4、饱和失真,为消除此失题19图题12图真应采取的措施是(C)A.增大RLB.增大RCC.增大RBD.减小RB题21图13.电路如题21图所示,设二极管为理想组件,其正向导通压降为0V,则电路中电流I的值为( A )。A.4mAB.0mAC.4AD.3mA题22图14.固定偏置单管交流放大电路的静态工作点Q如题22图所示,当温度升高时,工作点Q将( B )。A.不改变B.向Q′移动C.向Q″移动D.时而向Q′移动,时而向Q″移动题24图15.电路如题24图所示,设二极管为理想组件,其正向导通压降为0V,则电路中电流I的值为(B)。A.1mAB.0mAC.1AD.3mA题25图16.某固定偏置
5、单管放大电路的静态工作点Q如题25图所示,欲使静态工作点移至Q′需使(D)。学习参考资料分享WORD格式整理A.偏置电阻RB增加B.集电极电阻Rc减小C.集电极电阻Rc增加D.偏置电阻RB减小17.半导体三极管是一种( C )A.电压控制电压的器件B.电压控制电流的器件C.电流控制电流的器件D.电流控制电压的器件18.题28图示放大电路中,电容CE断开后电路的电压放大倍数的大小将( A )A.减小B.增大C.忽大忽小D.保持不变19.电路如题29图所示,二极管D1,D2,D3均为理想组件,则输出电压uo( A )题29图A.0VB.-6VC.-18VD.+12V题28图20.三极管处于放
6、大状态时( B )A.发射结反偏,集电结正偏B.发射结正偏,集电结反偏C.发射结与集电结均正偏D.发射结与集电结均反偏题31图21.题31图所示电路中,已知VCC=12V,RC=3kΩ,晶体管β=50,且忽略UBE,若要使静态时UCE=6V,则RB应取(B)A.200kΩB.300kΩC.360kΩD.600kΩ二、填空题1.N型半导体中自由电子是多数载流子,空穴是少数载流子。2.二极管最重要的特性是单向导电性。3.给半导体PN结加正向电压时,电源的正极应接半导体的__P__区,电源的负极通过电阻接半导体的N区。4.半导体三极管具有放大作用的外部条件是发射结正向偏置,集电结反向偏置。5.