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1、电磁炉是一种利用电磁感应原理将电能转换为热能的厨房电器。在电磁灶内部，由整流电路将50/60HZ的交流电压变成直流电压，再经过控制电路将直流电压转换成频率为20-40KHZ的高频电压，高速变化的电流流过线圈会产生高速变化的磁场，当磁场内的磁力线通过金属器血（导磁又导电材料）底部金属体内产生无数的小涡流，使器皿本身口行高速发热，然后再加热器皿内的东西。二、电磁炉电路工作原理分析2.1常用元器件简介2.1.1LM339集成电路LM339内置四个翻转电压为6niV的电压比较器，当电压比较器输入端电压正向时（+输入端电压
2、高于-入输端电压）,置于LM339内部控制输出端的三极管截止，此时输出端相当于开路；当电压比较器输入端电压反向时（-输入端电压高于+输入端电压）,置于LM339内部控制输出端的三极管导通，将比较器外部接入输出端的电压拉低，此时输出端为0V。2.1.2IGBT电磁炉是一种利用电磁感应原理将电能转换为热能的厨房电器。在电磁灶内部，由整流电路将50/60HZ的交流电压变成直流电压，再经过控制电路将直流电压转换成频率为20-40KHZ的高频电压，高速变化的电流流过线圈会产生高速变化的磁场，当磁场内的磁力线通过金属器血（导
3、磁又导电材料）底部金属体内产生无数的小涡流，使器皿本身口行高速发热，然后再加热器皿内的东西。二、电磁炉电路工作原理分析2.1常用元器件简介2.1.1LM339集成电路LM339内置四个翻转电压为6niV的电压比较器，当电压比较器输入端电压正向时（+输入端电压高于-入输端电压）,置于LM339内部控制输出端的三极管截止，此时输出端相当于开路；当电压比较器输入端电压反向时（-输入端电压高于+输入端电压）,置于LM339内部控制输出端的三极管导通，将比较器外部接入输出端的电压拉低，此时输出端为0V。2.1.2IGBTT
4、O-2G4绝缘双栅极晶体管(IusulatedGateBipolarTransistor)简称IGBT,是一种集BJT的大电流密度和MOSFET等电压激励场控型器件优点于一体的高压、高速人功率器件。目前有用不同材料及工艺制作的IGBT,但它们均可被看作是一个MOSFET输入跟随一个双极型晶体管放大的复合结构。IGBT有三个电极(见上图)，分别称为栅极G(也叫控制极或门极)、集电极C(亦称漏极)及发射极E(也称源极)。从IGBT的下述特点中可看出，它克服了功率MOSFET的一个致命缺陷，就是于高压大电流工作时，导通
5、电阻大，器件发热严重，输出效率下降。IGBT的特点:1.电流密度大，是MOSFET的数十倍。2.输入阻抗高，栅驱动功率极小，驱动电路简单。3.低导通电阻。在给定芯片尺寸和BVceo下,其导通电阻Rce(on)不大于MOSFETWRds(on)的10%o4.击穿电压高，安全工作区大，在瞬态功率较高时不会受损坏。5.开关速度快，关断时间短，耐压lkV~l.8kV的约1.2us、600V级的约0.2us,约为GTR的10%,接近于功率MOSFET,开关频率宜达lOOKHz,开关损耗仅为GTR的30%oIGBT将场控型器
6、件的优点与GTR的大电流低导通电阻特性集于一体，是极佳的高速高压半导体功率器件。目前458系列因应不同机种采了不同规格的IGBT,它们的参数如下：(1)SGW25N120——西门子公司出品，耐压1200V,电流容量25°C时46A,100°C时25A,内部不带阻尼二极管，所以应用时须配套6A/1200V以上的快速恢复二极管(D11)使用，该IGBT配套10A/1200/1500V以上的快速恢复二极管(D11)后可代用SKW25N120。(2)SKW25N120——西门子公司出品，耐压1200V,电流容量25°C时
7、46A,100°C时25A,内部带阻尼二极管,该IGBTnJ"代用SGW25N120,代用吋将原配套SGW25N120的D11快速恢复二极管拆除不装。(3)GT40Q321——东芝公司出品,耐压1200V,电流容量25°C时42A,100°C时23A,内部带阻尼二极管，该TGBTnJ代用SGW25N120、SKW25N120,代用SGW25N120时请将原配套该IGBT的D11快速恢复二极管拆除不装。(4)GT40T101——东芝公司出品，耐压1500V,电流容量25°C时80A,100°C时40A,内部不带阻尼
8、二极管，所以应用时须配套15A/1500V以上的快速恢复二极管(D11)使用，该IGBT配套6A/1200V以上的快速恢复二极管(D11)后可代用SGW25N120、SKW25N120、GT40Q321,配套15A/1500V以上的快速恢复二极管(D11)后可代用GT40T3010(1)GT40T301——东芝公司出品,耐压1500V,电流容量25°C时80A,100°C
