（设备技术性能指标及参数、目的、用途、环境要求等）

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1、（设备技术性能指标及参数、目的、用途、环境要求等）1.设备用途1.1.*可实现ITO、SiO2等氧化物薄膜和Al、Ti等金属薄膜的溅射沉积。1.2.*投标厂家提供多种工艺调试和开发的服务。2.设备规格2.1.反应腔体：2.1.1.真空窗口，可观察腔体内部状况。2.1.2.反应腔体内部包含防镀衬板组。2.2.反应腔体抽真空模块：2.2.1.*采用进口涡轮分子泵（国际知名品牌例如：Ulvac、CTI、Alcatel、Pfeiffer、Edwards等）或者进口冷凝泵（国际知名品牌例如：Ulvac、CTI、Alcatel、Pfeiffer、Edward

2、s等）。2.2.2.*采用进口干泵。（国际知名品牌例如：Edwards、Ulvac、Alcatel、Pfeiffer等）。2.2.3.25min内，反应腔体可从大气抽真空至3E-6Torr。2.2.4.本底真空：<3E-7Torr。2.2.5.配备自动压力控制装置(APC)。2.3.磁控溅射靶枪：2.3.1.*进口磁控溅射靶枪，靶材尺寸不小于3英寸，磁性靶枪1台，非磁性靶枪1台。（采用国际知名品牌例如：Angstron、AJA、US、HHV等）2.3.2.进口非磁性靶枪2台，靶材尺寸不小于3英寸。2.3.3.*DC/RF电源兼容设计，可针对不同材

3、料进行溅射沉积。2.3.4.可调整靶枪溅射距离。2.3.5.溅射靶枪具备独立自动开关挡板装置。2.3.6.靶枪具备独立供气功能。2.4.直流电源：2.4.1.*进口直流电源1台，功率不低于1kW，可切换供不同磁控溅射靶枪使用。（国际知名品牌例如：ADL、AE、KRI/HHV等）1.1.射频电源：1.1.1.*进口射频电源1台，功率不低于600W，频率为13.56MHz，可进行全自动匹配，并可切换供不同磁控溅射靶枪使用。（采用国际知名品牌例如：AE、ADTEC、SEREN等）1.2.芯片基座：1.2.1.*芯片基座转速可调。1.2.2.*可承载6"

4、圆形基板或4x4cm玻璃片。1.3.加热控制系统：1.3.1.*载物盘最高温可达250℃，控温精度≦±1℃。1.4.反应气体模块：1.4.1.*工艺气体：至少配置3路。1.4.2.*采用进口MFC，精准度<1%。（国际知名品牌例如：BROOKS、MKS、BRONKHORST等）1.4.3.采用美国Swagelok气动隔离阀或者电磁隔离阀。1.4.4.采用1/4"SUS316电抛光EP管及VCR接头。1.5.自动控制系统：1.5.1.全自动智能化控制软件，并可切换为手动控制，可一键控制真空泵抽气及排气以及所有挡板及阀门。1.6.配套附件：1.6.1

5、.*靶材：ITO（氧化铟锡），SiO2（二氧化硅），铝，钛2.工艺要求2.1.*不均匀度≦±5%（6英寸硅片内沉积厚度为200nm的铝，6英寸硅片内沉积厚度为200nm的ITO)。3.用户培训3.1.交机安装完成后将免费提供设备操作的训练课程，训练课程包含介绍系统特色、系统架构与说明、系统联机与保养及实际操作训练。3.2.将提供中文和英文标准作业流程（SOP）纸本各两份与电子文件。3.3.提供简易工具箱，以方便未来设备维修使用。4.交货日期合同签订后4个月可以完成交货。