光电技术考试试卷

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1、word格式精心整理版  1、当物质中的电子吸收足够高的光子能量，电子将逸出物质表面成为真空中的自由电子，这种现象称为（B）P20    A、内光电效应    B、外光电效应    C、光磁电效应    D、光子牵引效应  2、已知某种光电器件的本征吸收长波限为1.4um，则该材料的禁带宽度为（A）    A、0.886eV    B、1eV    C、2eV    D、1.3eV  3、电磁波谱中可见光的波长范围为(A)    A、0.38~0.78um    B、0.38~1um    C、1~3um    D

2、、8~12um  判断题(每题10分,共5题)4、光通量的单位是坎德拉(×)    正确    不正确 5、黑体的发射率是一个小于1的常数。(×)    正确    不正确  6、当热辐射发射的总辐通量与黑体的总辐通量相等时，以黑体的温度标度该热辐射体的温度，这种温度称为色温。（×）P11    正确    不正确  7、发生本征吸收的条件是光子能量必须大于半导体的禁带宽度。（A）P19    正确    不正确范文范例学习指导word格式精心整理版  8、被光激发所产生的载流子（自由电子或空穴）仍在物质内部运动，

3、使物质的电导率发生变化或产生光生伏特的现象，称为内光电效应。（A）    正确    不正确9、光敏电阻的主要作用是（D）    A、光电探测    B、红外探测    C、光电开关    D、光电探测与控制  10、以下选项中哪个不是光敏电阻的主要噪声（D）    A、热噪声    B、产生复合噪声    C、低频噪声    D、散粒噪声 11、对于同一种型号的光敏电阻来讲，在不同的光照度和不同环境温度下，其光电导灵敏度与时间常数（），如果照度相同而温度不同时，二者（B）    A、相同，不同    B、不同，不

4、同    C、不同，相同    D、相同，相同12、本征光电导器件在越微弱的辐射作用下，时间响应越（），灵敏度越（A）    A、长，高    B、长，低    C、短，高    D、短，低 13、光敏电阻是（）器件，属于（D）    A、光电导器件，外光电效应    B、光电发射器件，外光电效应    C、光生伏特器件，内光电效应    D、光电导器件，内光电效应  判断题(每题10分,共5题)范文范例学习指导word格式精心整理版 14、光敏电阻的前列效应是由于被光照过后所产生的光生电子与空穴的复合需要很长的时

5、间，而且，随着复合的进行，光生电子与空穴的浓度与复合几率不断减小，使得光敏电阻恢复被照前的阻值需要很长时间这一特性的描述。(B)    正确    不正确 15、光敏电阻的阻值与环境温度有关，温度升高光敏电阻的阻值也随之升高。(B)（热敏电阻也是温度升高，阻值降低）    正确    不正确 16、光敏电阻的恒压偏置电路比恒流偏置电路的电压灵敏度要高一些。(B)    正确    不正确  17、在测量某光电导器件的值时，背景光照越强，其值越小。(A)    正确    不正确  18、光电导器件在方波辐射的作用下

6、，其上升时间大于下降时间。(B)    正确    不正确 19、用光电法测量某高速转轴的转速时，最好选用（D）为光电接收器件。    A、PMT    B、CdS光敏电阻    C、2CR42硅光电池    D、3DU型光电三极管  20、（A）电路的特点是光生伏特器件在自偏置电路中具有输出功率，且当负载电阻为最佳负载时具有最大的输出功率。    A、自偏置    B、恒流    C、零伏偏置    D、反向偏置  21、PN结型硅光电二极管的最高工作频率小于等于（C）？P12    A、范文范例学习指导word

7、格式精心整理版1GHz    B、100MHz    C、10MHz    D、1MHz  22、（B）的灵敏度最高。P72    A、光电二极管    B、光敏电阻    C、光电三极管    D、硅光电池  23、硅光电池的主要作用是（）。    A、光电探测    B、红外探测    C、光电开关    D、光电探测与开关  判断题(每题10分,共5题)  24、PIN型光电二极管不仅提高了PN结光电二极管的时间响应，还能提高器件的光电灵敏度。(B)    正确    不正确 25、硅光电池是一种需要加偏置电

8、压才能把光能转换成电能的PN结光电器件。(B)P50    正确    不正确  26、要产生光电效应，光电二极管必须工作在0.7V以上。(×)    正确    不正确  27、以GaAs为材料制造出的光生伏特器件目前应用最广泛。（×）P52    正确    不正确  28、越远离PSD几何中心位置的光点，其位置检测误差越小。(×)P66    正确