真空钎焊用低熔点铝基复合钎料的研制

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1、硕士研究乍论文摘要为了降低砧．Si钎料的熔点(共晶点577℃)，首次采用电镀的方法在砧．Si薄带钎料的表面镀上一层铜，通过控制电压以及通电时间等参数，控制镀层铜的量，制备出形如CⅣ舢．S狄：u式铝基复合钎料。利用差热分析(DTA)、润湿性实验等手段，分析制备出来的新型铝基复合钎料的性能。讨论了该方法在制备新型低熔点铝基钎料方面的可行性。研究结果表明：其它条件不变时，通电电压2v，通电15分钟，镀层厚度与镀层质量最为理想。制备出来的新型复合钎料形如Cu／_砧．Si／Cu式，Cu在砧．Si基体表面形成均匀致密的镀层，且易于弯折卷曲，无脆性之虞。与舢．Si钎料比较起来，新型

2、复合钎料的固．液相线温度降低约40℃，并且润湿性能优良，在钎焊温度565℃时铺展面积达到最大值。钎焊接头抗剪强度较高。通过在真空钎焊炉中进行钎焊实验，并用金相显微镜和X射线衍射以及电子探针对焊缝进行微观分析，发现新型钎料钎焊焊缝的的成分分布均匀，接头反应结合良好，新型钎料表现出了良好的流动填缝能力，基本没有微观孔洞等焊接缺陷。铜在接触反应中向母材迅速扩散，铝铜共晶液相的形成同时促进了硅的扩散能力，使其在反应区均匀、弥散分布。关键词：电镀；复合钎料；A1．Si钎料；真空钎焊III硕上研究乍论文AbstractInordert0reducememeningp0硫0f烈-S

3、ifiller(eute(岖cpointof577℃)，platingn砣蚰10dwasadopted{’0rtheIirStt妇ebypla．tiI玛copperonthesurl乏ICeofmiIlA．1-SisolilerS臼邱，controlliIlgV撕ablessuCh勰Voltage，powertiIllc锄d廿leamountofcopper；tlleproducedC毗U—Si／Cu哆pealllminl咖b弱ecompoundfiller．Function、ⅣaseXploredbymea璐ofdi腩rential恤m脚强aJysis(DTA)，w

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7、icl【lyintotherawmaterials．Thefo加ationof砧mmn啪coppereutecticliquidphaSehaspromotedmeprolif．erationcapaci够ofSi，ma虹ngitdistributedeVeIdyint11eexperimentingarea．Keywords：electroplate；compoulldfillermetal：Al—Sifillermetal；VacmlmbrazingIV兰州理工大学学位论文原创性声明和使用授权说明原创性声明本人郑重声明：所呈交的论文是本人在导师的