pzt基niti+smapzt复合材料的制备及其力、电性能

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时间:2019-02-06

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1、摘要锆钛酸铅(PZT)陶瓷具有非常稳定的压电效应,高的机电耦合系数、较好机械品质因子,在作为传感器、驱动器应用时,具有高灵敏度、低电噪声等优势,但由于其力学性能较差,严重限制了它的应用范围。为了充分发挥PZT的性能优势,改善其力学性能,本文尝试将PZT与NiTiSMA薄膜复合,用NiTiSMA增强PZT,从而制备PZT基NiTiSM胛ZT异质复合材料,为PZT的应用开拓新空间。本文采用磁控溅射法直接在PZT基体上沉积NinSMA薄膜,再经晶化处理而制备NiTiSMA/PZT复合材料;借助SEM、EDS、和XRD等手段,通过研究基体预热温度、氩气工作压强、溅射功率、基体表面状

2、态、不同加热方式、晶化处理温度、保温时间等因素对NiTiSMA薄膜表面形貌、NinSMA/PZT复合材料膜基结合状态、沉积速率、NiTiSMA与PZT基体之间的成分扩散和NiTiSMA薄膜物相组成的影响,以确定适宜的复合材料制备工艺;使用显微硬度计测试NinSMA/PZT复合材料的耐压性能,定性分析NinSMA薄膜与PZT基体之间的结合强度;采用三点弯曲法测试NiTiSMA/PZT复合材料的抗弯强度,分析NinSMA对PZT力学性能的影响;使用ZJ.3A型准态仪、AutomaticLCRMeter4225测试NinSMA/PZT复合材料的压电常数d33,机电耦合系数10,介

3、电损耗t98,考察NilriSMA薄膜对PZT压电性能的影响。实验结果表明:基体经过严格清洗,基体预热温度为150℃,氩气工作压强0.7Pa,溅射功率150W时制备出的NmSMA薄膜表面空洞、缝隙等缺陷较少,颗粒均匀,膜基结合状态较好,薄膜沉积速率适宜;采用两步法晶化处理的NinSMA薄膜与基体之间的成分交换范围较小;使NiTiSMA薄膜晶化颗粒尺寸均一,缺陷较少,膜基之间结合紧密的晶化温度为600℃,保温室间为30min。力学性能测试结果表明,所制备的N讯SMA/PZT复合材料所承受的最大压力为1009f,结合力约为0.49N;NiTiSMA复合材料的抗弯曲强度比纯PZT

4、提高22.9%。所制备出的NinSMA/PZT复合材料与纯的PZT相比,压电常数d33提高O.03%,机电耦合系数K提高0.28%,介电耦合系数t96降低O.76%。NiTiSMA薄膜与PZT基体之间良好的界面结合结构及界面附近存在源自膜/基间晶格差异的约束应力,有利于电偶极子的定向运动,保障了PZT基体压电性能的充分发挥。关键词:磁控溅射;NinSMA薄膜;NinSMA/PZT复合材料;力学性能;电学性能AbstractLeadzirconatetitanate(PZT)piezoelectricceramichasverystablepiezoelectriceffec

5、t,hi曲electromechanicalcouplingcoefficientandgoodmechanicalqualityfactorwhenitisusedassensorordfiver.Butitspoormechanicalpropertyrestrictstheapplication.ForexertingthepredominanceofthePZTandimprovingitsmechanicalpropertysufficiently,wetrytoprepareanewcompositematerial晰mNinSMAfilmandPZT.Itma

6、ybeoneofnewcontinuationforthePZTapplication.Inthispaper,theNiTiSMAfilmWasdirectlydepositedonthePZTsubstratebymagnetronsputtering.Aftercrystallizationtreating,theNinSMA/PZTcompositematerialwasobtained.Theeffectsofsubstratepre-heatingtemperature,Argaspressure,sputteringpowerandthesurfacestat

7、eofthesubstrateonthesurfacemorphologyoftheNiTiSMAfilm,thecombinationofthecompositematerialbetweentheNiTifilmandPZTsubstrateandthedepositionratewerestudiedwiththeSEM.ThediffusionoftheelementswasanalyzedbytheEDS.Theeffectsofdifferentheatingmode,heatingtemperatur

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