射频电路中的cmos lna设计方法与性能提高方法研究

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1、射频电路中的CMOSLNA设计方法与性能提高方法研究  【摘要】本文对RF电路中的LNA的CMOS设计方案进行研究,并对各种性能(如噪声匹配能力、线性度、阻抗匹配等)的提高方法进行研究总结,例如可以通过两级放大等方法提高线性度以及噪声匹配能力,最后介绍了Ghz的LNA静电保护设计方案,可使LNA的性能更加出色。  【关键词】CMOS;LNA;设计方法;SOC;ESD  1.引言  LNA是接受路径中的第一个增益级,所以它对于噪声、线性度、阻抗匹配、带宽等参数有着更加严格的要求,例如,在外差结构中,L

2、NA的典型参数值为:2dBNF、-10dBmIIP3、50ohm输入输出阻抗、15dB增益、-15dB输入输出返回损耗、稳定性因子>1、20dB逆向隔离[1]。MOSFET器件在亚微米技术中,通过对器件和偏置电流的合理组合,可使噪声降到一个令人满意的大小,所以,随着MOSFET器件性能的提升,LNA器件也获益良多,取得了长足的发展。因此,对CMOS器件构成LNA的方法研究是非常必要的。  本文即是通过对各种具体方法的介绍,使我们对整体的LNA设计方法有一个明确的认识,并对以后各种问题的解决提供更多的

3、方法。  2.CMOSLNARF的整体设计方法  前文已经介绍了LNA的典型参数值:5  噪声系数:  (1)  输入发射系数:  (2)  式中,rN为噪声等效电阻,Sij为双端口网络的散射系数,Γopt源反射系数的值,Γ1即对应着噪声系数最小值Fmin。  所以,为了减小噪声系数,首先要获得小的Fmin和低的rN,其次要减小Γopt,最后可以通过π型阻抗匹配网络实现源的阻抗匹配,从而可以使用片上电感。  图1是一个具体的设计实例(仅考虑NMOS的情况)。节点1为输入,节点2为输出,节点3处通过电

4、感接地。输出接理想1H电感。可以通过调整M1、M2的宽长比来实现Fmin与rN的最小化。  反馈补偿电感L2的作用是修正网络的输入阻抗,使ΓE的共轭更加接近Γopt。  图2中沟道最佳宽度在40-160?m之间,考虑到rN可以降低源阻抗的敏感度,所以,可以最佳沟道宽度为120?m[2]。  3.性能提高方案  3.1采用两级放大来提高性能5  这是一个比较老但却实用的办法,第一级放大通过控制偏置条件和器件尺寸来减小噪声,这是因为第一级放大的噪声在全部噪声中影响最大,后一级主要用于调整线性度[3]。关

5、于减小噪声,上文已有比较详细的描述,此处不再重复。线性度,主要通过三阶交调点IIP3来表示。由式(3)可以看出,三阶交调点主要是受最后一级的影响。  (3)  通过这种方式,我们就可以把噪声和线性度分开调整,减小彼此之间的冲突,更好的提高性能指标。  3.2片上系统  把NMOS开关、前置放大、混频器等各个模块都集中到一个芯片上面,不仅仅是对LNA性能的大幅提升,甚至对于整个RF芯片来说,在集成度、带宽等各种性能上都有非常大飞跃,SOC将是比较主流的发展方向之一。  目前,已有很多系统采用SOC的方

6、式来实现射频电路的设计,以一个5GHz的雷达系统为例,把NMOS开关、前置放大、上混频器、电压控制振荡器等模块全部集中在了基于0.13?m工艺的CMOS芯片上,带宽达到20Ghz,在线性度、输入反射系数、噪声、稳定性因子等各个性能指标均达到较好水平[4]。  图3是一个典型的片上系统的LNA部分示意图,M1-M4主要是实现阻抗匹配,M5、M6作为电流源提供恒定电流,通过NMOSM1、M2和PMOSM3、M4和负载可以减小噪声,后面部分作为负载,实现阻抗匹配,把电阻调整至50ohm。  3.3静电保护

7、阻抗隔离设计  静电保护电路会使射频LNA电路的增益下降、噪声增加,所以,在这里介绍一种阻抗隔离技术,可以减少保护电路的有害影响。5  电路的增益下降、噪声增加主要是由于ESD部分对输入端口网络的寄生电阻和寄生电容引起的,所以用LC谐振回路将ESD部分和电路隔开,可以有效的缓解寄生效应,从而提高电路的性能,如图4中的L1、C1和L2、C2网络,通过Dp1(Dn1)进行正向导通放电,以及MNESD部分的保护作用,可以对静电保护电路进行有效的保护,防止电压击穿等损害的发生[5]。  4.结束语  本文着

8、眼于用CMOS来实现射频电路中的LNA部分的设计。一开始先综述答题的设计方法,并对LNA电路的性能指标进行介绍。然后,又介绍三种实用的设计方法,对LNA电路进行改进。当然,在设计中,我们要清楚设计电路的最主要的性能参数是什么,并努力的去实现完成。采用上述的设计方法,可以尽可能的提高电路的效率和性能。  参考文献  [1]BehzadRazavi著,余志平,周润德,译.射频微电子[M].清华大学出版社,2006:131-142.  [2]M.Egels,J.Gauber

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