光纤接入网中cmos单片集成光接收芯片研制

光纤接入网中cmos单片集成光接收芯片研制

ID:32289152

大小:4.91 MB

页数:87页

时间:2019-02-02

光纤接入网中cmos单片集成光接收芯片研制_第1页
光纤接入网中cmos单片集成光接收芯片研制_第2页
光纤接入网中cmos单片集成光接收芯片研制_第3页
光纤接入网中cmos单片集成光接收芯片研制_第4页
光纤接入网中cmos单片集成光接收芯片研制_第5页
资源描述:

《光纤接入网中cmos单片集成光接收芯片研制》由会员上传分享,免费在线阅读,更多相关内容在学术论文-天天文库

1、摘要光收发器,特别是其中的光接收组件ROSA作为光纤接入网系统的核心部件,己经成为研究的热点。目前,光接收组件主要采用光电探测器PD与前置互阻放大器TIA混合集成的设计,若能实现在标准CMOS-I-艺下PD和TIA的单片光电集成,将在成本、性能等方面得到较大的改善,具有很好市场前景。本文的课题的目标是实现lOM/lOOMbps光纤接入网中850nm光接收组件的单片光电集成,即实现光纤通信中850hm光探测器与前置放大器TIA在标准CMOS工艺下的单片集成。本文进行了以下工作:1.本文选取了适用于lOM/lOOMbps传输的DPD结构和S

2、M结构的光电探测器,了解了其基本原理,并且建立起器件电路模型,仿真得到它的带宽和直流响应度。2.讨论了各种类型的前置放大器,并选取RGC结构的前置互阻放大电路。为克服DPD与SMPD响应度较小的缺点,设计了二次宽带放大电路。3.采用Cadence软件完成单片集成OEIC的版图设计,并在无锡华润上华科技有限公司采用0.5um的标准CMOS工艺进行流片。4.对OEIC芯片进行了ROSA封装,并对DPD-OEIC进行了小信号带宽测试,大信号码率传输测试以及DPD的直流响应度测试。采用ROSA封装的DPD-OEIC芯片,替换现有商用lOM/lO

3、OMbps光收发器中的ROSA,测试获得传输速率为72Mbps,可应用到lOM/lOOMbps光纤接入网数据传输,满足了lOMbps的传输要求,但是距离其最大传输速度lOOMbps还有一定差距。SM—OEIC芯片预测可适用于更高速率传输的应用。本文的创新点如下:1.进行标准CMOS工艺下PD+TIA的单片光电集成设计,获得的OEIC芯片采用ROSA封装,可以实现72Mbps的数据传输。2.选取DPD与SM结构的光电探测器,并且建立起器件新电路模型,以实现OEIC在Cadence下整体的电路仿真与版图设计。关键词:OEIC:DPD;SM光

4、电探测器;跨阻放大器AbstractOpticaltransceiver,inparticular,photoreceiverasthecorepartofopticalaccessnetworksystem,hasbecomeahotresearch.Atpresent,photodetector(PD)mainlyarehybridintegratedwithtransimpedanceamplifier(Tta).Therealizationofmonolithicallyoptoelectronicintegratedcircu

5、it(OEIC)chipofPDandTIAbythestandardCMOStechnology,whichhasbetterperformanceandlowercost,willhaveverygoodmarketprospects.Thesubjectofthispaperistoachievetheoptoelectronic-integratedphotoreceiverappliedin850rimfiber-opticalaccessnetworkof10M/100Mbps,namely,thesuccessfulmon

6、olithicchipofPDandTIAusedin850rimopticalfibercommunicationisaccomplished.Inthispaper,thefollowingworkisfinished:1.Twokindsstructureofphotodetector,DoublePhotodiode(DPD)andSpatiallyModulated(SM),aredesignedfor10M/100Mbpstransmission.ThenthebasicprincipleofPDisintroducedan

7、dtheestablishmentofdevicecircuitmodelisfinished.Basedonthose,thebandwidthandDCresponseofPDalesimulated.2.Thevarioustypesofpre-amplifierarediscussed,andTransimpedanceamplifierwitllRGCstructureisselected.ToimproveDCresponsivenessoftheDPDandtheSMPD,thesecondarybroadbandampl

8、ifierisdesigned.3.CadencesoPtwareisusedtocompletetheOEICchiplayoutandchipisfabricatedbyO.5BinCMOStechno

当前文档最多预览五页,下载文档查看全文

此文档下载收益归作者所有

当前文档最多预览五页,下载文档查看全文
温馨提示:
1. 部分包含数学公式或PPT动画的文件,查看预览时可能会显示错乱或异常,文件下载后无此问题,请放心下载。
2. 本文档由用户上传,版权归属用户,天天文库负责整理代发布。如果您对本文档版权有争议请及时联系客服。
3. 下载前请仔细阅读文档内容,确认文档内容符合您的需求后进行下载,若出现内容与标题不符可向本站投诉处理。
4. 下载文档时可能由于网络波动等原因无法下载或下载错误,付费完成后未能成功下载的用户请联系客服处理。