【全国百强校】辽宁省沈阳市东北育才学校2017-2018学年高一寒假化学试题18（无答案）

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1、作业18-无机非金属主角■硅1.下列有关硅的叙述中，正确的是()A.硅只有住高温下才能跟氢气起化合反应，单质硅有多种不同的结构B.硅是构成矿物和岩石的主要元素，硅住地壳川的含量在所有的元素中居第一位C.硅的化学性质不活泼，在常温下只与Cb、F2、HF、强碱反应D.硅在电子工业中，是最重要的半导体材料，也是制造光导纤维的原料2.下列有关硅及其化合物的说法正确的是()A.晶体硅具有金属光泽，可以导电，属于金属材料B.常温下，硅的化学性质稳定，所以自然界中的硅大部分以游离态存在C・SiO?是一种酸性氧化物，能够与水反应生成相应的酸D.除去SiO2中混有的CaCO3可加入适量的稀盐酸3.硅

2、被誉为无机非金属材料的主角。下列物品用到硅单质的是()A.陶瓷餐具B.石英钟表C.计算机芯片D.光导纤维4.证明生石灰中既混有石英，又混有石灰石的正确方法是()A.加入过量盐酸，观察是否有气泡冒出B.加入过量烧碱溶液，观察是否有固体溶解C・加热至高温，观察是否有气泡冒出，是否有硅酸钙生成.D.先加过量盐酸搅拌，观察是否有不溶物剩余及气泡出现，若有不溶物则滤出，投入到氢氧化钠溶液屮看其•是否溶解5.硅及其化合物是重要的无机材料，下列有关说法正确的是()A.反应SiO”+°f+Si,每生成1molSi转移4mole_22C==2COB・光纤的主要成分是硅单质，它质量轻且对光的传输能力强

3、C.光纤可以将光能转化为电能，是制造光电池的最佳材料D.陶瓷、水泥、金刚砂及所有的玻璃都是硅酸盐产品6.下列离子方程式中，不正确的是()A.石英与烧碱溶液反应：SiO2+2OH===SiQr'+H2OB.向烧碱溶液中通入过量的CO2：CO2+2OH-==CQ2-+H2OC・向硅酸钠溶液屮加入盐酸：2H++SiO2"===HSiOl323D・水玻璃中通入过量CO2：SiOr~+2CO2+2H2O===H2SiO.H+2HCO37.昆仑玉的成分可简单看成是Ca2Mg5Si8O22（OH）2，则其用氧化物的形式可表示为（）A.CaOMgOSiO2H2OB.2CaO-5MgO-8SiO2H

4、2OC.2CaOMgOSiO2-2H2OD・5CaO-2MgO-8SiO2H2O8•歌曲《青花瓷》中所描绘的“瓶身描绘的牡丹一如你初妆”、“色白花青的锦鲤跃然於碗底”等图案让人赏心悦目，但占瓷屮所用颜料成分一直是个谜，近年来科学家才得知大多为硅酸盐，如蓝紫色的硅酸铜BBaCuSi2O.v,铜为+2价），下列关于硅酸铜锲的说法不正确的是（）A.可用氧化物形式表示为BaOCuO2SiO2B.性质稳定，不易脱色C.易溶解于强酸和强碱D.兀等于69.世界著名的科技史专家、英国剑桥大学的李约瑟博士考证说「'中国至少在距今3000年以前，就己经使用玻璃了。下列■•有关普通玻璃的说法不正确的是(

5、)A.制普通玻璃的主要原料是纯碱、石灰石和石英砂B.玻璃在加热熔化时有固定的熔点C.普通玻璃的成分主要是硅酸钠、硅酸钙和二氧化硅D.盛放烧碱溶液的试剂瓶不能用玻璃塞，是为了防止烧碱跟二氧化硅反应生成硅酸钠而使瓶塞与瓶口粘在_起量仅次于氧的非金属元素任+e高温加氢氧化钠加热D+H.0请填空:10.下表屮括号内物质是杂质，试将除杂试剂及分离方法填入表内:混合物SiO2(CaCO3)CO2(SO2)NaHCO3(Na2SiO3)SiO2(NaCl)除杂试剂除杂方法混合物SiO2(CaCO3)CO2(SO2)NaHCO3(Na2SiO3)SiO2(NaCl)除杂试剂盐酸饱和NaHCCh溶液

6、通入足暈CO2气体水除杂方法过滤洗气过滤过滤ll.A、B、C、D、E代表单质或化合物，它们之间的相互转换关系如图所示。A为地壳中含(1)形成单质A的原子的结构示意图为,它的最高化合价为(2)B的化学式为,B和碳反应生成A和E的化学方程式为(3)C的化学式为,D的化学式为。12.在下列物质的转化关系屮，A是一种固体单质，E是一种白色沉淀。据此填写：⑴B的化学式是,目前B己被用作的主要原料。(2)B和a溶液反应的离子方程式是(3)C和过量盐酸反应的离子方程式是.12.某溶液屮可能含有OFT、CO2_>A1CT、SiO2_>SO2_>3234

7、n（沉淀）NaFe3Mg2Al^等离子

8、。向该溶液中加入一定物质的量浓度的盐酸时，生成沉淀的物质的量随盐酸体积的变化关系如图所示，下列说法正确的是（）A.原溶液中一定含有NazSOvB.反应最终形成的溶液屮的溶质为NaClC.原溶液中一定含有的阴离子有OFF、CO2-.A1CT、SiO2-323A.原溶液中含有C02一与.A10一的物质的量之比为1:13213.晶体硅是一种重要的非金属材料。制备纯硅的主要步骤如下：①高温下用碳还原二氧化硅制得粗硅；②粗硅与干燥HC1气体反应制得SiHCl:Si+300°C+