真空镀膜设备可行性研究报告

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1、真空镀膜设备可行性研究报告一、项目实施背景薄膜是-•种物质形态，它所使用的膜材料非常广泛，可以是单质元素或化合物，也可以是无机材料或有机材料。薄膜与块状物质一样,可以是单晶态的，多晶态的或非晶态的。近年来功能材料薄膜和复合薄膜也有很大发展。镀膜技术及薄膜产品在工业上的应用非常广泛，尤其是在电子材料与元器件工业领域中占有及其重要的地位。镀膜方法可以分为气相生成法，氧化法，离子注入法，扩散法，电镀法，涂布法，液相生长法等。气相生成法又可分为物理气相沉积法，化学气相沉积法和放电聚合法等。它们都要求淀积薄膜的空间要有一定的真空度。所以，真空技术是薄膜制作技术的基础，获得并保

2、持所需的真空环境，是镀膜的必要条件。其中，化学气相沉积镀膜技术即为PECVD真空镀膜技术。PECVD是利用高频电源辉光放电产生等离子体进行化学气相沉积的过程。其特点是电子密度高、电子平均能量大，富含大量化学气相沉积的活性粒子和自由基，并且沉积温度低。在采用S1H4和NH3作为源气体沉积SiNx薄膜的过程中，由于大量氢原子的存在，使所生成的薄膜除了具有减反射性能外，兼具有良好的表面和体钝化性能，这是因为在离子的轰击下，氢原子更容易扩散进入薄膜体内，从而提高膜的体钝化效果。不仅如此，PECVD等离子体中由于含有高密度的离子，这些具有一定动能的离子对沉积的减反射钝化膜进行

3、轰击，还会提高膜的质密性和应力。PECVD的一个基本特征是和实现了薄膜沉积工艺的低温化，因此带来的好处是：O节省能源，降低成本◊提高产能◊减少高温导致的基片寿命衰减。正是以上特性，PECVD真空镀膜设备被广泛应用于光伏产业、半导体和相关的微电子行业。1、PECVD设备与半导体上世纪70年代初发展起来的PECVD最早是为了适应现代半导体工业的发展，制取优质介质膜。现代科技对半导体器件的可靠性和稳定性要求越来越高，为了防止器件制造过程中的表面玷污，必须进行表面钝化。用PECVD法制备的钝化膜的沉积实在低温下（200〜400°C）进行的，钝化效果好，失效时间长，具有良好的

4、热学和化学稳定性。2、PECVD设备与TFT-LCD80年代末，PECVD技术开始应用于TFT-LCD产业在TET-LCD领域应用最广的是RF-PECVD系统。PECVD在低温、大面积镀膜方向上具备其他CVD镀膜无可比拟的优势，进一步推进了平板显示业的发展和更新、基板尺寸更大的生产线被制造出来。从1世代的in-line生产线、batch-type生产线，到目前已投入运营的8世代Cluster生产线，以及正在研制的更高世代的生产线都在广泛应用PECVD设备。3、PECVD设备与多晶硅太阳能电池PECVD设备是整条太阳能电池生产线的核心设备之一PECVD技术在光伏电池上

5、的广泛应用，主要基于以下两种作用：(1)减少太阳能电池晶体硅表面对可见光的反射为了降低晶体硅太阳电池的效率，通常需要减少太阳电池止表面的反射，还需要对晶体硅表面进行钝化处理，以降低表面缺陷对于少数载流子的复合作用。硅的折射率为3.8,如果宜接将光滑的硅表面放置在折射率为1・0的空气中，其对光的反射率可达到30%左右。人们使用表面的织构化降低了一部分反射，但是还是很难将反射率降得很低，尤其是对多晶硅，使用各向同性的酸腐蚀液，如果腐蚀过深，会影响到PN结的漏电流，因此其对表面反射降低的效果不明显。因此，考虑在硅表面与空气之间插•层折射率适中的透光介质膜，以降低表面的反射

6、，在工业化应用中，SiNx膜被选择作为硅表血的减反射膜，SiNx膜的折射率随着X值的不同，可以从1.9变到2.3左右，这样比较适合于在3.8的硅和1.0的空气屮进行可见光的减反射设计，是一种较为优良的减反射膜。(2)对晶体硅表面的钝化作用另一方血，硅表面有很多悬挂键，对于N型发射区的非平衡载流了具有很强的吸引力，使得少数载流了发生复合作用，从而减少电流。因此需要使用一些原子或分子将这些表面的悬挂键饱和。实验发现，含氢的SiNx膜对于硅表面具有很强的钝化作用，减少了表面不饱和的悬挂键，减少了表面能级。由于PECVD设备淀积的氮化硅薄膜，同时起到减反射膜和钝化的作用，可

7、以极大地提高电池片转换效率，降低生产成木，是太阳能生产线中最为重要的设备之一。二.项目建设规模及主要内容（一）项目建设规模依据规划要求，本项目拟占地（约****亩），其中建构筑物占地面积为****nf，总建筑面积为****m2o主要建构筑物包括：生产厂房****座、仓库****座、综合楼****栋及其它配套设施。项目预计总投资****万元，其中建设投资****万元（包括基础工程建设投资和和万元和设备购置及安装投资和**万元），流动资金****万元。项目建设资金来源全部自筹。项目分二期建设，建设周期为****个月，自****年****月至****年****月。其中