合成绝缘子污闪原因分析及其对策

合成绝缘子污闪原因分析及其对策

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时间:2019-02-06

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1、华北电力大学工程硕士学位论文摘要摘要由于合成绝缘子具有强度高、重量轻、无零值、抗撞击、污闪电压高等优良的综合性能,已在国内外的电力系统中广为应用,但是在运行中污闪事故仍时有发生,因此合成绝缘子污秽闪络及对策研究不仅是国内外极为关注的课题,而对提高电力系统运行的可靠性具有重要的理论价值和工程实际意义。本文在综合分析国内外大量研究文献的基础上,主要进行了以下内容研究:(1)进行了硅橡胶材料在污湿环境中的憎水性能的变化特性试验研究;(2)研究了合成绝缘子在污湿环境中的闪络特性及憎水性、等值盐密、气压、湿度

2、、温度对污闪电压的影响情况。(3)根据实际运行情况进行了合成绝缘子防污闪对策的研究。关键词:合成绝缘子,憎水性,污秽,闪络ABSTRACTThecompositeinsulatorshavesomegoodperformances,suchashighintensity,llighratiosofstrengthtoweight'nozerovalues,vandalismresistant,andhi【ghpollutedflashovervoltage.However,contamination

3、flashoveraccidentstakeplacefromtimetotime,SOitisimportanttoresearchthecontaminationflasdoverofthecompositeinsulators.Inthispaper,basedOnagreatdealofreferences,followingresearchhasbeenfinished:(1)thehydrophobicitycharacteristicsofsiliconerubberincontami

4、nationandwetconditionsisresearchedbytest.(2)thecontaminationflashovercharacterofcompositeinsulatorincontaminantandwetconditionsisresearchedbytest.Andtheinfluenceofhydrophobicity,ESDD,atmosphericpressure,humidity,temperatureontheflashovervoltagehasbeenf

5、ound.(3)thepreventingcontaminationflashovercountermeasureshavebeenfoundbsedontestandexperience.LuMinjie(Electricalengineering)Directedby:Ass.prof.ZhangZhongyuanSeniorEngineerZhangRuitongKEYWORDS:compositeinsulator,hydrophobicity,contamination,flashover

6、华北电力大学工程硕士学位论文摘要摘要由于合成绝缘子具有强度高、重量轻、无零值、抗撞击、污闪电压高等优良的综合性能,已在国内外的电力系统中广为应用,但是在运行中污闪事故仍时有发生,因此合成绝缘子污秽闪络及对策研究不仅是国内外极为关注的课题,而对提高电力系统运行的可靠性具有重要的理论价值和工程实际意义。本文在综合分析国内外大量研究文献的基础上,主要进行了以下内容研究:(1)进行了硅橡胶材料在污湿环境中的憎水性能的变化特性试验研究;(2)研究了合成绝缘子在污湿环境中的闪络特性及憎水性、等值盐密、气压、湿度

7、、温度对污闪电压的影响情况。(3)根据实际运行情况进行了合成绝缘子防污闪对策的研究。关键词:合成绝缘子,憎水性,污秽,闪络ABSTRACTThecompositeinsulatorshavesomegoodperformances,suchashighintensity,llighratiosofstrengthtoweight'nozerovalues,vandalismresistant,andhi【ghpollutedflashovervoltage.However,contamination

8、flashoveraccidentstakeplacefromtimetotime,SOitisimportanttoresearchthecontaminationflasdoverofthecompositeinsulators.Inthispaper,basedOnagreatdealofreferences,followingresearchhasbeenfinished:(1)thehydrophobicitycharacteristicsofsilicon

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