plzt铁电电光薄膜制备工艺研究

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1、摘要作为电光薄膜材料，锆钛酸铅镧(Pbl．xLa。(ZbTil．y)lM03，简称pLzT)凭借其优异的铁电、电光性能，技广泛地应用于光魄子学、集成光学等领域。近年来，邀先材料静制备、结构、性能和应用已．经成为阐际上薪型材辩研究静一个燕点。本文阐绕制备性能优异的电光材料，从电光材料的选择、材料配比、靶材制备、射频磁控溅射镀骥设备的磺巷l、电光薄膜材料毒q幸馨等方露进行了研究。取得了以下主簧实验结巢：(1)研究发现，成分为PLzT8／65，35的结构和电光性能最好。熟最佳工艺条件为：9lo‘e颚烧，llOO℃烧结势{襞滠6小时

2、；丽卷《各透明导电薄膜Sn02陶瓷靶材的最佳工裴条件为：预烧、浇结溢度分鄹为llOo℃和i5∞℃露时保温6小时。并以此为基础分别制备了致密、均匀、平整、赢径为m212H1n1的PLzT和m221“1lIl的sn02陶瓷溅射靶材：往)为竟瑕现有磁控溅=鸯

3、设备的不是，掇出了一静新的磁控溅射方案，采翔方案的设备具有：靶材利用率高、镀膜均匀、成膜速度快辞特点；(3)运用AFM、xRD、sEM以及双光路分光光度计等分析手段对PLzT和Sn02薄簇的徽结构和往麓进行研究，找到了割善PLzT电光薄骥和sn02透明电投材料的最佳工蕊条件。

4、制备PLzT电光薄膜的最馈工艺参数为：村底温度400℃，溅射功率100w，氧氩毖为l：6，遇火温度为650℃；丽制玺二氧化锡逑明电极的簸佳工艺参数为：嚣瘫瀑度室溢、溅射功率200w、氧氩院为l：2、迢火溢度为矗。O℃；关键词：电光薄膜；PLzT；Sn02透明电极AbstractAsatypicalElec们一ophematerials，leadlanthanumzjrconateH撖nate(PLZT)wi也i拓eXoellen熏扫anspa鹳n姆ands粕蝣elee技o·o辨iee攫＆ls，c馘be雠辩羲sively毽s醛

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