3高考物理二轮专题训练9-3电磁感应中的综合应用(含解析)

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1、9-3电磁感应中的综合应用一、选择题1.(2012·山东济宁)如图所示,两足够长平行金属导轨固定在水平面上,匀强磁场方向垂直导轨平面向下,金属棒ab、cd与导轨构成闭合回路且都可沿导轨无摩擦滑动。两金属棒ab、cd的质量之比为2∶1。用一沿导轨方向的恒力F水平向右拉金属棒cd,经过足够长时间以后(  )A.金属棒ab、cd都做匀速运动B.金属棒ab上的电流方向由b向aC.金属棒cd所受安培力的大小等于2F/3D.两金属棒间距离保持不变[答案] BC[解析] 对两金属棒ab、cd进行受力和运动分析可知,两金属棒最终做加速度相同的匀加速直线运动,且ab棒速度小于cd棒

2、速度,所以两金属棒间距离是变大的,由楞次定律判断金属棒ab上的电流方向由b到a,选项A、D错误,B正确;以两金属棒整体为研究对象有:F=3ma,隔离cd金属棒分析:F-F安=ma,可求得金属棒cd所受安培力的大小F安=F,选项C正确。2.(2012·北京宣武)如图所示,竖直光滑的墙面上有一闭合导线框,在导线框的下方有一面积比导线框稍小的磁场区域。导线框从图示位置自由下落,在其整个下落过程中,下列说法正确的是(  )A.导线框做自由落体运动B.导线框通过磁场区域后做曲线运动C.导线框通过磁场区域时机械能减少D.导线框在穿过磁场区域时,下面的导线受到的磁场力向上,上面

3、的导线受到的磁场力向下[答案] C[解析] 导线框通过磁场区域时,根据安培定则和左手定则知,导线框要受到竖直向上的安培力作用,导线框既不能做自由落体运动,也不能做曲线运动,A、B错误;导线框通过磁场区域时要克服安培力做功,机械能减少,C正确。根据楞次定律,导线框在穿过磁场区域时,上下两个导线受到的安培力方向都向上,D错误。3.(2012·浙江杭州)如图所示,两根平行的光滑长直金属导轨,其电阻不计,导体棒ab、cd跨在导轨上,ab的电阻R大于cd的电阻r,当cd在大小为F1的外力作用下匀速向右滑动时,ab在大小为F2的外力作用下保持静止,那么以下说法中正确的是(  

4、)A.Uab>Ucd,F1>F2     B.Uab=Ucd,F1Ucd,F1=F2D.Uab=Ucd,F1=F2[答案] D[解析] cd导体棒在F1的作用下,做切割磁感线运动,成为电源。Ucd即电源的端电压,Uab成为电路外电阻上的分压,等效电路图如图所示。由于导轨的电阻不计,Uab=Ucd。另外,由于cd棒与ab棒中电流大小相等,导体棒有效长度相同,所处磁场相同,故两棒分别受到的安培力大小相等、方向相反。ab、cd两棒均为平衡态,故分别受到的外力F1、F2与两个安培力平衡,即有:F1=F2,应选D。4.(2012·山东潍坊一模)如图所示,水

5、平地面上方矩形虚线区域内有垂直纸面向里的匀强磁场,两个闭合线圈Ⅰ和Ⅱ分别用同种的导线绕制而成,其中Ⅰ是边长为L的正方形,Ⅱ是长2L、宽L的矩形,将两线圈从图示位置同时由静止释放。线圈下边进入磁场时,Ⅰ立即做一段时间的匀速运动。已知两线圈在整个运动过程中,下边始终平行于磁场上边界,不计空气阻力,则(  )A.下边进入磁场时,Ⅱ也立即做一段时间的匀速运动B.从下边进入磁场开始的一段时间内,线圈Ⅱ做加速度不断减小的加速运动C.从下边进入磁场开始的一段时间内,线圈Ⅱ做加速度不断减小的减速运动D.线圈Ⅱ先到达地面[答案] C[解析] 线圈Ⅱ的电阻是线圈Ⅰ的倍,线圈Ⅱ中产生的

6、感应电动势是线圈Ⅰ的2倍,线圈Ⅱ中产生的感应电流是线圈Ⅰ的倍,受到的安培力是线圈Ⅰ的倍,但是线圈Ⅱ的重力只是线圈I的倍,因线圈下边进入磁场时,线圈Ⅰ立即做一段时间的匀速运动,所以线圈Ⅱ立即做加速度不断减小的减速运动,选项A、B错误,C正确;因线圈Ⅰ、Ⅱ进入磁场时的速度相同,故线圈Ⅱ后到达地面,选项D错误。5.(2012·山东济南一模)如图所示,宽度为d的有界匀强磁场竖直向下穿过光滑的水平桌面,一质量为m的椭圆形导体框平放在桌面上,椭圆的长轴平行磁场边界,短轴小于d。现给导体框一个初速度v0(v0垂直磁场边界),已知导体框全部在磁场中的速度为v,导体框全部出磁场后的

7、速度为v1;导体框进入磁场过程中产生的焦耳热为Q1,导体框离开磁场过程中产生的焦耳热为Q2。下列说法正确的是(  )A.导体框离开磁场过程中,感应电流的方向为顺时针方向B.导体框进出磁场都是做匀变速直线运动C.Q1>Q2D.Q1+Q2=m(v-v)[答案] ACD[解析] 由楞次定律可以判断,导体棒离开磁场的过程中,感应电流的方向为顺时针方向,选项A正确;导体棒进出磁场时受到的安培力是变力,做非匀变速直线运动,选项B错误;安培力一直是阻力,故导体框做减速运动,进入磁场的速度大于离开磁场时的速度,进入磁场时产生的焦耳热大于离开磁场时产生的焦耳热,选项C正确;由能量守

8、恒得Q1+

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