bao-tio-%2c2--zno介质陶瓷微波介电性能的研究

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1、／浙江大学硕士掌位论文摘要／——————————————————————————————————————————————————————————————————一摘要y"?68694本文综述了微波介质陶瓷的应用前景，发展历史和研究状况；对几种介质谐振器材料的微波介电性能进行了研究；分析了掺杂和非化学计量比对介质谐振器材料微波介电性能的影响；重点讨论了介质谐振器材料微观结构与微波介一1一————-———-—一1‘～电性能之间的关系。f在(o．62BaO+0．62yTi02+0．35ZnO+O．03Nb205)+xwt％MnS04·H!O陶瓷中最终晶相为：Ba

2、2Ti9020、BaZn2Ti4013和少量的Ba3Nb4Ti402l。掺入MnSQ·H20对最终晶相没有影响。当y=4．3时则有少量的TiO，相出现。looO℃预烧的样品比1100。C预烧的样品含有更多的BaZn：Yi。0。。相，从而使样品的频率温度系数为负值。没有添加Ⅵn的BaO—TiOcZnO陶瓷表现出低的Q·f值。少量Ⅵn的添加将Q·f值提高到．56000GHz。Mn的添加对介电常数的影响很小。Mn在缺陷平衡中的作用是补偿自由电子，在冷却过程中还可以稳定Ti4．。Mn对介电常数的影响很小。整个系统的相对介电常数￡，在33．37的水平，随着TiO，含

3、量的增加，陶瓷的相对介电常数呈单调递增。得到了介电常数为￡，=36．60、Q·f=56000、近零频率温度系数的优良配方(0．62BaO+O．62×4．2TiO，+0．35ZnO+O．03Nb，O；)+O．1wt％MnS04‘H20。在(O．62BaO+O62×4．2Til．xzr、02+O．35ZnO+O．03Nb205)添加0．1wt％MnSO。·H20介质陶瓷中，该系统的最佳烧结温度在1250。C与1300。C之间。Zr4+的添加使配方的烧结温度范围也加宽了。zr4+置换TP只能形成部分固溶体。在Zr4+置换量较低时，系统介电常数随zr”置换量增加而

4、减少，zr“置换量达到一定程度后，介电常数不随Z一+置换量变化而变化，趋与稳定。随zr“置换量增加，开始时T，变化不大，zr”置换量从6m01％开始，t，迅速增大，zr掺入后，该系统的微波损耗增大。在(0．62BaO+0．62×4．2T102+O．35ZnO+0．03Nb2(1-x)Ta2。05)添加浙江大掌硕士掌位论文摘要O．1Ⅲ％MnS04·H20系介电陶瓷中，从t250EN1300E掺入Ta的样品都达到了致密烧结。Ta离子的添加使配方的烧结温度范围加宽了。掺入Ta“后该系统的介电常数下降，随Ta“置换量进一步增加系统介电常数略有减少。随Ta”置换量增

5、加，t，略有下降。在l100℃预烧温度下，Ta的掺入量为0．25时，可得到了频率温度系数为零的配方。添加Ta”以后，Q因子略有下降。卢‘才浙江大掌硕士掌位论文籀r要AbstractTheapplicationandhistoryandpresentsituationoftheresearchonmicrowavedielectricceramicswerereviewedinthisthesis．Themicrowavedielectricpropertiesofsomedielectricresonatormaterialswereinvestigate

6、d．Theeffectofdopingornonstoichiometriconthemicrowavedielectricpropertiesandthemicrostructuresofthesematerialswasdiscussed．Themicrowavedielectricpropertiesof(O．62BaO+0．62yTi02+0．35ZnO+0．03Nb205)+xwt％MnS04·H20wereinvestigated．ThefinalcrystalphaseswereBa2Ti9020、BaZn2Ti4013andsmallamo

7、untofBa3Nb4Ti4021．AdditiveMnS04。H20haslittleeffect、vitllthefinalcrystalphases．Wheny=4．3small锄ountofTi02werepresent．Sinteredsamplesthatwerecalcinedat1000。ChadmoreBaZn2Ti4013phasecompared、Ⅳiththoseof100℃calcinedsamples．whichledtoanegativeT，．UndopedsamplesshowedlowQ‘fvalues，Asmallamo

8、untofMn—dopingimprovedQ·fuptO5600