GBT6589-2002半导体器件分立器件第3-2-部分：信号(包括开关)和调整二极管电压调整二极管和电压基准二极管(不包括温度补偿精密基准二极管)空白详细.pdf

《GBT6589-2002半导体器件分立器件第3-2-部分：信号(包括开关)和调整二极管电压调整二极管和电压基准二极管(不包括温度补偿精密基准二极管)空白详细.pdf》由会员上传分享，免费在线阅读，更多相关内容在行业资料-天天文库。

1、ICS31.080.10L41中华人民共和国国家标准GB/T6589-2002/IEC60747-3-2:1986QC750005代替GB/T6589-1986半导体器件分立器件第3-2部分:信号(包括开关)和调整二极管电压调整二极管和电压基准二极管(不包括温度补偿精密基准二极管)空白详细规范SemiconductorDevices-Discretedevices-Part3-2:Signal(includingswitching)andregulatordiodes-Blankdetailsp

2、ecificationforvoltage-regulatordiodesandvoltage-referencediodes(excludingtemperature-compensatedprecisionreferencediodes)(IEC60747-3-2:1986,IDT)2002-12-04发布2003-05-01实施中华人民共和国发布国家质量监督检验检疫总局GB/T6589-2002/IEC60747-3-2:1986月吐吕GB/T6589是等同采用IEC60747-3-2:1

3、986(QC750005)《电压调整和电压基准二极管(不包括温度补偿精密基准二极管)空白详细规范)(英文版)。本部分代替GB/T6589-1986《电压调整和电压基准二极管(包括温度补偿精密基准二极管)空白详细规范》。本部分与GB/T6589-1986的主要差别是:1)本部分适用范围不包括温度补偿精密基准二极管。2)在标准文本前面增加了前言。3)因引用的标准更改而修订的地方有:—全文中涉及到“总规范”处由GB/T4936.1-1985《半导体分立器件总规范》，改为IEC60747-10:1991

4、《半导体器件第10部分分立器件和集成电路总规范》;—第7章中要求的筛选顺序由按GB/T4936.1-1985《半导体分立器件总规范》，改为按GB/T12560-1999《半导体器件分立器件分规范》;一一第8章中测试方法由按GB/T4936.1-1985(半导体分立器件总规范》，改为按GB/T12560--1999《半导体器件分立器件分规范》;—第8章中抽样要求由按GB/T4936.1-1985(半导体分立器件总规范》，改为按GB/T12560-1999《半导体器件分立器件分规范》;—B8,C8分

5、组中电耐久性由按GB/T4938-1985《半导体分立器件接收和可靠性》，改为按GB/T6571-1995《半导体器件分立器件第3部分:信号(包括开关)和调整二极管);-B3,B4,B5分组和C3,C4分组试验由按GB/T4937-1985《半导体分立器件机械和气候试验方法》，改为按GB/T4937-1995《半导体器件机械和气候试验方法》;—B5分组中交变湿热由按GB/T2423.4-1981《电工电子产品基本环境试验规程试验Db:交变湿热试验方法》，改为按GB/T4937-1995《半导体器

6、件机械和气候试验方法》。4)取消了4.5.1和4.5.2的符号Io=,。5)根据GB/T6571-1995对1个电参数名称进行了修改:一一原版4.5中“最大反向恒定(直流)电流”改为“最大反向直流电流”6)5.8中“最大等效噪声电压”改为“最大噪声电压”。7)第7章中要求的筛选顺序原为GB4936.1的3.6.2，本版为GB/T1256。的3.78)第8章中测试方法原引用GB4936.1的6.1.1，本版为GB/T12560的第4章。9)第8章中抽样要求原引用GB4936.1的3.6.2，本版为

7、GB/T12560的3.810)根据原文含义将4.5.1中“P-,(T)”改为“P。二”。11)B组表注中电耐久性试验原引用GB4936.1的3.4.3.1，本版为GB/T12560的3.2.3.10本部分与IEC60747-3-2的主要差别是:1)本部分第7章中条号“3.8”和“3.7”在IEC60747-3-2中为“3.7”和“3.6"2)根据原文含义将4.3.1中“Plo,”改为“Pma.(T)",3)根据原文含义将4.3.2,4.5.1中“只。”改为“P-,”.GB/T6589是半导体器

8、件系列国家标准之一下面列出了这些国家标准的预计结构及其对应的国际标准，以及将代替的国家标准:-一一GB/T4589.1-1989半导体器件分立器件和集成电路总规范GB/T6589-2002/IEC60747-3-2:1986—GB/T12560-1999半导体器件分立器件分规范(idtIEC60747-11:1985，代替GB/T12560-1990)—GB/T17573-1998半导体器件分立器件和集成电路第1部分:总则(idtIEC60747-1:1983)-GB/T4023-1997半导体