金属诱导横向结晶n型薄膜晶体管直流退化机制分析

《金属诱导横向结晶n型薄膜晶体管直流退化机制分析》由会员上传分享，免费在线阅读，更多相关内容在学术论文-天天文库。

1、第一章绪论金属诱导横向结晶n型薄膜晶体管直流】且化机制研究阵OLED显示相对比，有源矩阵OLED的衬底集成了电子背板，使它可用于包括视频和图形的高分辨、高信息内容的显示。由于它具有高的载流子迁移率，提供的薄膜晶体管有高电流传输能力和高开关速度。有源矩阵OLED的优点是低电压驱动和低功率损耗，高分辨率，大面积，坚固的帧设计和集成的驱动线路。因为OLED是发射型器件，显示孔不是关键因素，不像LCD显示，光必须通过孔。因此，有源矩阵显示的尺寸，像素的数目和分辨率没有限制。也因为在有源矩阵设计的薄膜晶体管中，OLED一个有缺陷的像

2、素仅产生一个暗点，而LCD会产生一个点缺陷或一行缺陷。此外，OLED是恒流驱动，以及基于多晶硅的扫描线路可直接构建在树底，因而不需要高密度互连接器(更昂贵)和外围驱动器。1．1．3其他平板显示技术简介1)电致发光显示器(EleetroluminescentDisplays，ELD)电致发光指的是硫化锌或其它材料通电时会发射荧光。粉末电致发光自1937年以来就众所周知，但1981年以前，并没有实际应用。直到将荧光材料沉积到玻璃底板时，才开发出薄膜电致发光板。这种显示器具有高对比度，己应用于航天飞机和办公设备的显示器。电致发光

3、显示按工艺可分为Planar公司为代表的薄膜电致发光(nIinFilmsElectroluminescentTFEL)显示器和加拿大iFire公司为代表的厚膜电致发光显示器。薄膜电致发光显示器有着宽广的应用，它们在医学、仪器、工业过程控制和军用防御设备，以及在运输和通信系统方面有着重要的应用。2)薄型阴极射线管(ThinCRT)薄型阴极射线管是由美国CandescentTeclmologies公司开发的，它的工作原理是和CRT相似。ThinCRT不用通常CRT的电子枪、偏转线圈套和荫罩，用称之为Spindt的圆锥形冷阴极发

4、射体作为电子发射源。冷阴极电子通过穿孔导电板形成电子束流，当撞到涂覆荧光层的阳极板时发光。该管有二块玻璃板组成，中间间隙仅lmm相隔。显示器内的支撑物是由专有的0．05ram陶瓷薄壁制成，足以承受住外界大气压．阳极面板是和通常CRT一样的镀铝彩色荧光层。代替CRT单个大阴极的是在基板上形成的几百万个微电子发射体，并且用制造LCD板相同的薄膜沉积工艺。微电子发射体很小，每一个仅200纳米．并且有若干个微电子发射体激活屏上的某个像素，允许发射体有20％的失效率，这比LCD好得多。ThinCRT整个厚度4金属诱导横向结晶n型薄膜

5、晶体管直流退化机制研究第一章绪论8iTlnl，仅是CRT厚度的一小部分。ThinCRT的优点是超薄和重量轻，低功率损耗，无限的视角，没有色和对比度的恶化，宽的亮度范围适合室内和户外应用，以及响应速度能满足全运动视频图像的要求。3)电子墨水(E．Ink)‘电子墨水是美国麻省理工学院(MIT)媒体实验室研究小组发明的新型材料和显示技术。电子墨水是化学、物理和电子学相融合产生的新材料。实际上它是一种液体，其内包含几百万个细小的球状微胶囊(约是人毛发丝直径大小)组成。每一个微胶囊有清澈的外壳，其内充满深色染液和悬浮其中的大量白色T

6、i02微胶粒。所有微胶囊夹在二块透明导电柔性塑料膜中间。通电时，负的顶电极吸引带正电的白色胶粒聚集到顶面，使微胶囊呈白色。当电场反转，这些白色胶粒又被推向负的底电极，并被深色染液隐藏，使微胶囊呈深色。换句话说，电场是用来移动微胶粒或者到显示器顶面或者到底部，所以观察者或者看到白色胶粒或者看到深色染液，这也取决于胶体和聚合物的表面化学。另一方面即使移去电场，白色微胶粒仍能很长时间停留在一处。该性能使显示图形无需额外的功耗仍保持固有的”余辉”，这也是能实现低功耗显示技术的重要因素。1．2低温多晶硅技术简介低温多晶硅技术是指在小

7、于600"12的条件下制备多晶硅薄膜及薄膜晶体管的工艺技术。目前低儡制备多晶硅薄膜的方法主要有：准分子傲光结晶(ExmmerLaserCrystallizabon，ELC)、低压化学气相淀积(LowPressureChemicalVaporDcposihon，LPCVD)，固相结晶法(SolidPhaseCrystallization，SPC)，和金属诱导横向结晶(MetalInducedLateralCrystallization，MILC)。下面就简单介绍这几种多晶硅薄膜技术，由于本文研究的主要对象是MILC器件，因此

8、关于MILC的工艺介绍将放在后面章节做详细介绍。1．2．ILPCVD简介【36】该方法在低于600"C时得到的是非晶硅薄膜，高于600"C才是多晶硅薄膜。微观分析表明，LPCVD法生长的多晶硅薄膜，晶粒尺寸不大，通常只有100～400nm，并且晶粒择优取向为<110>，为柱状晶，薄膜中含有大量微小的<1