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1、Si中华人民共和国电子工业行业标准sJ/T10312-92电子束曝光机通用技术条件1992-0&-15发布1992-12-01实施中华人民共和国机械电子工业部发布中华人民共和国电子工业行业标准电子束曝光机通用技术条件SJ/T10312-92Generalspecificationofelectronbeamexposures六item主要内容与适用范圈本标准规定了电子束曝光机(以下简称曝光机)的术语、技术要求、试验方法、检验规则等。本标准适用于集成电路、微波器件、光电器件、声表面波器件等微细图形制作的电子束曝光机。引用标准SJ/Z1793电子工业专用设备油漆涂层技术条件SJ
2、1276金属镀层和化学处理层质量检验技术要求JB8产品标牌GBn193出口机械、电工、仪器仪表产品包装通用技术条件GB191包装储运图示标志GB6388运输包装收发货标志术语3.1曝光分辨率指在本标准规定的环境条件及工艺条件下,电子束对基片曝光显影后,获得的细小图形清晰度。通常用曝光、显影后所获得的最细图形线宽表示。3.2图形边缘粗糙度电子束对基片曝光、显影后所获得的图形边缘粗糙缺陷的相对值。通常与曝光机的最细图形线宽比较,一般图形边缘粗糙度,不大于最细图形线宽值的13%.3.3图形精度电子束在基片上,对给定的图形作分步重复曝光,所获得图形之问的相对误差值。通常用均方根值表
3、示。3.4图形拼接精度当给定的图形尺寸,超过电子束的偏转场部分,用工件台移动、位移之后将图形拼接曝光,这种衔接处的误差,称为图形拼接精度。通常用均方根值表示。对光栅扫描电子束曝光机而言,是指两条带之间的衔接误差。对矢量扫描电子束曝光机而言,是指偏转场之间的衔接误差。3.5套刻精度中华人民共和国机械电子工业部1992-06-15批准1992-12-01实施一1一sa/'e10312-92一种集成电路的一套掩模,彼此正确迭合时,其中一层掩模上的全部功能图形,与其它任一层掩模上的相应图形的相对位置偏差。3.6自套刻精度在同一块掩模版上,电子束对给定图形,作两次分步重复曝光,其两次
4、曝光图形的相对位置偏差。3.了直接作图的套刻精度在一块圆片上,电子束作无掩模的直接光刻,将集成电路各层的掩模图形分别直接在圆片上曝光。其各图层相应图形的相对位置偏差。3.8同机套版精度在指定的一台电子束曝光机上,所制作的一种集成电路的一套掩模版,相互正确迭合时,其各图层相应图形的相对位置偏差。3.9有效度有效度是曝光机在使用期问,维持规定功能概率的一个可靠性指标。曝光机的有效度一般用有效工作时间与修复时间、有效工作时间之和的比值的百分数表尔。产品分类按电子束斑形状分为a.可变矩形电子束曝光机;匕圆形电子束曝光机。4.2按曝光方式分为:a.矢量扫描电子束曝光机;b.光栅扫描电
5、子束曝光机;c.光栅、矢量混合扫描电子束曝光机。4.3型号由具体产品标准规定。技术要求工作环境条件要求.。混彦.n.宪I:表1房间冬季夏季曝光机主机房间20士0.525士0.5曝光机其它房间20士125士I阮相对湿度:40%一55;亡空气洁净度:在曝光机主机房间内100。级,在取送版口附近局部净化,当制作微米级图形时局部净化100级,制作亚微米级图形时局部净化10级;d.空间磁感应强度不大干5X10-'T;e.曝光机主机的安装基础要求;在10Hz以上的振动应不大干。,。坛.在10H;以下的振一2一SJ/T10312-92动应不大于。.0028;e.曝光机主机安装基础的形状、
6、尺寸应由具体产品标准规定;9.电源电压:380V士10%,220V士10纬,电源频率50Hz士1Y.;h.冷却水的进水温度5^35"C,进水压力10'-3X10'Pa;1.氮气纯度应大于或等于99.90.,5.2一般要求5.2.1曝光机电子枪阴极材料和寿命、加速电压、控制计算机的型号、主要性能和配置(内存量、磁盘容量及型号、磁带型号),计算机能接受的数据格式、手编格式(由制造厂家提供)和CAD生产格式,应在具体产品标准和产品说明书中明确规定和说明。5.2.2油漆涂覆的零部件的涂层应符合SJ/Z1793的要求。电镀及化学涂覆的零部件表面应光滑细致,其质量要求应符合SJ1276
7、的规定‘5.3主要性能要求5.3.1电子束流大小根据阴极材料的不同,由具体产品标准给出参数。5.3.2电子束斑形状、尺寸和边缘分辨率由具体产品标准给出参数。5.3.3电子束流密度由具体产品标准给出参数。5.3.4扫描频率由具体产品标准给出最高扫描频率。5.3.5电子束偏转扫描场尺寸由具体产品标准给出最大扫描场尺寸参数。5.3.6加工件尺寸范围曝光机应配备的可曝光最大圆片和掩模版板架,其规格对应关系如表2规定。表2mm圆片尺寸025」$50}"751$100一0125}0150掩模版板架50X50I75X751100
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