无压浸渗法制备高体积分数sical复合材料的研究

无压浸渗法制备高体积分数sical复合材料的研究

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1、第47卷增刊1稀有金属材料与工程Vol.47,Suppl.12018年7月RAREMETALMATERIALSANDENGINEERINGJuly2018无压浸渗法制备高体积分数SiC/Al复合材料的研究1,222212刘秋元,王峰,贺智勇,张启富,谢志鹏,王晓波(1.清华大学新型陶瓷与精细工艺国家重点实验室,北京100084)(2.中国钢研科技集团有限公司,北京100081)摘要:以SiC粉体及铝合金(7%Mg,10%Mg,质量分数)为主要原料,采用无压浸渗工艺制备得到了两种SiC/Al复合材料。采用X射线衍射仪(XRD)、扫描电镜(SEM)及万能试验机等检测手段对2种SiC/Al

2、复合材料的物相组成、显微结构及机械性能进行了表征研究。结果表明,制备得到的SiC/Al复合材料的主晶相均为SiC、Al,同时含有少量的Si、Mg2Si和MgAl2O4等相。10%Mg样品显微结构中存在气孔,7%Mg样品则相对致密。通过对比,7%Mg样品性能更优,其气孔率为0.15%,抗弯强度为373MPa,界面反应区的显微硬度为2230MPa。关键词:SiC/Al复合材料;微观结构;无压浸渗;镁中图法分类号:TB333文献标识码:A文章编号:1002-185X(2018)S1-315-04高体积分数(≥55%)碳化硅颗粒增强铝基复合材粒大多为不规则尖角形,典型颗粒的SEM照片如图1料

3、(SiC/Al)综合了SiC及Al的优良性能,同时具有高所示。比强度、良好的导热性、低热膨胀系数等特点,在电子采用无压浸渗制备SiC/Al复合材料工艺过程如下:封装、航空航天、军事、汽车等领域具有广泛的应用首先将SiC颗粒、造孔剂与粘结剂(PVA溶液)混合均[1-3]前景。匀,然后采用机械加压的方式制备SiC颗粒预制体(气孔当前制备SiC/Al复合材料的主要工艺有粉末冶金率体积分数约45%),然后于500℃保温1h进行脱脂,法、搅拌铸造法、放电等离子烧结法、挤压铸造法、气再加热到1100℃保温4h对预制体进行预氧化处理,使压浸渗法和无压浸渗法。其中无压浸渗工艺是20世纪其表面形成一层

4、致密的SiO2层;然后将预氧化样品放入80年代末由美国Lanxide公司提出以来的,由于该工艺刚玉坩埚内,铝合金放置于样品上面,在氮气氛围下加具有方法简单、便于操作、可近终成形地制造复杂零件热到900℃,并保温一定的时间进行自发浸渗。保温结等特点,而成为国内外当前研究的重点。同时无压浸渗束后随炉冷却至室温,得到SiC/Al复合材料样品。工艺较传统的压力熔渗、粉末冶金等工艺相比,具有在采用X射线衍射仪(D8Focus,Bruker,Germany)一定范围内体积分数可控,无需专用压力设备、投入成本较低、可制备大尺寸复合材料等优点,因而该工艺在[4-12]制备SiC/Al复合材料具有其独

5、特的优势。但目前而言,无压浸渗技术还未成熟,其关键技术尚被国外垄断,工程应用很少,制备过程中还有诸多问题需要解决。本实验采用无压渗透法制备SiC/Al复合材料,研究材料的物相组成、显微结构、机械强度,并探讨Mg对SiC/Al复合材料性能的影响。1实验实验用原料为工业级碳化硅(99.7%),铝(99%)、镁(99%)及自配铝合金(主要元素是Si、Mg,7%Mg,图1SiC颗粒形貌10%Mg2种规格,以7Mg与10Mg表示)。选用SiC颗Fig.1SEMimageofSiCparticles收稿日期:2017-07-09基金项目:国家科技重大专项资助项目(2013ZX02104)作者简介

6、:刘秋元,男,1984年生,博士生,清华大学材料学院新型陶瓷与精细工艺国家重点实验室,北京100084,电话:010-62187958,E-mail:lqydt2011@163.com·316·稀有金属材料与工程第47卷对样品的物相组成进行分析,Cu靶,Kα波长为0.154182中可以看出,制备得到的两种SiC/Al复合材料物相组nm,2θ为10°~90°,步长为0.02°;采用扫描电子显微镜成基本一致,主晶相均为SiC、Si和Al,另外还有少量(S-4300,Hitachi,Japan)对样品的显微结构进行观察;的Mg2Si、MgAl2O4相生成,未检测到有害相Al4C3存在。依据

7、阿基米德原理,采用沸煮法对样品的气孔率及体积2.2Mg含量对SiC/Al复合材料显微结构的影响密度进行测定。依据国标GB/T5593-1996,采用万能试在无压浸渗制备SiC/Al复合材料的过程中,合金中[13,14]验机(AG-2000A,岛津,日本)对样品的抗弯强度进行测Mg的存在可以降低铝合金熔体的表面张力、降低定,其样品尺寸为3mm×4mm×36mm,跨距为30mm,铝基碳化硅系统的固液界面能,减小铝基碳化硅系统的加载速率为0.5mm/min。试样

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