分析cmos数字集成电路：与设计 第3版

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1、[GeneralInformation]书名=CMOS数字集成电路：分析与设计第3版＝CMOSDigitalIntegratedCirucitsAnalysisandDesignThirdEdition作者=（美）Sung-MoKang，YusufLeblebici著；王志功，窦建华等译页数=482SS号=12259111出版日期=2009.06出版社=电子工业出版社原书定价=55.00参考文献格式=康松默约瑟夫·列波列比西著.CMOS数字集成电路分析与设计.北京市：电子工业出版社,2009.06.内容提要=本书详细讲述CMOS数字集成电路的相关内

2、容，反映现代技术发展水平并提供了电路设计的最新资料。本书共十五章。前八章详细讨论MOS晶体管的相关特性和工作原理、基本反相器电路设计、组合逻辑电路及时序逻辑电路的结构与工作原理；第9章介绍应用于先进VLSI芯片设计的动态逻辑电路，第10章介绍先进的半导体存储电路，第11章介绍低功耗CMOS逻辑电路，第12章介绍双极性晶体管基本原理和BiCMOS数字电路设计，第13章详细介绍芯片的I/O设计，最后两章分别讨论电路的可制造性设计和可测试性设计这两个重要问题。封面书名版权前言目录第1章概论1.1发展历史1.2本书的目标和结构1.3电路设计举例1.4VLS

3、I设计方法综述1.5VLSI设计流程1.6设计分层1.7规范化、模块化和本地化的概念1.8VLSI的设计风格1.9设计质量1.10封装技术1.11计算机辅助设计技术1.12习题第2章MOS场效应管的制造2.1引言2.2制造工艺的基本步骤2.3CMOSn阱工艺2.4版图设计规则2.5全定制掩膜版图设计2.6习题第3章MOS晶体管3.1金属-氧化物-半导体（MOS）结构3.2外部偏置下的MOS系统3.3MOS场效应管（MOSFET）的结构和作用3.4MOSFET的电流-电压特性3.5MOSFET的收缩和小尺寸效应3.6MOSFET电容3.7习题第4章用

4、SPICE进行MOS管建模4.1概述4.2基本概念4.3一级模型方程4.4二级模型方程4.5三级模型方程4.6先进的MOSFET模型4.7电容模型4.8SPICEMOSFET模型的比较4.9附录4.10习题第5章MOS反相器的静态特性5.1概述5.2电阻负载型反相器5.3n型MOSFET负载反相器5.4CMOS反相器5.5习题第6章MOS反相器的开关特性和体效应6.1概论6.2延迟时间的定义6.3延迟时间的计算6.4延迟限制下的反相器设计6.5互连线电容的估算6.6互连线延迟的计算6.7CMOS反相器的开关功耗6.8附录6.9习题第7章组合MOS逻

5、辑电路7.1概述7.2带耗尽型nMOS负载的MOS逻辑电路7.3CMOS逻辑电路7.4复合逻辑电路7.5CMOS传输门7.6习题第8章时序MOS逻辑电路8.1概述8.2双稳态元件的特性8.3SR锁存电路8.4钟控锁存器和触发器电路8.5CMOS的D锁存器和边沿触发器8.6附录8.7习题第9章动态逻辑电路9.1概述9.2传输晶体管电路的基本原理9.3电压自举技术9.4同步动态电路技术9.5动态CMOS电路技术9.6高性能动态逻辑CMOS电路9.7习题第10章半导体存储器10.1概述10.2动态随机存储器（DRAM）10.3静态随机存取存储器（SRAM

6、）10.4非易失存储器10.5闪存10.6铁电随机存储器（FRAM）10.7习题第11章低功耗CMOS逻辑电路11.1概述11.2功耗综述11.3电压按比例降低的低功率设计11.4开关激活率的估算和最佳化11.5减小开关电容11.6绝热逻辑电路11.7习题第12章BiCMOS逻辑电路12.1概述12.2双极型晶体管（BJT）的结构和工作原理12.3BJT的动态特性12.4基本BiCMOS电路的静态特性12.5BiCMOS逻辑电路的开关延迟12.6BiCMOS的应用12.7习题第13章芯片输入输出电路13.1概述13.2静电放电（ESD）保护13.3

7、输入电路13.4输出电路和L（di/dt）噪声13.5片内时钟生成和分配13.6“闩锁”现象及其预防措施13.7习题第14章产品化设计14.1概述14.2工艺变化14.3基本概念和定义14.4实验设计与性能建模14.5参数成品率的评估14.6参数成品率的最大值14.7最坏情况分析14.8性能参数变化的最小化14.9习题第15章可测性设计15.1概述15.2故障类型和模型15.3可控性和可观察性15.4专用可测试性设计技术15.5基于扫描的技术15.6内建自测（BIST）技术15.7电流监控IDDQ检测15.8习题参考文献