半导体与金属氧化膜的电化学

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1、[GeneralInformation]书名=半导体与金属氧化膜的电化学作者=页数=420SS号=10531588出版日期=封面书名版权前言目录目录第一章固体与溶液§1.1固体§1.1.1施主、受主和陷阱§1.1.2表面能级§1.1.3固体的电导§1.2溶液§1.2.1引言§1.2.2电极Fermi能量与溶液中氧化还原电对的关系§1.2.3能量的氢标度与真空标度的关系§1.2.4溶液中的波动能级§1.2.5双电子反应物质的能级§1.2.6液体的电导第二章固／液界面§2.1表面上的离子及其能级§2.1.1吸附§2.1.2固／液界面上的表面态§2.2固／液界面上的双电层

2、§2.2.1概述§2.2.2Gouy层§2.2.3Helmho1tz双层§2.2.4半导体的空间电荷双层§2.3能带边缘能级的理论预示§2.4固体／溶液界面的能带模型第三章载流子传递理论§3.1引言§3.1.1一般概念§3.1.2电极反应的活化能§3.2经典模型§3.3电荷传递的能级模型§3.3.1概述§3.3.2金属电极§3.3.3半导体电极§3.4用能带模型定性描述电极过程§3.4.1金属电极的行为§3.4.2半导体电极的行为§3.4.3半导体行为与金属行为之间的过渡第四章测量方法§4.1电容的测定§4.1.1引言§4.1.2测量理论§4.1.3电容测定值的解释

3、§4.1.4复杂的Mott-Schottky图§4.1.5能带边缘的确定§4.2电流－电压曲线的测定§4.2.1一般方法：伏安法§4.2.2旋转电极§4.2.3光照§4.3其他方法§4.3.1测定V8的方法§4.3.2确定表面品种或表面相的方法§4.3.3研究电极反应的方法第五章电极的性质及其对电化学测定的影响§5.1完整晶体的行为§5.1.1Helmholtz双层：电极上的表面电荷§5.1.2完整晶体的空间电荷区§5.2电极中缺陷的行为§5.2.1引言§5.2.2体内缺陷引起的Mott-Schottky图的偏离§5.2.3同体内缺陷有关的电流§5.3各种半导体的平

4、带电位观测值第六章惰性半导体电极上电荷传递的实验结果§6.1引言§6.2多数载流子的俘获§6.2.1载流子向溶液中离子的直接传递§6.2.2电子向溶液中离子的间接传递§6.3少数载流子俘获§6.3.1少数载流子被双电子反应物质俘获：自由基的形成与电流加倍效应§6.3.2少数载流子被单电子反应物质俘获§6.3.3光催化§6.4本征表面态与复合中心§6.4.1本征表面态作为载流子传递中心§6.4.2本征表面态和溶液中离子作为复合中心§6.5载流子的注入§6.5.1电子和空穴的直接注入§6.5.2按隧道作用机理进行的注入§6.5.3光激发离子的注入：染料注入§6.6高电流

5、、高电压过程§6.6.1引言§6.6.2富集层条件下的高电流§6.6.3非过渡金属化合物半导体上的隧道作用与击穿§6.6.4实际电极§6.7半导体电化学在分析复杂电极反应中的应用§6.7.1甲酸的光催化氧化§6.7.2双电子反应物质的能级分析§6.7.3碘在CdS上的还原第七章电极反应中的化学转变§7.1引言§7.2惰性电极上发生氧化还原反应时的内界变化§7.3电极上的吸附与电极内的吸收§7.3.1水、氢和氧的吸附§7.3.2电解质离子的吸附§7.3.3沉积物的作用§7.3.4杂质和缺陷向电极内的运动§7.4腐蚀§7.4.1引言§7.4.2半导体腐蚀的理论与实验结果

6、§7.4.3防止光腐蚀的稳定剂第八章有覆盖层的电极§8.1引言§8.1.1氧化膜的能带模型§8.1.2薄膜§8.1.3厚膜的结构§8.2穿过氧化膜的电流传输§8.2.1薄氧化层§8.2.2通过厚粘附层的电子导电模型§8.2.3金属电极上的半导电氧化层§8.2.4金属上和半导体电极上的绝缘层§8.3反应产物在半导体电极上的沉积第九章半导体电极的应用§9.1太阳能转换§9.1.1引言§9.1.2光伏电池§9.1.3光－化学能转换§9.1.4PEC电池的腐蚀§9.1.5PEC太阳电池的前景§9.2半导体上的电催化§9.2.1概述§9.2.2电催化中的表面态添加剂和窄能带§

7、9.3新装置§9.4半导体的电抛光参考文献评论性文章与书籍符号表