阴极保护用数控高频开关恒电位仪设计

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时间:2019-02-01

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1、阴极保护用数控高频开关恒电位仪的设计学位论文完成日期:指导教师签字:答辩委员会成员签字:三蒸独创声明本人声明所呈交的学位论文是本人在导师指导下进行的研究工作及取得的研究成果。据我所知,除了文中特别加以标注和致谢的地方外,论文中不包含其他人已经发表或撰写过的研究成果,或其他教育机构的学位或证书使用过的材料。与我一同工作的同志对本研究所做的任何贡献均已在论文中作了明确的说明并表示谢意。学位论文作者签名:

2、压l隐丽签字日期:2州年石月Io日学位论文版权使用授权书本学位论文作者完全了解学校有关保留、使用学位论文的规定,有权保留并向国家有关

3、部门或机构送交论文的复印件和磁盘,允许论文被查阅和借阅。本人授权学校可以将学位论文的全部或部分内容编入有关数据库进行检索,可以采用影印、缩印或扫描等复制手段保存、汇编学位论文。同时授权中国科学技术信息研究所将本学位论文收录到《中国学位论文全文数据库》,并通过网络向社会公众提供信。e,HE务。(保密的学位论文在解密后适用本授权书)学位论文作者签名:田德f面签字日期:2曲年6月f口日导师签字:签字日期:伊7年歹月¨日阴极保护用数控高频开关恒电位仪的设计}两要随着人们对防腐认识的提高,阴极保护技术的应用越来越普及。强制电流阴极保护技术是

4、其中的一种方法,这种方法的核心是直流电源即恒电位仪。恒电位仪从整流形式上主要有可控硅、磁饱和、数控高频开关。可控硅和磁饱和恒电位仪体积较大、纹波系数较大、控制精度较差,效率较低(低于70%)不易实现数字化。磁饱和恒电位仪除了上述不足外,额定功率20%以下的输出无法控制。数控高频开关恒电位仪体积较小、纹波系数小、控制精度高、效率较高(90%以上)。但由于主电路的不稳定性、以及温升和温漂问题尚未得到很好的解决,高频开关恒电位仪的应用一直未得到普及。本文利用高频开关和数控技术设计出一种阴极保护用数控高频开关恒电位仪,可以很好地解决以上问

5、题。本文首先通过概括腐蚀发生的条件、阐述阴极保护的几种准则、分析比较目前恒电位仪的应用现状,确定了本文设计需要解决的问题及采用的核心技术。本文设计的阴极保护用恒电位仪主要解决了主电路的不稳定性问题、以及温升和温漂问题。同时,本设计需满足恒电位仪对应负载的特性要求,即要求恒电位仪的输出范围很宽,从开始的低电流、低电压输出,到后期的高电流、高电压输出。本文的核心技术采用高频开关和数控技术,整流部分采用IGBT元件,控制部分采用DSP技术。通过前面的设计分析,本文设计出一种阴极保护用恒电位仪。该仪器可直接检测保护对象、并实施全程监控,主

6、要包括自动采样、自动调整工作模式、限流和限压的控制、数据存储与传输、抗干扰、温度控制及风机控制、温度飘移及温度补偿。按照恒电位仪的总体设计方案和模块化设计思路,本文对该设计的主电路、控制电路、面板的设计原理及软件设计做出了详细分析。本文设计的主要创新点包括:同时采用数字控制与高频开关电源技术;采用了抗干扰技术:阴极保护恒电位仪具有RS一232和RS一485两种通讯接口,同时支持GSM/GPRS无线数据通讯;具有运行参数及数据自动采样和数据存储功能,可确保异常情况下数据不丢失;智能声光报警功能,可准确判断电位超限、输出电流超限、输出

7、电压超限和温度超限等各种情况,报警同时,显示报警的原因;中文液晶显示,薄膜按键操作,操作简便直观,能更好的适应现场。关键词:阴极保护;恒电位仪;高频开关技术;数控技术;IGBTTheDesignOfaNumeric-controIHighFrequencySwitchingModePowerSuppIYpotentiostatInCathodiCProtectionAbstractAlongwiththeenhancementofanticorrosionawareness,cathodicprotectiontechnology

8、isbecomingmoreandmorepopular.Oneimportanttechnologyiscathodicprotectionwithcurrentlimiter.ThecoreofthistechnologyisDCpowersupply,namely,potentiostat.fromthePotentiostatform,thisareSCR,magneticsaturationandCNChi曲一frequencyswitch.ForSCRandmagneticsaturationpotentiostat,

9、largervolume,largerripplequotiety,lesscontrolaccuracyandlessefficient(1essthan70%)isnoteasytodigitize.Removethesefactor,forM

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