《GBT11072-2009-锑化铟多晶、单晶及切割片》.pdf

《《GBT11072-2009-锑化铟多晶、单晶及切割片》.pdf》由会员上传分享，免费在线阅读，更多相关内容在行业资料-天天文库。

1、ICS29．045H83a目中华人民共和国国家标准GB／T1072--2009代替GB／T110721989锑化铟多晶、单晶及切割片Indiumantimonidepolycrystal，singlecrystalsandas—cutslices2009-10-30发布2010-06-01实施宰瞀髁鬻瓣警糌瞥星发布中国国家标准化管理委员会厘11’前言GB／T11072--2009本标准代替GB／T11072--1989《锑化铟多晶、单晶及切割片》。本标准与GB／T11072--1989相比，主要有如下变化：——将原标准中直径10mm～50mm全部改

2、为10mm～200mm；——在原标准的基础上增加了直径>50mm，厚度不小于1200pm，厚度偏差士40pm；——将原标准中位错密度级别1、2、3中直径≥30mm～50mm全部改为≥30mm～200mm；——在原标准的基础上增加了直径为100mm、150mm、200mm的切割片直径、参考面长度及其偏差；——将原标准中的附录A去掉，增加引用标准GB／T11297；——增加了“订货单(或合同)内容”一章内容。本标准由全国半导体设备和材料标准化技术委员会提出。本标准由全国半导体设备和材料标准化技术委员会材料分技术委员会归口。本标准起草单位：峨嵋半导体材料

3、厂。本标准主要起草人：王炎、何兰英、张梅。本标准所代替标准的历次版本发布情况为：——GB／T11072一1989．1范围锑化铟多晶、单晶及切割片GB／T11072--20091．1本标准规定了锑化铟多晶、单晶及单晶切割片的产品分类、技术要求和试验方法等。1．2本标准适用于区熔法制备的锑化铟多晶及直拉法制备的供制作红外探测器和磁敏元件等用的锑化铟多晶、单晶及切割片。2规范性引用文件下列文件中的条款通过本标准的引用而成为本标准的条款。凡是注日期的引用文件，其随后所有的修改单(不包括勘误的内容)或修订版均不适用于本标准，然而，鼓励根据本标准达成协议的各方

4、研究是否可使用这些文件的最新版本。凡是不注日期的引用文件，其最新版本适用于本标准。GB／T4326非本征半导体晶体霍尔迁移率和霍尔系数测量方法GB／T8759化合物半导体单晶晶向x衍射测量方法GB／T11297锑化铟单晶位错蚀坑的腐蚀显示及测量方法3产品分类3．1导电类型、规格3．1．1多晶多晶的导电类型为n型，按载流子迁移率分为三级。3．1．2单晶锑化铟单晶按导电类型分为n型和p型，以掺杂剂、载流子浓度和迁移率分类，按直径与位错密度分为三级。3．1．3切割片按3．1．2分类与分级，其厚度不小于500pm。3．2牌号3．2．1锑化铟多晶与单晶的牌号

5、表示为：l——用PInSb表示锑化铟多晶，MInSb表示锑化铟单晶2——化学元素符号表示掺杂剂；3——阿拉伯数字表示产品等级。若产品不掺杂或不分级，则相应部分可省略。3．2．2锑化铟单晶切割片牌号表示为：GB／T11072--20091——MInSb表示锑化铟单晶；2——化学元素表示掺杂剂；3——cs表示切割片；4——阿拉伯数字表示产品等级。若产品不掺杂或不分级，则相应部分可省略。注：1级掺碲锑化铟单晶切割片表示为；MInSI卜Te_CS-14技术要求4．1多晶4．1．1多晶不应有裂纹和机械损伤，不允许有夹杂物。4．1．2多晶的电学性能应符合表1的

6、规定。表1多晶的电学性能(77K)载流子浓度／迁移率／导电类型级别Cl-il一。Ecru2／(V·s)]15×10”～1×10“>6×10525x1013～l×1014>5×105～6×10535×10”～1×1014>4×lO5～5×1054．2单晶及切割片4．2．1单晶及切割片不得有裂纹、空洞和孪晶线等缺陷，切割片表面不得有肉眼可见的刀痕，因切割而引起的缺口或崩边应在2miD．以内。4．2．2非掺杂和掺杂锑化铟单晶的电化学性能与位错密度应符合表2的规定，用于磁敏元件的锑化铟单晶及切割片的电学性能应符合表3的规定。表2非掺杂和掺杂锑化铟单晶电学性

7、能(77K)和位错密度导电载流子浓度／迁移率／电阻率／直径／位错密度／牌号掺杂剂cm～类型cm一。[cm2／(V-s)](n·cm)不大于500MInSb非掺杂(1～5)×10“≥4．5x105≥0．02710～2001000500MInSb-TeTe1×10is～7×10”2．4×105～1X10‘0．026～0．000110～2001000500MInSb-SnSn1×10t5～7×10‘82．4×105～1×1040．026～0．000110～2001000表2(续)GB／T11072--2009导电载流子浓度／迁移率／电阻宰／直径／位错密度

8、／牌号掺杂剂cm-‘类型Eom2／(v·s)](n·cm)mm不大于500MInSbrGepGe1×1015～9×1017