电路与电子技术复习题

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1、电路与电子技术复习题第4章一、填空题1、在杂质半导体中，多数载流子的浓度主要取决于掺入的杂质浓度，而少数载流子的浓度则与温度有很大关系。2、当PN结外加正向电压时，扩散电流大于漂移电流，耗尽层变窄。当外加反向电压时，扩散电流小于漂移电流，耗尽层变宽。3、在N型半导体中，电子为多数载流子，空穴为少数载流子。4、三极管处在放大区时，其集电结电压小于零，发射结电压大于零。5、三极管的发射区杂质浓度很高，而基区很薄。6、在半导体中，温度变化时少数载流子的数量变化较大，而多数载流子的数量变化较小。7、三极管实现放大作用的内部条件是：发射区杂质浓度要远大于基区杂质浓度，同时基区厚度要很小；外部条件

2、是：发射结要正向偏置、集电结要反向偏置。8、工作在放大区的某三极管，如果当IB从12μA增大到22μA时，IC从1mA变为2mA，那么它的β约为100。9、三极管的三个工作区域分别是饱和区、放大区和截止区。10、双极型三极管是指它内部的参与导电载流子有两种。11、三极管工作在放大区时，它的发射结保持正向偏置，集电结保持反向偏置。12、某三极管处于放大状态，三个电极A、B、C的电位分别为-9V、-6V和-6.2V，则三极管的集电极是A，基极是C，发射极是B。该三极管属于PNP型，由锗半导体材料制成。二、判断题1、由于P型半导体中含有大量空穴载流子，N型半导体中含有大量电子载流子，所以P型

3、半导体带正电，N型半导体带负电。（×）2、扩散电流是由半导体的杂质浓度引起的，即杂质浓度大，扩散电流大；杂质浓度小，扩散电流小。（×）3、本征激发过程中，当激发与复合处于动态平衡时，两种作用相互抵消，激发与复合停止。（×）4、温度升高时，PN结的反向饱和电流将减小。（×）5、PN结加正向电压时，空间电荷区将变宽。（×）三、选择题1、二极管加正向电压时，其正向电流是由（a）。a.多数载流子扩散形成b.多数载流子漂移形成c.少数载流子漂移形成d.少数载流子扩散形成2、PN结反向偏置电压的数值增大，但小于击穿电压，（c）。a.其反向电流增大b.其反向电流减小c.其反向电流基本不变d.其正向电

4、流增大3、稳压二极管是利用PN结的（d）。a.单向导电性b.反偏截止特性c.电容特性d.反向击穿特性4、二极管的反向饱和电流在20℃时是5μA，温度每升高10℃，其反向饱和电流增大一倍，当温度为40℃时，反向饱和电流值为（c）。a.10μAb.15μAc.20μAd.40μA5、在单管固定偏置共射极放大电路中，若测得三极管的静态管压降UCE近似等于电源电压UCC时，则该管工作状态为：（B）。A．饱和B．截止　　C.放大D．不能确定四、分析计算题1、写出题图4.1所示各电路的输出电压值，设二极管均为理想二极管。解：VO1≈2V（二极管正向导通），VO2＝0（二极管反向截止），VO3≈－2

5、V（二极管正向导通），VO4≈2V（二极管反向截止），VO5≈2V（二极管正向导通），VO6≈－2V（二极管反向截止）。题图4.1(a)(c)(b)题图4.22、设题图4.2中的二极管均为理想的（正向可视为短路，反向可视为开路），试判断其中的二极管是导通还是截止，并求出、两端电压。解：题图4.2所示的电路图中，图（a）所示电路，二极管D导通，VAO=－6V，图（b）所示电路，二极管D1导通，D2截止，VAO=－0V，图（c）所示电路，二极管D1导通，D2截止，VAO=－0V。3、电路如题图4.3所示，已知vi＝6sinωt(v)，试画出vi与vo的波形，并标出幅值。设二极管为理想的。题

6、图4.35、判断三极管的工作状态和三极管的类型。1管：答：NPN管，工作在放大状态。2管：答：NPN管，工作在饱和状态。3管：答：NPN管，工作在截止状态。6、题图4.4所列三极管中哪些一定处在放大区？题图4.46V3VA6V2.3V2.3VC3V9.3V5.7VD5V0V1.9VB1.6V答：题图4.4所列三极管中，只有图（D）所示的三极管处在放大区。第5章一、填空题1、某放大电路在负载开路时的输出电压为5V，接入12kW的负载电阻后，输出电压降为2.5V，这说明放大电路的输出电阻为12kW。2、题图5.1所示的图解，画出了某单管共射放大电路中晶体管的输出特性和直流、交流负载线。由此

7、可以得出：（1）电源电压=6V；（2）静态集电极电流=1mA；集电极电压=3V；（3）集电极电阻=3kΩ；负载电阻=3kΩ；（4）晶体管的电流放大系数=50，进一步计算可得电压放大倍数=－50；（取200）；题图5.13、有两个放大倍数相同，输入电阻和输出电阻不同的放大电路A和B，对同一个具有内阻的信号源电压进行放大。在负载开路的条件下，测得A放大器的输出电压小，这说明A的输入电阻小。4、共集电极放大电路的输入电阻很大，输出电阻很小。5、放大电