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时间:2019-01-12
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1、恒电流法制备ZnO薄膜及其光学性能研究 摘要:本文开发了一个新的综合实验,采用恒电流法制备了ZnO薄膜,利用X射线衍射分析了ZnO薄膜的晶粒尺寸等结构特征,紫外―可见光区的透过率分析ZnO薄膜的光学带隙,研究了Zn(NO3)2反应物浓度对ZnO薄膜的影响,探讨了将其用于学生实验的可行性。 关键词:ZnO薄膜;恒电流法;X射线衍射;光学带隙 中图分类号:G642.0文献标志码:A文章编号:1674-9324(2015)43-0250-02 一、引言 ZnO薄膜的制备方法较多,有溅射法、电化学沉
2、积法、化学气相沉积法、喷雾热分解法和溶胶-凝胶法等。其中电化学沉积技术具有反应温度低、薄膜厚度和形貌可控、沉积速率高、设备廉价、环境友好等优点,因此本文采取恒电流法制备ZnO薄膜。 二、实验 实验采用三电极恒电流方式,ITO为工作电极,Pt为辅助电极,甘汞电极为参比电极。电解液为去离子水配置的Zn(NO3)2溶液,加入KNO3来调节电解液pH调成5.0±0.1,利用恒温水浴对电解液加热至65℃。沉积前ITO衬底先用丙酮超声两次,然后再用无水乙醇和去离子水清洗干净。 总的反应方程式如下: Zn2
3、++NO3-+2e―→ZnO+NO2-(1)4 ZnO薄膜样品在500℃空气气氛的管式石英炉中退火1h。待样品冷却后,用去离子水进行清洗之后,对ZnO薄膜样品进行烘干。采用X-射线衍射仪(D8FOCUS)对所得薄膜进行相分析,采用紫外―可见光分光光度计测量薄膜的透射光谱。 三、结果与讨论 (一)Zn2+浓度对薄膜结构的影响 在沉积电流密度为0.7875mA?cm-2,溶液PH值为5,沉积温度为65℃,沉积时间为15min,Zn(NO3)2浓度分别为0.06mol/L,0.08mol/L和0.1
4、2mol/L时,得到ZnO薄膜的XRD谱。从图1可以看出通过与PDF卡片79-0208的ZnO的XRD标准谱比较,XRD图谱分别在31.4、36.1、47.2和56.2处出现明显的衍射峰,分别对应ZnO的(100)、(101)、(102)和(110)晶面,其余衍射峰为衬底ITO玻璃的峰,说明除ZnO外没有其他物相生成。 薄膜在不同硝酸锌浓度下呈现不同的结晶特征。由于Zn2+在不仅仅是反应物,还具有自催化作用,所以当Zn2+浓度较小时,阴极反应较慢,进而导致ZnO生成速率也较慢,衍射峰强度小。随着Zn
5、2+浓度的增加,电解液的导电能力提高,结晶提高,衍射峰强度增加。然而Zn2+浓度过大时,阴极极化作用降低,晶核形成速度降低,衍射峰强度下降。 (二)Zn2+浓度对薄膜透光性能的影响 图2为在沉积电流密度为0.7875mA?cm-2,溶液PH值为5,沉积温度为60℃4,沉积时间为15min,Zn(NO3)2浓度分别为0.06mol/L、0.08mol/L和0.12mol/L时,得到ZnO薄膜的透射谱,可见在本实验条件下所获得的ZnO薄膜在可见光区的光学透过率高于70%。在Zn(NO3)2浓度为0.0
6、8mol/L条件下沉积出的ZnO薄膜的透光性要高于其他浓度。Yamamoto等人[6]曾指出,ZnO薄膜的透光性与其表面的粗糙度和缺陷等密切相关。结合XRD结果,0.08mol/L条件下沉积出的ZnO薄膜的衍射峰强最高,结晶质量最好,故其透过性最好。 (三)ZnO薄膜的粒径分析 通过XRD结果可获得样品的晶体结构和晶粒大小等方面的信息,可以由数据处理软件得到衍射峰位置、半高宽等数据,根据Scherrer公式可以计算出样品的晶粒尺寸[7]: D=0.9λ/Bcosθ(2) 其中λ为入射X射线的波
7、长,B为最大衍射峰的半高宽(单位:rad),θ为相应的衍射角。可以得出Zn(NO3)2浓度为0.08mol/L条件下沉积出的ZnO薄膜的晶粒尺寸小于其他浓度条件。这与X射线衍射结果和透光率结果一致。 (四)ZnO薄膜的禁带宽度计算 根据半导体的能带理论,直接带隙半导体材料的吸收系数与光学带隙满足Tauc公式[8]: αhν=A(hν-Eg)1/2(3) 式中:α为吸收系数;hν为光子能量;A为常数;Eg为带隙宽度。 四、结论与建议4 本文采用恒电流法沉积ZnO薄膜,XRD与紫外可见分光光度
8、计结果分析表明所得ZnO薄膜粒径为20~40nm,光学带隙在3.3~3.4ev之间。讨论了Zn2+浓度对ZnO薄膜的结构与性能的影响,Zn(NO3)2浓度为0.08mol/L条件下沉积出的ZnO薄膜的结晶性好,平均透光率最高。 本实验综合了电化学方法合成、XRD分析和性能检测,简便可行,实验可以分组进行,每组3人,每人负责一个样品的制备和分析,实验结束后每组进行总结讨论,写出完整的实验报告。且实验中电流密度、电极电位、温度、溶液组成、pH值、反应时间等
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