eu,dy掺杂铝酸锶长余辉材料缺陷化学机制

eu,dy掺杂铝酸锶长余辉材料缺陷化学机制

ID:31739513

大小:48.81 KB

页数:3页

时间:2019-01-17

eu,dy掺杂铝酸锶长余辉材料缺陷化学机制_第1页
eu,dy掺杂铝酸锶长余辉材料缺陷化学机制_第2页
eu,dy掺杂铝酸锶长余辉材料缺陷化学机制_第3页
资源描述:

《eu,dy掺杂铝酸锶长余辉材料缺陷化学机制》由会员上传分享,免费在线阅读,更多相关内容在工程资料-天天文库

1、稀有金属材料与工程RAREMETALMATERIALSANDENGINEERINGEu,Dy掺杂铝酸總长余辉材料缺陷化学机制普绍平】,胡劲I,朱孝钦I,张维钧1,沈黎I,桓源峰贺小昆12(1.昆明理工大学,云南昆明650093)(2.昆明贵研催化剂有限责任公司,云南昆明650106)摘K:采用活化Al・Sr合金粉末水解工艺,获得制备SrAbO。长余辉材料前驱体的水解产物,并采用高温固相反应法制备出SgAlO:Euo.oltDy,长余辉材料,并研究Dy掺杂量分别为x=0,0.01,0.02・0.03(摩尔分数,%)的长余辉材料荧光性能及长余辉特性.结果表明,随

2、着Dy掺杂畳的増大,长余辉材料初始发光亮度和余辉时间都随之增大.峡陷化学分析结果认为,所掺杂的稀土离子取代SrAbOq晶格中的Sr2%子格位,产生缺陷Eu「、Eu“・和Dy/EuQ为荧光发射中心,其浓度大小决定了长余辉初始发光亮度;Eus/和Dys/为带正电荷的缺陷,为满足体系电中性平衡,其周围破引了带负电荷的缺陷W形成陷阱,可捕获带正电的空穴,其浓度大小能级深浅将控制余辉时间.关长余辉:铝酸锯;峡陷化学:陷阱中图法分类号:TB34文献标识码:A文章编号:1002・185X(2011)Sl・299・03收稍日期:2011-02-10作者简介:普绍平,男,19

3、64年生,博士生,昆明理工大学材料科学与工程学院,云南昆明650093,电话*0871-8328147,E-mail:pu&haoping@163.com1866年Sidot等人首次制备出ZnS:Cu长余辉材料〔▽】,但其亮度低,余辉时间短,仅为几十分钟,化学性能不稳定,高温、高湿性能较差,容易发生红外淬灭。1968年,Palilla发现SrAl2O4:Eu2*体系在首先经历一个快速衰减过程后卩‘】,在低发光强度范围内,还存在一个慢速衰减过程,可持续发光较长时间,这一发现使长余辉发光材料的研究进入了一个新的阶段。1996年日本Matsuzawa等人研制出Sr

4、Al2O4:Eu2+,Dy3*体系的长余辉材料少】,研究发现辅助激活剂Dy3*稀土离子的加入,可使SrAbOq体系的余辉时间和发光亮度得到很大的提高,可达硫化物的10倍•且化学性质稳定,不含放射性元素,较为安全,使得长余辉发光材料的应用更加广泛。研究结果表明,在还原气氛条件下,所掺杂的稀土Eu元素以+2形式存在,荧光发射为Eu"的特征宽带发射4f5d4f跃迁,并没有Dy3•的特征发射。这说明,D)严不参与荧光发射,其对荧光发射和余辉机制的作用一直存在争论卩】・普遍的认识是,稀土掺杂后,稀土E旷和Dj严进入SrAl2O4晶体结构中的Sr2墙子格位,形成相应的缺

5、陷,峡陷具有合适的能级并带负电,可捕获Ei严受光照射激发的空穴.从原则上说,固体材料所有的物理性能都是由其原子结构决定的,因而材料性能与结构中的缺陷种类、浓度分布及其特点有着密切的关系。对材料内部的的缺陷进行分析有助于对材料制备,及最终产品性能控制深入地了解。本工作研究不同Dy掺杂量对SrAJCLi:Eu体系荧光性能的影响,同时利用缺陷化学的基本理论和原则,分析在高温烧结阶段SrA12<»Eu,Dy体系中,•和Dy3•取代Sr2+离子格位所形成的缺陷Eu",EuSr%DySr9以及可捕获空穴的带负电的Sr2•离子空位V/之间的相互关系,从而了解所掺杂稀土元素

6、对荧光性能的影响.1实验将活化Al-Sr粉末的水解产物热处理后的产物作为制备SrAl2O4:Eu,Dy长余辉材料的前驱体,并与所掺杂的稀土氧化物E1120j和52。3均匀混合,助熔剂为2.5%H3BO3(质量分数),出含量5%的还原气氛下,于13009下烧结1h得到长余辉材料.样品配方按表1所列名义化学式进行.>1样品配比Table1CompotltionofsamplesNo.Composition2#Sro99AI2O4:Eu0.018#Sro.nAh04:Euo.ouDyo.oi9#Srov?Al204:Euo.ouDyow4#Sro.MbO”Euo.

7、obDyo.03利用杭州远方CMS-2000测试长余辉发光材料的发射光谱,利用浙大三色的PR-305荧光余辉亮度测试仪.2结果与讨论图1为以上4个样品的发射光谱图•从图中可知,发射光谱中无Dy3♦离子的特征发射峰,只有El?*离子的特征宽带发射峰。而不掺杂Dy3*离子的2#样品激发峰位与其他掺杂D)严离子的激发峰位没有明显区别,但不掺杂Dy3+离子的2#样品的发射主峰强度明显高于其他摻杂Dy3♦离子的发射主峰强度,这说明,所掺杂的Dy3*离子在SrAl2O4体系中可改变Eu*离子周围的晶场状况,从而形响Ei?+离子激发状态.图2为4个样品的余辉衰减曲线.表2

8、列出相应样品的初始发光亮度和余辉时间.可以看出,不掺

当前文档最多预览五页,下载文档查看全文

此文档下载收益归作者所有

当前文档最多预览五页,下载文档查看全文
温馨提示:
1. 部分包含数学公式或PPT动画的文件,查看预览时可能会显示错乱或异常,文件下载后无此问题,请放心下载。
2. 本文档由用户上传,版权归属用户,天天文库负责整理代发布。如果您对本文档版权有争议请及时联系客服。
3. 下载前请仔细阅读文档内容,确认文档内容符合您的需求后进行下载,若出现内容与标题不符可向本站投诉处理。
4. 下载文档时可能由于网络波动等原因无法下载或下载错误,付费完成后未能成功下载的用户请联系客服处理。