相关存储器ic的应用技巧

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1、目录第1章UV—EPROM的结构与使用方法1.1UV—EPROM的结构与特征1.1.1UV—EPROM的单元结构1.1.2UV—EPROM的写入与擦除1.1.3一次性PROM1.2UV—EPROM的输入输出信号1.3操作模式1.3.1数据读(DataRead)1.3.2输出禁止(OutputDisable)1.3.3待机(TTL／CMOS)1.3.4编程(Programming)1.3.5编程验证(ProgramVerify)1.3.6编程禁止(ProgramInhibit)1.3.7自动选择(AutoSelect)1.4DC规定

2、1.5UV—EPROM的读操作1.6UV—EPROM的编程方法1.6.1UV-EPROM写入方式的变迁1.6.2Am27C010的编程方法1.6.3UV—EPROM擦除器的制作第2章闪速存储器的结构与使用方法2.1闪速存储器的概要2.2闪速存储器的分类及特征2.3NAND闪速存储器2.3.1TC58V64的引脚配置2.3.2NAND闪速存储器的内部结构2.3.3操作指令2.4NOR闪速存储器2.4.1引脚配置2.4.2信号的种类2.4.3与处理器的连接实例2.4.4读周期的概要2.4.5写周期的概要2.4.6读周期的时序2.4.7

3、写周期的时序2.4.8闪速存储器指令第3章EEPROM的结构与使用方法3.1EEPROM的概要3.2串行EEPROM3.3Microwire总线对应的存储器——M93Cx63.3.1M93Cx6的引脚配置3.3.2Microwire总线的存取操作3.4SPI总线存储器——M952563.4.1M95256的引脚配置3.4.2SPI总线对应的存储器的操作3.4.3指令设置3.4.4状态寄存器23.5IC总线对应的存储器——M24CXX23.5.1IC总线与串行EEPROM23.5.2IC总线存储器M24C01—M24C1623.5.

4、3IC总线的基本操作3.5.4写操作的流程3.5.5读操作的流程23.5.6扩展IC总线存储器3.5.7M24C64的时序3.6并行EEPROM3.6.1M280lO的信号3.6.2基本的存取操作3.6.4状态寄存器第4章SRAM的结构与使用方法4.1SRAM的单元结构4.1.1RS触发器4.1.24晶体管单元4.1.36晶体管单元4.2SRAM的分类4.2.1异步SRAM4.2.2同步SRAM4.2.3双端口SRAM4.2.4FIFO4.3异步SRAM4.3.1异步SRAM的信号4.3.2异步SRAM的基本操作4.3.3时序的解

5、析4.4同步SRAM4.4.1同步管道突发式SRAM4.4.2实际的同步管道突发式SRAM4.4.3同步管道突发式SRAM的各种信号4.4.4同步管道突发式SRAM的基本操作4.4.5同步突发式SRAM4.4.6实际的同步突发式SRAM4.4.7同步突发式SRAM的单一读操作4.4.8同步突发式SRAM的突发读操作4.5SRAM主板的制作4.5.1ISA总线存储器周期的注意事项4.5.2SRAM存储器主板的基本设计4.5.3SRAM存储器主板的操作确认第5章特殊的SRAM的结构与使用方法5.1双端口SRAM5.1.1异步类型的双端

6、口SRAM5.1.2CY7C019的引脚配置5.1.3CY7C019的信号线5.1.4CY7C019的基本操作功能5.1.5同步类型的双端口SRAM5.1.6CY7C09199的引脚配置5.1.7CY7C09199的信号5.1.8CY7C09199的存取操作5.2FIFO存储器5.2.1实际的FIF0存储器5.2.2CY7C419的信号5.2.3CY7C419的操作第6章DRAM的结构与使用方法6.1DRAM的单元结构6.1.1DRAM单元结构的概况6.1.2刷新6.1.3软错误6.1.4电容器的设计6.2DRAM内部电路6.3D

7、RAM的外部接口6.3.1DRAM的基本信号6.3.2DRAM的读／写操作6.3.3DRAM的刷新操作6.3.4DRAM的快速访问模式6.4同步DRAM6.4.1同步DRAM的信号6.4.2SDRAM指令6.4.3同步DRAM的存取操作示例6.5DDR—SDRAM6.5.1DDR—SDRAM的信号6.5.2DDR—SDRAM的操作6.6直接总线式DRAM6.6.1直接总线式DRAM的信号6.6.2直接总线式DRAM的信号连接6.6.3直接总线式DRAM的操作概况6.6.4直接总线式DRAM的操作示例存储器IC的应用技巧第一章UV－

8、EPROM的结构与使用方法1.1UV－EPROM的结构与特征●1.1.1UV－EPROM的单元结构UV-EPROM的单元结构如图所示。其基本结构与在下一章中说明的闪速存储器相同。UV-EPROM的存储单元是由MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体