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时间：2019-02-03
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1、SIPIVT《模拟电子》62电》 《模拟电子》课程精品讲义SIPIVT《模拟电子》62目录单元1晶体二极管的特性与应用1.1理论：半导体物理的基本知识和晶体二极管的特性1.2实验：晶体二极管的伏安特性测试和简单应用单元2晶体三极管的特性2.1理论：晶体三极管的输入、输出特性2.2
2、实验：晶体三极管的输入、输出特性测试单元3晶体三极管共发射极基本放大器3.1理论：晶体三极管共发射极放大器的性能指标和分析方法3.2实验：晶体三极管共发射极基本放大器性能指标测试单元4晶体三极管共集电极基本放大器4.1理论：射极跟随器的性能指标分析4.2实验：射极跟随器的性能指标测试单元5晶体三极管多级放大器5.1理论：多级放大器的耦合方式和分析方法5.2实验：阻容耦合两级放大器的性能指标测试单元6负反馈放大器6.1理论：反馈组态的判断和负反馈对放大器性能的影响6.2实验：电压串联负反馈对放大器性能的影响单元7正弦波振荡器S
3、IPIVT《模拟电子》627.1理论：正弦波振荡器的起振条件和平衡条件7.2实验：RC分立元件文氏电桥正弦波振荡器单元8差分放大器8.1理论：差分放大器的工作原理和性能指标8.2实验：差分放大器的性能指标测试单元9集成运算放大器9.1理论：集成运算放大器的理想化条件和应用9.2实验：集成运算放大器的应用单元10功率放大器10.1理论：甲、乙类功率放大器的工作原理和性能指标10.2实验：OTL功率放大器的性能指标测试单元11直流稳压电源11.1理论：直流稳压电源的工作原理和性能指标11.2实验：串联直流稳压电源的性能指标测试单
4、元12场效应管的特性及放大电路12.1理论：结型场效应管的特性曲线和性能指标12.2实验：结型场效应管特性曲线和放大电路性能指标的测试SIPIVT《模拟电子》62单元1晶体二极管的特性与应用1-1理论：半导体物理的基本知识和晶体二极管的特性1-1.1半导体物理的基本知识导电性能介于导体与绝缘体之间的材料，称为半导体。由硅或锗等元素组成的单晶称为本征半导体。价电子得到能量，摆脱共价键的束缚，成为自由电子，该过程称为本征激发。本征激发产生电子－空穴对；本征激发过程中，激发和复合两种作用是并存的。能够运载电荷的粒子称为载流子。半导
5、体中有两种载流子－电子和空穴。两种载流子浓度相等。本征半导体经过掺杂后就成为杂质半导体，分为Ｎ型和Ｐ型半导体。在本征半导体中掺入微量五价元素，通过施主电离就形成Ｎ型半导体，电子为多子，空穴为少子；在本征半导体中掺入微量三价元素，通过受主电离就形成Ｐ型半导体，空穴为多子，电子为少子。利用掺入相反性质的杂质来改变杂质半导体类型的过程称为杂质补偿，它是制造ＰＮ结的基本方法。在电场作用下载流子的定向运动称为漂移运动，由此产生的电流称为漂移电流；在浓度差作用下载流子由浓度大的地方向浓度小的地方运动称为扩散运动，由此产生的电流称为扩散电
6、流。当Ｐ型半导体和Ｎ型半导体结合为一体时，在交界面形成的特殊薄层称为ＰＮ结。扩散运动使交界处的Ｎ区、Ｐ区分别带正负电荷，形成空间电荷区，建立内电场，扩散减弱，漂移加强，平衡后形成ＰＮ结。ＰＮ结结电容包括阻挡层电容ＣＴ和扩散电容ＣＤ。1-1.2晶体二极管的特性ＰＮ结具有单向导电性。通过二极管的电流Ｉ与其两端电压Ｕ的关系曲线为二极管的伏安特性曲线。正向特性和反向特性有很大区别。二极管的伏安特性方程：，在常温下，，称为温度电压当量。SIPIVT《模拟电子》621-1.3晶体二极管的微变等效二极管的交流电阻，。1-2实验：晶体二极管
7、的伏安特性测试和简单应用1-2.1实验目的1、认识二极管，并能用万用表测试其极性；2、学会正确使用常用仪器；3、测试二极管的单向导电性、伏安特性曲线以及在整流方面的应用。1-2.2实验内容和步骤1、用指针万用表测试二极管1N4148和1N4004的正反向电阻；用数字万用表测试它们的正向导通电压。数据记录在下表中。仪器档位正向电阻1N4148反向电阻1N4148正向电阻1N4004反向电阻1N4004指针万用表R×10R×100R×10K1N4148正向导通电压1N4004正向导通电压数字万用表2、测试二极管的伏安特性曲线2.
8、1正向特性如图1连接电路，电源电压设为5V；调节电位器，使电压表读数如表格中所列，读出对应的毫安表数值并记录在表格中。U(V)0.020.080.20.40.50.60.70.8I(mA)SIPIVT《模拟电子》622.2反向特性如图2连接电路，电源电压设为24V；调节电位器，使电压表读数
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