【硕士论文】跃迁模式升压功率因数校正芯片的研究设计.pdf

《【硕士论文】跃迁模式升压功率因数校正芯片的研究设计.pdf》由会员上传分享，免费在线阅读，更多相关内容在教育资源-天天文库。

1、Y951296梗里大擎硕．士学位论一文(专业学位)学校代码：掌号：跃迁模式升压功率因数校正芯片的研究设计院系：信息科学与工程学院专业：电子与通信工程姓名：钱翼飞指导教师：周锋副教授完成日期：2005年lO月18日10246043021120跃迁模式升压功率因数校正芯片的研究设计摘要电源是各种电子设备不可缺少的一部分，其性能的优劣关系到整个系统安全性和稳定性。开关电源是现代电子设备应用中最为广泛的电源装置，具有损耗低、效率高、电路简单等优点。而开关电源功率因数校正集成控制电路自20世纪90年代问世以来，已成为提高开关

2、电源效率、减少电网污染的核心技术。本文主要研究了功率因数校正芯片的设计问题。探讨了业界现在常用的一些功率校正集成控制器的拓扑结构和工作模式，总结了各种结构的一些优点和缺点。并根据市场实际需求选择了跃迁模式(TransitionMode)的拓扑结构。跃迁模式是一种固定开关MOSFET导通时间，改变频率的一种控制方式，也可称为CCM／DCM边界控制。这种控制使得电感电流为临界电流工作状态，可以消除二极管的反向陕复功耗，大大减小主开关的非零电压导通损耗。但由于是一种变频技术，EMI滤波器设计比较困难。此外，由于电感较小，

3、电感纹波电流较大，开关器件的通态损耗有所增加，因此适合在1Kw内使用这种技术。优点是控制简单，专用芯片外围元件数量很少。本文分析了跃迁模式升压功率因数校正芯片的工作原理和电路结构，分块设计了芯片内部所需的一些模块，包括误差放大器，内建电源和基准，比较器，模拟乘法器，输出级等，给出了晶体管级电路及仿真结果。关键词：开关电源，功率因数校正，跃迁模式，CCM／DCM边界控制●ResearchandDesignforTransitionModeBoostPFCABSTRACTPowersupplyisoneofthetmp

4、ortantpartsintheelectncalequipment，theperformanceofitwillaffectthesecurityandrehablhtyoftheelectricalsystem．AndtheswRcinngpowersupplyisthemostwidelyuseddeviceinmodernelectricalsystem，ithastheadvantageoflow&sslpation，Inghefficiency,andsmaplestructure．Then，thepo

5、werfactorcorrectorhasbecomethecoretechnologywhenithasbeeninventedm90softhe20thcentury,whichcanincreasetheefficiencyofswitchingpowersupplyanddecreasethepollutioninpowernet．Inttuspaper,theproblemofhowtodesigntheAPFC(ActivePowerFactorCorrector)hasbeenstudied．Andt

6、hewidelyusedtopologyandoperationmodeofAPFChasalsobeendiscussed，andalsotheadvantageordisadvantageofeachtopologyandmode．Tomeettheneedsofthemarket，wechoosetheTranslttonModeBoostPWMtopology．TransitionModePWMisthetopologyoffixedON—tune，andvariablefrequency,winchals

7、ocanbecalledCCM／DCMedgecontroltopology．ThiscontrolmodemakestheinductorworkontheboundarybetweencontinuousanddascontmuousmodeItcanavoidthereverserecoverdissipationofdlode，decreasethedissipationofmamswRchmgMOSFET．Butit’shardtomaketheEMIfilterduetoitsvanablefreque

8、ncy．Inaddition，theripplecurrentofinductormaybebiggerenoughtoincreasetheswitchingdevicedlsslpatlonbecauseofthesmallSIZeofmductor．So，wesuggestitshouldbeusedintherangebelow1KW．Andthea