掺杂zno薄膜的制备及其异质结紫外光特性研究

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2、的全部或部分内容编入有关数据库进行检索，可以采用影印、缩印或扫描等复制手段保存、汇编学位论文。（保密的学位论文在解密后应遵守此规定）签名：导师签名：日期：年月日万方数据摘要摘要目前，ZnO基光电器件中一个难题是优质稳定的p型ZnO材料制备。由于锌填隙与氧空位，未掺杂的ZnO为n型半导体，自补偿效应对p型ZnO制备有负面作用。因此，ZnO基光电器件的结构一般是以n型ZnO与其他p型材料形成的异质结。本文以ITO（透明导电薄膜）为衬底制备良好的p型ZnO薄膜，形成异质结，表征制备薄膜，研究异质结紫外光探测特性。本文研究内容：（1）在查

3、阅国内外相关文献后，对ZnO相关的知识进行了总结归纳，介绍ZnO结构及基本性质，阐述了异质结相关内容，另外，对目前ZnO基紫外光探测器进行了分类。（2）着重介绍磁控溅射相关理论，另外，对其他常见的薄膜制备方法进行简要概括，总结薄膜表征方法，对不同表征方法的原理进行概括。（3）在ITO衬底上制备不同Ag含量的ZnO薄膜，对薄膜进行表征，霍尔效应测试结果表明Ag掺杂ZnO薄膜为p型，Ag掺杂ZnO薄膜与ITO形成异质结，对异质结紫外光响应特性进行了研究。（4）对Mg掺杂ZnO靶材进行分析，指出复合型靶材的优势。制备Mg掺杂ZnO薄膜，

4、对表征结果进行简要分析。透射光谱表明Mg掺杂可使ZnO薄膜吸收波长限改变，Ag掺杂可实现ZnO薄膜的p型转变，综合两种掺杂源所起作用，在ITO衬底上制备Mg、Ag共掺杂ZnO薄膜，形成异质结，表征制备样品，对紫外光探测特性进行研究。关键字：掺杂ZnO薄膜，ｐ型，异质结，紫外光探测I万方数据ABSTRACTABSTRACTOneofthebigchallengestowardgoodZnO-basedoptoelectronicdevicesisthedifficultyofreliablymakingp-typeZnO.Undope

5、dZnOusuallyshowsn-typeconductionduetopresenceofzincinterstitialsandoxygenvacancies.Therefore,theacceptorcarriersgetcompensatedforeasily.Forthisreason,considerablestudiesonZnO-basedoptoelectronicdeviceswerecarriedoutbyfabricatingheterojunctionsemployingn-typeZnOwithoth

6、erp-typematerials.Thispaperpreparesgoodp-typeZnOfilmsonITO(transparentconductivefilm)substrate.Thep-typeZnOandITOformheterojunction.Thepreparedfilmsaretested.ThepropertyofheterojunctionUVdetectionisinvestigated.Themainresearchcontentsaregivenasfollows:(1)Aftertheacces

7、storelevantliterature,relevantknowledgeofZnOwassummarizedtointroducethestructureandbasicpropertiesofZnO.Therelatedcontentofheterojunctionisdescribed.Inaddition,thepresentZnO-basedultravioletdetectorsareclassified.(2)Thetheoryofmagnetronsputteringisfocusedonintroducing

8、.Othercommonmethodofpreparationoffilmsissummaredbriefly.Thetheoryoftestisexpatiated.(3)ZnOfilmswithdifferentAgcontentareprep