各种开关电源介绍

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1、74吴善龙奥罗拉公司2017-11-20开关电源介绍一、基础知识：新型变压器：磁性元件，新型磁材料和新型变压器的开发。如集成磁路，平面型磁心，超薄型变压器；以及新型变压器如压电式，无磁芯印制电路变压器等，使开关电源的尺寸重量都可减少许多。硬开关的条件下MOSFET和IGBT开关损耗分析： 1)．开通损耗方面：由于MOSFET的输出电容大，器件处于断态时，输入电压加在输出电容上，输出电容储存较大能量。在相继开通时这些能量全部消耗在器件内，开通损耗大。器件的开通损耗和输出电容成正比，和频率成正比和输入电压的平方成正比[12]

2、。而IGBT的输出电容比MOSFET小得多，断态时电容上储存的能量较小，故开通损耗较小。 2)．关断损耗方面：MOSFET属单极型器件，可以通过在施加栅极反偏电压的方法，迅速抽走输入电容上的电荷，加速关断，使MOSFET关断时电流会迅速下降至零，不存在拖尾电流，故关断损耗小[10]；而IGBT由于拖尾电流不可避免，且持续时间长(可达数微秒)，故关断损耗大。 综合以上分析，硬开关条件下MOSFET的开关损耗主要是由开通损耗引起，而IGBT则主要是由关断损耗引起。因此使用MOSFET作为主开关器件的电路，应该工作于ZVS条件

3、下，这样在器件开通前，漏极和源极之间的电压先降为零，输出电容上储存能量很小，可以大大降低MOSFET的开通损耗；而使用IGBT作为主开关器件的电路，应该工作于ZCS条件下，这样在器件关断前，流过器件的电流先降为零，可以大大降低因拖尾电流造成的关断损耗。软开关：当电流过零时，使器件关断；当电压过零时，使器件开通-实现开关损耗为零。变流器：把输入的电源，进行电压、电流变换，达到规定的要求后输出给用电设备。DC-DC：直流变压器。斩波器。为什么反激开关电源只能适合小功率？200W以下。正激开关电源适合大功率开关电源？高效率小体

4、积（高功率密度）一直是DC-DC变换器用户的追求，也是设计的要点。提高功率密度最有效的方式就是提高开关频率，线圈和变压器对高速变化的磁力线感应灵敏度高、特别高效率，衰减特别小，传递效率特别高，而对低频变化的磁力线灵敏度低、衰减大，传递效率差，因此高频下的磁芯体积会大幅度减小，但频率的提高会使开关管的开关损耗加大，对变换器的效率造成影响。如何在高频下减小开关管的开关损耗，是DC-DC74吴善龙奥罗拉公司2017-11-20变换器是否能实现高效率高功率密度的关键，在这种背景下，高频软开关技术逐渐成为研究的热点，LLC谐振变换

5、器是在串联谐振变换器的基础上增加了一个与负载并联的电感，是目前效率最高的开关电源。直流斩波电路将输入的直流电变换为电压可调的直流电的电力电子变流装置，称为DC-DC，主要是在开关电源调压过程中，原来一条直线的电源，被电路"斩"成了一块一块的脉冲，在经过电感和电容滤波，将输入的直流电变为另一固定电压或可调电压的直流电。亦称直流斩波器或DC/DC变换器，也叫直流变压器。用斩波器实现直流变换的基本思想是通过对电力电子开关器件的快速通、断控制，把恒定的直流电压或电流斩切成一系列的脉冲电压或电流，经过滤波，在负载上可以获得平均值可

6、小于或大于输入电源的电压或电流。如果改变开关器件通、断的动作频率，或改变开关器件通、断的时间比例，就可以改变这一脉冲序列的脉冲宽度，以实现输出电压、电流平均值的调节Mosfet的栅压：耐压越高的MOSFET，达到充分导通的栅电压越低；耐压越低的MOSFET，达到充分导通的栅电压越高。我查阅了各种耐压MOSFET的VGS－RDS曲线，得到的结论是：耐压200V的MOSFET达到充分导通的栅电压＞16V；耐压500V的MOSFET达到充分导通的栅电压＞12V；耐压1000V的MOSFET达到充分导通的栅电压＞8V。因此，建议

7、：耐压200V及以下的MOSFET栅驱动电压＝17－18V；耐压500V的MOSFET栅驱动电压＝15V；耐压1000V的MOSFET栅驱动电压＝12V。管子功率越小，完全导通所需栅压越高。IGBT栅压：IGBT的驱动电压，IGBT的驱动电压为15±1.5V，与IGBT的耐压无关。驱动电压低于13.5V，IGBT的饱和压降会明显增高；高于16.5V，既没有必要，还可能带来不利的影响。二、漏磁、漏感、互感介绍:漏磁：磁力线从线圈的磁芯中逃逸出来，散布在附近的空气中，穿过附近的其他零件，从而干扰附近零件的正常工作。漏感是因漏

8、磁产生的。电感具有储能的特性，对交流电有遏制作用，总是反对电流的变化。通过电感的电流不能突变，只能按线性规律上升。变压器：当次级线圈空载、开路时，次级线圈没有回路、没有电流，次级线圈不起任何作用，相当于没有一样，此时初级相当于很大的电感，对初级输入的变化的电流有很大的阻抗和遏制作用，由于输入初级的电能没有通过次级输出