单片机i2c串行接口扩展设计

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1、目录毕业论文（设计）题目名称：单片机I2C串行接口扩展设计题目类型：毕业设计学生姓名：院（系）：电子信息学院专业班级：自动化10902班指导教师：辅导教师：时间：2013年3月11日至2013年6月10日目录目录毕业设计开题报告V指导教师评审意见XIII评阅教师评语XIV答辩记录及成绩评定XV摘要XVIAbstract.XVII前言XVIII1选题的背景12方案论证32.1方案选取32.2步骤分析33系统硬件设计43.180C51单片机简介43.2I2C总线介绍193.3单片机I2C串行接口扩展硬件电路设计294系统软件设计404

2、.1软件总体框架图404.2单片机语言414.3主程序设计414.4EEPROM读写软件设计424.5键盘扫描软件设计424.6LCD显示程序软件设计425结果分析435.1Proteus仿真软件介绍445.2仿真调试过程及结果总结446总结44参考文献45致谢47I目录附录1:电路原理图总图48附录2:主程序源码清单48I开题报告XI开题报告长江大学毕业设计(论文)任务书学院（系）电信学院专业自动化班级学生姓名指导教师/职称1.毕业设计(论文)题目：单片机I2C串行接口扩展设计毕业设计（论文）起止时间：2013年3月11日～6月

3、10日3．毕业设计(论文)所需资料及原始数据（指导教师选定部分）8051单片机常用数字逻辑接口器件ROM、RAM存储器器件I2C接口器件24c04键盘、显示器件Keil单片机软件调试环境Proteus仿真软件4．毕业设计(论文)应完成的主要内容在8051单片机、常用数字逻辑接口器件、ROM、RAM存储器器件、键盘显示器等所组成的单片机系统上，设计一种I2C接口EEPROM存储器扩展电路，要求通过8051单片机的IO端口模拟实现I2C工作时序，能够根据需要通过按键设定存储器的存储器格式、进行读写、设定密码等操作。XI开题报告5．毕业

4、设计(论文)的目标及具体要求1、单片机及其相关数字逻辑器件选型2、单片机最小系统设计3、单片机键盘、显示接口设计4、单片机与I2C接口EEPROM存储器接口设计5、绘制全部硬件原理电路图6、接口软件程序设计7、绘制全部软件程序框图8、给出最终设计结果6、完成毕业设计(论文)所需的条件及上机时数要求在计算机上绘制全部原理电路图，编写全部应用程序，计算机上机100小时。任务书批准日期2013年3月11日教研室(系)主任(签字)任务书下达日期2013年3月11日指导教师(签字)完成任务日期2013年6月10日学生（签名）分类号：密级：X

5、I开题报告长　江　大　学毕业设计开题报告论文题目：单片机I2C串行接口扩展设计专业：自动化本科生：导师：XI开题报告单片机I2C串行接口扩展设计1题目来源生产/社会实践2选题目的和意义　随着电子科学技术的飞速发展,存储器件也不断的更新换代,人们与存储器件的关系也越来越密切。从汞延迟线、磁带、磁鼓、磁心到磁盘、光盘以及纳米存储，每一次的技术的进步都拉近了人与存储器之间的距离。有了存储器,计算机才具有记忆功能,从而实现程序存储,使计算机能够自动高速地进行各种复杂的运算存储器大致可分为两大类：易失和非易失。易失存储器在系统关闭时立即失存

6、储在内的信息；它需要持续的电源供应以维持数据。大部分的随机存储器（RAM）都属于易失存储器。非易失存储器在系统关闭或无电源供应时仍能保持数据信息。一个非易失存储器（NVM）器件通常也是一个MOS管，拥有一个源极，一个漏极，一个门极另外还有一个浮栅（FLOATINGGATE）。它的构造和一般的MOS管略有不同：多了一个浮栅。浮栅被绝缘体隔绝于其他部分。非易失存储器又可分为两类：浮栅型和电荷阱型。Kahng和Sze在1967年发明了第一个浮栅型器件，在这个器件中，电子通过3nm厚度的氧化硅层隧道效应从浮栅中被转移到substrate中

7、。隧道效应同时被用于对期间的编程和擦除，通常它适用于氧化层厚度小于12nm。储存在浮栅中的电荷数量可以影响器件敌值电压,由此区分期间状态的逻辑值1或0。在浮栅型存储器中，电荷被储存在浮栅中，它们在无电源供应的情况下仍然可以保持。所有的浮栅型存储器都有着类似的原始单元架构。第一个门极被埋在门极氧化层和极间氧化层之间，极间氧化层的作用是隔绝浮栅区，它的组成可以是氧-氮-氧，或者二氧化硅。包围在器件周围的二氧化硅层可以保护器件免受外力影响。第二个门极被称为控制门极，它和外部的电极相连接。浮栅型器件通常用于EPROM(Electrical

8、lyProgrammableReadOnlyMemory)和EEPROM(ElectricallyErasableandProgrammableReadOnlyMemory)。XI开题报告电可擦除可编程EEPROM在应用系统中既可由软件对其内容进行