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时间:2019-02-06
《溶胶凝胶法制备掺杂铋、钇、铌的钛酸锶钡基陶瓷薄膜的研究》由会员上传分享,免费在线阅读,更多相关内容在学术论文-天天文库。
1、摘要本文对应用于DRAM电容介质的钛酸锶钡(BST)薄膜材料的制备与性能进行了研究。采用溶胶一凝胶方法以廉价的Ba和Sr的醋酸盐为前躯体成功制备了均一BST薄膜,并对其结构与性能进行了表征。在热解、晶化过程中升温速率、保温时间、降温速率对薄膜的结构有较大的影响。探索了工艺对薄膜表面形貌的影响,最佳烧结工艺条件为:升温速率O.5"C/rain,降温速率1。C/rain。在BST薄膜与基质之间制备了Ti02缓冲层,它有效解决了电极与基质剥离的问题。利用SEM、TG、D1A,对烧结制度、晶化温度进行了分析,得到
2、最佳晶化温度为750℃,保温时涮60rain。研究了薄膜厚度对其电学性能的影响,采用溶胶一凝胶方法制备薄膜的厚度为450nm时,Pt/BST/Pl薄膜电容器在IKHz下其介电常数为70.2,介电损耗0.09。研究了微量元素铋、钇和铌对BST薄膜(掺量分别为:O.7~3m01%和O.39~4.12m01%)的结构与介电性能的影响规律。测试了薄膜的介电性能与微量元素含量的关系。结果表明,微量元素的掺加改善了薄膜的介电损耗,而Y元素同时也改善了薄膜的介电常数。采用SEM,XRD,TEM等测试手段分析了薄膜的表面
3、形貌、薄膜厚度、晶相结构、颗粒大小等,对其变化现象进行了初步的分析和讨论。结果表明,微量元素的掺加细化了薄膜的颗粒,没有改变薄膜的晶相结构。研究了掺杂Bi元素的BST薄膜的铁电性,对含有铋元素的BST薄膜进行了电滞回线分析,采用高分辨透射电镜分析(HRllEM)分析对薄膜中微畴的结构与大小。关键词:溶胶.凝胶法;BST薄膜:掺杂:介电性能:铁电性能浒胶-凝jJ变法制桥掺杂Bj、Y、Nb的钛酸钯钡基陶瓷薄膜的{iJf究AbstractInthisthesis.Baxsrl.xTi03(BST)thinfil
4、msusedinDRAMwithhighdielectricconstantwerestudied.TheglossyBSTthinfilmswerepreparedbySol—Geltechniqueusingbariumacetateandstrontiumacetate.Thestructureandpropertieso£BSTthinfilmswerestudied.Heatvelocity,mmealingtimeandcoolvelocitywerefoundtoplayimportantr
5、olesinstructureofBSTthinfIrnsinthecourseoftheexperiments.Differentsinteringtechniqueswel。etriedtochangequalityofthinfilms.Bestsinteringtechniquew'asacquiredwhenHeatvelocityisO5。C/min.coolvelocityis1。C/min.Ti02bufferlayerswerepreparedbetweenBSTthinfilmsand
6、substrate,effectivelysolvedthequestionofdelamination,BySEM,TGandDTA.tirebestannealingtemperatureandtimeofBSTthinfihnsal‘el_espectively750。Cand60minutesWhenthethicknessofBSTthinfihnsis450ranpreparedbySol-Gel.dielectricconstantanddielectriclossofPt/BST/Ptth
7、infilmscapacitors;respectivelyare702andO.09ai1KHz.DopedcontentsofBi.YandNbinBSTthinfihnsrespectivelyal。eO7~3m01%andO39~412m01%.StructttleanddielectricpropertiesofBSTthinfihnswithdift’erentdopantswereanalyzedResultsshowedthatthedopingofBi,VandNbimproveddie
8、lectriclossofBSTthinfilms,andYimproveddielectricconstantofBSTthinfilms.Surfacemicrographs.thickness,structures,grainsareanalyzedanddiscussedbySEM,XRD.TEMandFTIRResultsshowedthatthedopingofBi,Y.andNbdecreasedgrainssi
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