金属材料电阻系数测量方法

金属材料电阻系数测量方法

ID:30465443

大小:27.97 KB

页数:24页

时间:2018-12-30

金属材料电阻系数测量方法_第1页
金属材料电阻系数测量方法_第2页
金属材料电阻系数测量方法_第3页
金属材料电阻系数测量方法_第4页
金属材料电阻系数测量方法_第5页
资源描述:

《金属材料电阻系数测量方法》由会员上传分享,免费在线阅读,更多相关内容在应用文档-天天文库

1、为了适应公司新战略的发展,保障停车场安保新项目的正常、顺利开展,特制定安保从业人员的业务技能及个人素质的培训计划金属材料电阻系数测量方法  实验二霍尔系数和电阻率的测量  把通有电流的半导体置于磁场中,如果电流方向与磁场垂直,则在垂直于电流和磁场的方向会产生一附加的横向电场,这个现象称为霍尔效应。随着半导体物理学的发展,霍尔系数和电导率的测量已成为研究半导体材料的主要方法之一。通过实验测量半导体材料的霍尔系数和电导率可以判断材料的导电类型、载流子浓度、载流子迁移率等主要参数。若能测量霍尔系数和电导率随温度变化的关系,还可以求出材料的杂质电离能和材料的禁带宽度。一、实验目的 

2、 1.了解霍尔效应实验原理以及有关霍尔元件对材料要求的知识;  2.学习用“对称测量法”消除副效应的影响,测量并绘制试样的VH-IS和VH-IM曲线;3.确定试样的导电类型、载流子浓度以及迁移率。二、实验原理  霍尔效应从本质上讲是运动的带电粒子在磁场中受洛仑兹力作用而引起的偏转。当带电粒子被约束在固体材料中,这种偏转就导致在垂直于电流和磁场的方向上产生正负电荷的积累,从而形成附加的横向电场,即霍尔电场。目的-通过该培训员工可对保安行业有初步了解,并感受到安保行业的发展的巨大潜力,可提升其的专业水平,并确保其在这个行业的安全感。为了适应公司新战略的发展,保障停车场安保新项目

3、的正常、顺利开展,特制定安保从业人员的业务技能及个人素质的培训计划  对于图(a)所示的N型半导体试样,若在X方向的电极D、E上通以电流IS,在Z方向加磁场B,试样中载流子将受洛仑兹力:  Fg?e  其中,e为载流子电量,为载流子在电流方向上的平均定向漂移速率,B为磁感  (a)(b)图样品示意图  无论载流子是正电荷还是负电荷,Fg的方向均沿Y方向,在此力的作用下,载流子发生偏移,则在Y方向即试样A、A’电极两侧就开始聚集异号电荷,在A、A’两侧产生一个电位差VH,形成相应的附加电场EH——霍尔电场,相应的电压VH称为霍尔电压,电极A、A’称为霍尔电极。  电场的指向取

4、决于试样的导电类型。N型半导体的多数载流子为电子,P型半导体的多数载流子为空穴。对N型试样,霍尔电场逆Y方向,P型试样则沿Y方向,有  IS(X)、B(Z)EH(Y)0(P型)  显然,该电场是阻止载流子继续向侧面偏移。试样中载流子将受一个与Fg方向相反的横向电场力:  FE?eEH()  其中,EH为霍尔电导强度。  FE随电荷积累增多而增大,当达到稳定状态时,两个力平衡,即载流子所受的横向电场力FE与洛仑兹力Fg相等,样品两侧电荷的积累就达到平衡,故有  eEH?eB()目的-通过该培训员工可对保安行业有初步了解,并感受到安保行业的发展的巨大潜力,可提升其的专业水平,并

5、确保其在这个行业的安全感。为了适应公司新战略的发展,保障停车场安保新项目的正常、顺利开展,特制定安保从业人员的业务技能及个人素质的培训计划  设试样的宽度为b,厚度为d,载流子浓度为n,则电流强度IS与的关系为  IS?nebd()  由式()、()可得  VH?EHb?  IB1ISB  ?RHS()  nedd  即霍尔电压VH与ISB乘积成正比,与试样厚度d成反比。比例系  数RH=1/ne称为霍尔系数,它是反映材料霍尔效应强弱的重要参数。根据霍尔效应制作的元件称为霍尔元件。由式()可见,只要测出VH,以及知道IS、B和d,可按下式计算RH:  RH?  VHd  ?

6、108()ISB  上式中的108是由于磁感应强度B用电磁单位而其它各量均采用C、G、S实用单位引入。目的-通过该培训员工可对保安行业有初步了解,并感受到安保行业的发展的巨大潜力,可提升其的专业水平,并确保其在这个行业的安全感。为了适应公司新战略的发展,保障停车场安保新项目的正常、顺利开展,特制定安保从业人员的业务技能及个人素质的培训计划  注:磁感应强度B的大小与励磁电流IM的关系由制造厂家给定,并标明在实验仪上。霍尔元件就是利用上述霍尔效应制成的电磁转换元件。对于成品的霍尔元件,其RH和d已知,因此在实际应用中,式()常以如下形式出现:  VH?KHISB()  其中,

7、比例系数KH=RH/d=1/ned称为霍尔元件灵敏度,它表示该器件在单位工作电流和单位磁感应强度下输出的霍尔电压。IS称为控制电流。()式中的单位取IS为mA、B为KGS、VH为mV,则KH的单位为mV/(mA·KGS)。  KH越大,霍尔电压VH越大,霍尔效应越明显。从应用上讲,KH愈大愈好。KH与载流子浓度n成反比,半导体的载流子浓度远比金属的载流子浓度小,因此用半导体材料制成的霍尔元件,霍尔效应明显,灵敏度高,这也是一般霍尔元件不用金属导体而用半导体制成的原因。另外,KH还与d成反比,因此霍尔元件一般都很薄。

当前文档最多预览五页,下载文档查看全文

此文档下载收益归作者所有

当前文档最多预览五页,下载文档查看全文
温馨提示:
1. 部分包含数学公式或PPT动画的文件,查看预览时可能会显示错乱或异常,文件下载后无此问题,请放心下载。
2. 本文档由用户上传,版权归属用户,天天文库负责整理代发布。如果您对本文档版权有争议请及时联系客服。
3. 下载前请仔细阅读文档内容,确认文档内容符合您的需求后进行下载,若出现内容与标题不符可向本站投诉处理。
4. 下载文档时可能由于网络波动等原因无法下载或下载错误,付费完成后未能成功下载的用户请联系客服处理。