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时间:2019-02-02
《ingan基超高效率太阳电池理论地研究》由会员上传分享,免费在线阅读,更多相关内容在学术论文-天天文库。
1、InGaN基超高效率太阳电池理论研究摘要作为III.V族化合物半导体太阳电池材料中新的一员,InGaN材料具有在禁带宽度O.7eV~3.4eV范围内连续可调,几乎覆盖整个太阳光谱等一系列优点,引起人们的关注。本论文旨在从理论方面对InGaN基超高效率太阳电池进行研究。本论文的工作、创新点主要包括:1.本文应用AMPS.1D软件对叠层InGaN基太阳电池(单结、双结、三结)进行模拟,得到了叠层InGaN基太阳电池的I.V特性、能带结构、内建电场分布等重要特性。而后本文将自己的模拟结果和相关文献的结果进
2、行了比较,分析了产生不同的原因:①本文采用的是DOS模式而不是lifetime模式,并忽略了InGaN材料中的缺陷,所以本文得到的单结太阳电池效率比第四章中的参考文献[4]的结果高一些。②本文采用的软件AMPS是基于第一性原理、太阳电池基本方程:连续性方程和Poinsson方程,它们比光照条件下理想pn结方程更为基本,所以本文可以提供比相关文献更多的关于InGaN叠层太阳电池的信息如能带结构等等(第四章中的参考文献[5】,[6],[7】是基于光照条件下理想pn结方程,故这些文献只得到InGaN叠层太
3、阳电池的I.V特性)。2.本文将氢有效质量理论(HEMT)应用于InGaN基太阳电池材料(高In组分),得到了z-o酊Gao∞N太阳电池材料中的浅能级施主和受主的重要性质参数电离能;在此基础上本文得到了室温条件下1,70郇Gao∞N的浅能级施主和受主强电离时的杂质浓度范围,并估算了产生杂质能带的最低施主和受主浓度。而后本文用AMPS软件对含有浅能级施主和受主的砜彤G口o∞N单结太阳电池进行模拟,详细讨论了浅能级施主和受主能级的复合对太阳电池效率的影响。本论文为InGaN基超高效率太阳电池的设计和制备
4、提供了理论上的参考和帮助。关键词:InGaN太阳电池AMPS模拟叠层浅能级杂质IITHEOI辽TICALSTUDYONTHEINGAN.BASEDSUPER.HIGHEFFICIENCYSOLARCELLSABSTRACTAsanewmemberofIII—VcompoundsemiconductorsPVmaterials,InGaNmaterialhasmanyadvantagesbesidesthatitsbandgapvaryingcontinuouslyfromO.7eV~3.4eValm
5、ostcoversthewholesolarspectrum.SoInGaNmaterialarousedpeople’Sconcernrecently.Inthiswork,InGaN-basedsuper-highefficiencysolarcellswereresearchedtheoretically.Themajorinnovationsinthisworkinclude:1.KeypropertiesofInGaN-basedmultijunction(MJ)/tandemsolarc
6、ells(singlejunction,doublejunctionsandtriplejunctions)weresimulatedbyapplyingAMPSsoftware,includingI-Vcharacteristic、bandstructure、built.inelectricfieldetc.Thenwecomparedtheresultsofoursimulationwiththeresultsofothertheoreticalcalculationspublishedinth
7、erelevantliteratureandanalysedthecausesofthedifferences:OWehaveadoptedDOSmodel,ratherthanlifetimemodel,andignoredtheeffectsofdefectsinInGaNmaterial.SowehaveobtainedhigherefficiencyforsinglejunctionInGaNsolarcellthantheresultsofthereference【4】4inchapter
8、4.②A~WSisbasedonthefirstprinciple:thecontinuityequationsandIIIPoissonequation,whicharethebasicequationsforsolarcells.Theyaremorebasicthanidealpnjunctionequationunderillumination.SowecouldprovidemoreinformationaboutInGaNmultijunctionsola
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