铝合金阳极氧化膜半导体性质及耐蚀性的研究

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1、摘要铝合金阳极氧化膜半导体性质及耐蚀性的研究本课题主要是研究铝阳极氧化膜的半导体性质，比较了不同封闭后氧化膜的半导体性质。利用PDM理论建立数学模型对铝金属的金属／氧化膜、氧化膜／溶液界面进行了分析和研究，建立简单的数学模型并对模型进行计算和比较，相位角和阻抗的试验数据同模型较好吻厶口。通过Mott—Schottky理论对铝阳极氧化膜的半导体性质缺陷数量和平带电位进行了计算，并用来预测铝阳极氧化膜耐蚀性的优劣。得到的数学模型能较好的符合EIS谱的测量，封闭和未封闭的阳极氧化膜均为n一型半导体，氧空穴的扩散系数为(1．1

2、2～5．53)×10。14cm-2·s．1，不同的封闭后平带电位有差别，依次为：未封闭>沸水封闭>重铬酸钾封闭>铈盐封闭，得到的耐蚀性：铈盐封闭>重铬酸钾>沸水>未封闭。通过研究在NaCl溶液中，不同封闭的铝阳极氧化膜的电化学交流阻抗谱(EIS)，评价铈盐，重铬酸钾，沸水封闭效果的优劣。M．S理论计算平带电位，预测腐蚀的方法与用电化学交流阻抗谱测得结果一致。对所得实验数据的拟合，得到封闭后的Rp和Cp建立铈盐在NaCl侵蚀性溶液中的阻抗模型。关键字：铝合金，半导体，PDM，耐蚀性’摘要Thepropertyofsemi

3、—conductorofanodicoxidefilmandanti—corrosion0naluminumaU0yABSTRACTThesubjectwasspecializesinresearChingtheproper哆ofseIlli。conductOrofaIlodicoxidefilmonaluminumandcomparestheproper哆ofseIni—conduCtorofdi虢rentsealingonoxidefilms．PDMthe0巧isutilizedtobuildmamsmodelin

4、ordert0analysisandstudyalumi肌malloymeta协arrierlayerinterface(MBI)，barrierlayer／outerlayerinterfIace(BOI)，andBodeimpedanceplotsforanodicoxidefilmonaluminuminlMNa2S04at25℃showacomp撕sonb咖eenexp舐mentandsimulateddata．Calculatir培theamountofdefectsofse血一conductorproper

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6、difmsioncoe所cient(Do)ofanodic矗lmis(1．12～5．53)×1O‘14cm～·s’1；aRersealingtheplantpotential鲈adation：noseal>boilingsealing>chromatesealing>ceriumseal，sot11eanti‘corrosionpropertywas：ceriumseal>chromatesealing>boilingm北京化工大学硕士研究生论文sealing>noseal1hroughsmd如ngofdifreren

7、tsealingresultsofEISonAlanodicfilms，c嘶umsaltsealing，chr．0matesaltsealingandboilingwatersealwascomparedinmeNaClsolutionandtheresultofcalculatingplantpotentialbyM—Smeo巧wereaussame邪measuredbyEIS．Atlast，impedancemodelofdi能rentsealedwasestablishRpandCpinmeNaClsolutio

8、nisgetbye)【perimentdata．KEYWoRDS：aluminumalloy，semi—conductor，PDM，anti—corrosionproper锣Ⅳ北京化工大学位论文原创性声明本人郑重声明：所呈交的学位论文，是本人在导师的指导下，独立进行研究工作所取得的成果。除文中已经注明引用的内容外，本论文不含任何其