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1、为了适应公司新战略的发展，保障停车场安保新项目的正常、顺利开展，特制定安保从业人员的业务技能及个人素质的培训计划铁磁材料元素 磁性材料原理与应用 磁电阻/半金属简介及半金属CrO2在隧穿磁电阻 中的应用 磁电阻/半金属简介及半金属CrO2在隧穿磁电阻 中的应用 1988年,Baibich[1]发现(Fe/Cr)n多层膜的磁电阻效应比坡莫合金的磁电阻大一个数量级,并将此称为巨磁电阻效应(giantmagnetoresistance,GMR)；1993年和1994[2][3]年在钙钛矿锰氧化物中发现了庞磁电阻效应(colossalmagnetoresist
2、ance,CMR)。1975年Julliere在Fe/Ge/Co多层膜中发现隧穿磁电阻效应(tunnelmagnetoresistance,TMR)[4]。特别是1995年Miyazaki[5]等人在铁磁性隧道结材料中发现室温的高隧穿磁电阻效应以后,这种以铁磁层/势垒层/铁磁层三明治结构为核心的磁性隧道结(maonetictunneljunction,MTJ)材料以及其中自旋相关电子的隧穿输运性质,引起了学者们广泛的研究兴趣,极大地促进了磁电子学和自旋电子学的形成与发展。本论文主要对磁电阻，半金属磁体材料，以及结合半金属CrO2的磁性隧道结做简要介绍。 一、磁电
3、阻简介目的-通过该培训员工可对保安行业有初步了解，并感受到安保行业的发展的巨大潜力，可提升其的专业水平，并确保其在这个行业的安全感。为了适应公司新战略的发展，保障停车场安保新项目的正常、顺利开展，特制定安保从业人员的业务技能及个人素质的培训计划铁磁材料元素 磁性材料原理与应用 磁电阻/半金属简介及半金属CrO2在隧穿磁电阻 中的应用 磁电阻/半金属简介及半金属CrO2在隧穿磁电阻 中的应用 1988年,Baibich[1]发现(Fe/Cr)n多层膜的磁电阻效应比坡莫合金的磁电阻大一个数量级,并将此称为巨磁电阻效应(giantmagnetoresista
4、nce,GMR)；1993年和1994[2][3]年在钙钛矿锰氧化物中发现了庞磁电阻效应(colossalmagnetoresistance,CMR)。1975年Julliere在Fe/Ge/Co多层膜中发现隧穿磁电阻效应(tunnelmagnetoresistance,TMR)[4]。特别是1995年Miyazaki[5]等人在铁磁性隧道结材料中发现室温的高隧穿磁电阻效应以后,这种以铁磁层/势垒层/铁磁层三明治结构为核心的磁性隧道结(maonetictunneljunction,MTJ)材料以及其中自旋相关电子的隧穿输运性质,引起了学者们广泛的研究兴趣,极大地促
5、进了磁电子学和自旋电子学的形成与发展。本论文主要对磁电阻，半金属磁体材料，以及结合半金属CrO2的磁性隧道结做简要介绍。 一、磁电阻简介目的-通过该培训员工可对保安行业有初步了解，并感受到安保行业的发展的巨大潜力，可提升其的专业水平，并确保其在这个行业的安全感。为了适应公司新战略的发展，保障停车场安保新项目的正常、顺利开展，特制定安保从业人员的业务技能及个人素质的培训计划 自旋电子学是以传统半导体电子学中的电子和空穴为基础，研究载流子自旋取向的一门新兴的电子学。它是当今国际凝聚态物理和材料科学界关注的热点之一，也是小型化、快速化、高存储密度、高灵敏磁性器件的基
6、础。磁电阻效应(MR)是自旋电子器件的基础，它是磁场作用下材料电阻的相对变化，磁电阻公式为 MR(%)?R(0)?R(H)?100%R(H) 其中,R(0),R(H)为零场和外场作用下的材料电阻。磁电阻效应主要分为正常磁电阻效应(OMR)、各向异性磁电阻效应(AMR)、巨磁电阻效应(GMR)、庞磁电阻效应(CMR)、隧道磁电阻效应(TMR)。对于普通金属，电子的自旋是简并的，不存在净的磁矩，而在费米面附近的态密度对于自旋向上和向下是完全一样的，因而输运过程中电子流是自旋非极化的。但在铁磁金属中，由于交换劈裂，费米面处自旋向上的子带将全部或大部分被电子占据，而自
7、旋向下的子带仅部分被电子占据，两子带的占据电子数之差正比于它的磁矩。目的-通过该培训员工可对保安行业有初步了解，并感受到安保行业的发展的巨大潜力，可提升其的专业水平，并确保其在这个行业的安全感。为了适应公司新战略的发展，保障停车场安保新项目的正常、顺利开展，特制定安保从业人员的业务技能及个人素质的培训计划 同时费米面处自旋向上和自旋向下3d电子态密度相差很大，所以尽管在费米面处还有少数受交换劈裂影响较小的s电子和p电子，传导电流仍是自旋极化的。由于自旋向上的3d子带与自旋向下的3d子带在费米面附近的态密度不相等，它们对不同自旋取向的电子的散射是不一样的，所以自旋
8、向上与自旋
