2014华师电子电路基础在线作业

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1、1•第1题当PN结外加反向电压时，扩散电流（）漂移电流，耗尽层变宽。A.大于B.小于C.等于D.不确定您的答案：A题目分数：2.0此题得分：0.02.第2题影响放大器高频特性的原因是（）。A.极间耦合电容B.发射极旁路电容C.三极管结电容D.温度您的答案：c题目分数：2.0此题得分：2.03.第3题硅二极管的正向导通压降比错二极管的（）。A.大B..小C.相等D.无法判定您的答案：A题目分数：2.0此题得分：2.04•第4题在本征半导体中掺入3价元素就成为（）型半导体。A.P型半导体B.N型半导体C.PN结D.纯净半导体您的答案

2、：c题目分数：2.05.第5题测得某放大电路正常工作的晶体管三电极直流电位分别为12.2V、12V、0V,则三极管的三个电极分别是（）。A.(E、B、C)B.(C、B、E)C.(B、C、E)D.(B、E、C)您的答案：A题目分数：2.0此题得分：2.06.第6题测得NPN型三极管三个电极的电位分别为Uc=3.3V,Ub=3.7V,U卜:二3V,则该管工作在（）A.放大区B.截止区C.饱和区D.击穿区您的答案：c题目分数：2.0此题得分：2.07.第7题在放大电路中，测得三极管三个电极电位分别为3.2V、3V、6V,则该管属于（）

3、A.错NPN型B.错PNP型C.硅NPN型D.硅PNP型您的答案：A题目分数：2.0此题得分：2.05.第8题图不电路是（）电路。A.微分电路B.积分电路C.指数电路I）.对数电路您的答案：A题目分数：2.0此题得分：2.05.第9题在固定偏置放大电路中，当&、Rb的参数分别为（）时，该电路的静态工作点处在放大区。设三极管的B二100。A・5・6kQ、10kQB・5・6kQ、510kQC・5・6kQ、10MQD.lOOkQ、1MQ您的答案：b题目分数：2.0此题得分：2.010.第10题错二极管的死区电压是（）。A.0.TO.2

4、VB.0.5VC.0.7VD.0.6V您的答案：A题目分数：2.011・第11题在杂质半导体中，多数载流子的浓度取决于（）A.晶体缺陷B.温度C.杂质浓度D.掺杂工艺您的答案：c题目分数：2.0此题得分：2.012.第12题N型半导体可以在纯净半导体中掺入（）价元素实现。A.3B.4C.5D.6您的答案：c题目分数：2.0此题得分：2.013.第13题测得三极管发射结正偏，集电结反偏，此时该三极管处于（）A.放犬状态B.截止状态C.饱和状态D.击穿状态您的答案：c题冃分数：2.0此题得分：0.014.第14题测某放大电路中三极管

5、各极电位分别是0V、-6V、0.2V,则三极管的三个电极分别是（A.（E、C、B）B.（C、B、E）C.（B、C、E）D.（B、E、C）您的答案：c题H分数：2.0此题得分：2.015.第15题影响多级放大器低频特性的原因是（）。A・极间耦合电容A.三极管放大倍数B.三极管结电容C.温度您的答案：A题目分数：2.0此题得分：2.016.第16题在放大电路中测得三极管三个电极的电位分别为6V、11.8V、12V,则这只三极管属于（）A.硅PNP型B.硅NPN型C.错PNP型D.错NPN型您的答案：c题冃分数：2.0此题得分：2.0

6、17.第17题PN结具有（）导电特性。A.双向B.单向C.不确定您的答案：B题目分数：2.0此题得分：2.018.第18题基木微分电路的电容器接在运放电路的（）。A.反向输入端B.同向输入端C.反向端与输出端之间D.输出端您的答案：c题目分数：2.0此题得分：2.019.第19题当叮结外加正向电压吋，扩散电流（）漂移电流，耗尽层变窄。A.大于B.小于C.等于D.不确定您的答案：A题目分数：2.0此题得分：2.020.第20题半导体中的少数载流子产生的原因是（）A.外电场B.内电场C.掺杂D.热激发您的答案：D题目分数：2.0此题

7、得分：2.021.第21题测得放大电路中某三极管各极电位分别是2V、6V、2.7V,则三极管的三个电极分别是（）。A.（B、C、E）B.（C、B、E）C.（E、C、B）D.（B、E、C）您的答案：B题H分数：2.0此题得分：0.022.第22题PXP型晶体管工作在放大区时，三个电极直流电位关系为（）A.UC

8、B.硅NPN型C.错PNP型D.错NPN型您的答案：A题目分数：2.0此题得分：2.024.第24题）级间静态工作点会影响。在放大电路的耦合方式中,A.变压器耦合B.直接耦合A.阻容耦合B.光电耦合您的答案：B题目分数：2.0此题得分：2.025.第25题二极管