys．Thiscanformreliablespotweld．GehassmalleffectonSn—Ag—Cusolder’smeltingtemperature．Itsmeltingtemperatureisbetween217．642"Cand218．622℃．Accordingtomeasurethespreadingarea：w