纯镁与镁合金大气腐蚀和化学氧化工艺的研究

纯镁与镁合金大气腐蚀和化学氧化工艺的研究

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时间:2019-02-02

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1、大连理工大学博士学位论文摘要镁合金具有比强度高、减震性能好、易于压铸成型和可回收等优良的综合性能,逐渐受到交通工具和电子通讯器材等行业的青睐,被认为是21世纪最富有开发和应用潜力的“绿色材料”。但是,耐蚀性问题一直制约着镁合仓的大量使用。目前关于变形镁合金腐蚀行为的报道较少,对其腐蚀机理研究不够深入。同时,镁合金化学氧化技术中,铬酸盐化学氧化工艺存在废液处理成本高和污染环境等问题。而无铬处理工艺目前还不够成熟,处理液寿命短,氧化膜耐蚀性不够理想,能耗高,工艺复杂。因此,研究变形镁合金的腐蚀机理,开发高效、低毒、环境友好的化学氧化处理工艺成为当前研究热点之一。本文对

2、AZ31镁合金和纯镁暴露在大连地区海洋性气候中的腐蚀行为进行研究,同时进行室内模拟暴露实验和薄层液膜电化学检测,探讨了大气污染物对AZ31镁合金和纯镁腐蚀规律的影响。采用扫描电镜(sEM)、电子能谱(EDx)、电子探针(EPMA)以及x射线光电子能谱仪(XPS)等检测技术对表面腐蚀产物进行分析。400d的室外暴露实验结果表明,两种试样表面覆盖一层深灰色的腐蚀产物膜,AZ31镁合金表面腐蚀产物膜较纯镁光滑、致密,腐蚀程度较轻。去除腐蚀产物后发现,试样表面腐蚀轻微的区域形成了一些孤立的“小岛”,“小岛”之间出现较深的蚀坑。AZ31镁合会和纯镁腐蚀向积分别占各自总面积的

3、42.3%和65.0%。AZ31镁合金表血腐蚀产物主要由MgO、M甄OH)2、AJ(OH)3、A1203以及镁和铝的碳酸盐,硫酸盐和氯化物所组成,纯镁腐蚀产物与AZ31镁合会基本相同,但不含舢元素。图像法统计腐蚀面积后拟合的AZ31镁合金和纯镁腐蚀动力学遵循指数关系,动力学方程分别为:Haz31=O.403Xto。653,HPMg=O.549×to.665。室内模拟暴露实验研究发现,表面沉积NaCI、Na2S04和NaN03后,AZ31镁合金和纯镁发生明显的局部腐蚀。随着表面盐沉积量的增加,腐蚀速度加快。NaCI、Na2s04和NaN03对镁合金侵蚀性强度排序为:

4、NaCI>Na2S04>NaN03。薄层电解液中含有NaCI、Na2S04和NaN03时的电化学测试表明,随着试样表面液层厚度的减薄,腐蚀产物的沉积速度加快导致腐蚀产物膜变得粗糙、疏松;液膜越薄,局部腐蚀越易发生。液膜较薄时,三种电解液中Rf和Rd大小顺序为NaN03>Na2S04>NaCI,表明其侵蚀性强度顺序为NaCI>Na2S04>NaN03,验证了室内模拟暴露实验检测结果。此外,NaNO,的液膜下,液膜厚度变化对镁合金极化行为的影响较NaC!和Na2S04液膜下显著,这是由于阴极过程除了生成氢气外,还产生N03一的去极化反应所致。纯镁及镁合金大气腐蚀和化学

5、氧化工艺研究开发了一种KMn04.REMS化学氧化工艺,AZ91、AM60、AZ31镁合金以及纯镁经该工艺氧化处理后,获得的氧化膜质量优于磷酸盐处理等典型的无铬镁合金化学氧化处理工艺,与传统铬酸盐处理工艺相当。经KIV[r104.REMS工艺氧化后,镁合金表面氧化膜层呈网状微裂纹结构,氧化膜厚度约为10am,膜层的主要成分为Ce02、MnO和Mn02,还有少量MgO、Mg(OH)2以及铝的化合物。镁合金表面的KMn04.REMS氧化膜具有三层结构,最内层是镁和铝的氧化物和氢氧化物,中问层则主要由锰的氧化物组成,表层沉积了铈的氧化物。氧化膜表面的网状微裂纹结构在氧化

6、过程中形成,由镁合金结构和化学氧化处理后干燥过程中氢氧化物脱水所造成。为了解决氧化液存在的环境污染问题,本文对环保无毒的植酸氧化液在镁合会表面化学氧化工艺中的应用进行研究。发现植酸氧化液的最佳pH值范围为9~lO,在AZ91、AM60、AZ31镁合金以及纯镁表面形成的氧化膜透明、光亮,膜层致密、均匀。经植酸处理后,在O.05m01.L1的NaCI溶液中耐蚀性能测试结果表明,镁及镁合金腐蚀电位升高,极化电流密度减小,电化学性能得到改善;化学浸泡8h未见腐蚀,耐蚀性能得到提高。植酸处理液在镁合金表面形成的氧化膜含有Mg、AI、Zn、O、P和C元素,膜的组成为植酸的镁盐

7、和铝盐,以及镁和铝的氧化物和氢氧化物。植酸在镁合金表面发生化学吸附,形成一层致密的有机保护膜,膜层有效地阻滞活性离子向基体表面扩散,隔离基体与腐蚀介质,从而抑制镁合会腐蚀。关键词:镁合金;大气腐蚀;化学氧化;高锰酸钾;植酸大连理工大学博士学位论文StudyontheAtmosphericCorrosionandChemicalConversionCoatingsforPureMagnesiumandMagnesiumAlloysAbstraotMagnesiumalloysaleofgreatimportanceatpresentandfuturefieldsof

8、engin

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