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1、半导体常见气体的用途1、硅烷（SiH4）：有毒。硅烷在半导体工业中主要用于制作高纯多晶硅、通过气相淀积制作二氧化硅薄膜、氮化硅薄膜、多晶硅隔离层、多晶硅欧姆接触层和异质或同质硅外延生长原料、以及离子注入源和激光介质等，还可用于制作太阳能电池、光导纤维和光电传感器等。/](m v ]!k1T K7a/v-X-}2、锗烷（GeH4）：剧毒。金属锗是一种良好的半导体材料，锗烷在电子工业中主要用于化学气相淀积，形成各种不同的硅锗合金用于电子元器件的制造。%R5@6t!Al&A7{7I&E I3、磷烷（PH3）：剧毒。主要用于硅烷外延的掺杂剂，磷扩散的杂质源。同时也用于多晶硅化学气相淀积、外延
2、GaP材料、离子注入工艺、化合物半导体的MOCVD工艺、磷硅玻璃（PSG）钝化膜制备等工艺中。8`"q!u9Y0p$U4g'j4、砷烷（AsH3）：剧毒。主要用于外延和离子注入工艺中的n型掺杂剂。 s;z3e'^3G.}4u5、氢化锑（SbH3）：剧毒。用作制造n型硅半导体时的气相掺杂剂。"N8Q',3D+z4j6、乙硼烷（B2H6）：窒息臭味的剧毒气体。硼烷是气态杂质源、离子注入和硼掺杂氧化扩散的掺杂剂，它也曾作为高能燃料用于火箭和导弹的燃料。8Y1t.i4y.N'N2[%`8x3c.H8M3p7、三氟化硼（BF3）：有毒，极强刺激性。主要用作P型掺杂剂、离子注入源和等离子刻蚀气体。
3、 p-C;o8@2Y%s:Z1Y8、三氟化氮（NF3）：毒性较强。主要用于化学气相淀积（CVD）装置的清洗。三氟化氮可以单独或与其它气体组合，用作等离子体工艺的蚀刻气体，例如，NF3、NF3/Ar、NF3/He用于硅化合物MoSi2的蚀刻；NF3/CCl4、NF3/HCl既用于MoSi2的蚀刻，也用于NbSi2的蚀刻。G%X0Z5u9a"D9、三氟化磷（PF3）：毒性极强。作为气态磷离子注入源。/O$t:O6v a(_-K10、四氟化硅（SiF4）：遇水生成腐蚀性极强的氟硅酸。主要用于氮化硅（Si3N4）和硅化钽（TaSi2）的等离子蚀刻、发光二极管P型掺杂、离子注入工艺、外延沉积扩散的
4、硅源和光导纤维用高纯石英玻璃的原料。+^2A8f5h"u6a+g){;H/b11、五氟化磷（PF5）：在潮湿的空气中产生有毒的氟化氢烟雾。用作气态磷离子注入源。 f3J,i ^:Q8U5M4I(]12、四氟化碳（CF4）：作为等离子蚀刻工艺中常用的工作气体，是二氧化硅、氮化硅的等离子蚀刻剂。6Z,m1k#A z)L;e13、六氟乙烷（C2H6）：在等离子工艺中作为二氧化硅和磷硅玻璃的干蚀气体。([2O%~0[5h-{-f14、全氟丙烷（C3F8）：在等离子蚀刻工艺中，作为二氧化硅膜、磷硅玻璃膜的蚀刻气体。"K5o$F9X+N%o4e3L0[g:N;{,G3k"l)W"Y-!M1p半导
5、体工业常用的混合气体1Z4S)b)d$K9F1、外延（生长）混合气：在半导体工业中，在仔细选择的衬底上选用化学气相淀积的方法，生长一层或多层材料所用的气体叫作外延气体。常用的硅外延气体有二氯二氢硅（）、四氯化硅（）和硅烷等。主要用于外延硅淀积、氧化硅膜淀积、氮化硅膜淀积，太阳能电池和其它光感受器的非晶硅膜淀积等。外延是一种单晶材料淀积并生长在衬底表面上的过程。常用外延混合气组成如下表：)P,K-S,O,L#KW8[8q6i8B1r,Q,[S%d,
6、&O$y5
7、;z序号7C:F0q6D$H.H"Z$X K组份气体%y5l)k.S5W({5K稀释气体+H(N)F;_3YF/d"_!v1,b/E
8、(A7a1N'P-o28M+U2g7_4Z3#ZU/S&t/R5b(S*}4.X9a]-P+e:[5g硅烷（SiH4）/
9、#Q#P/h8u9P5s氯硅烷（SiCl4） } q}#E8]二氯二氢硅（SiH2Cl2）;F)jn:
10、.^8a6y乙硅烷（Si2H6）k/5z.](g#Q#a氦、氩、氢、氮(e a;F/W0y0P氦、氩、氢、氮#g r*V4w,]'m氦、氩、氢、氮7k2X9h6Z7F8m8d)e'q7T氦、氩、氢、氮8B6e9?*b)~*Q!a2B8O4~0h5_.g;[8G0~#F2、化学气相淀积（CVD）用混合气：CVD是利用挥发性化合物，通过气相化学反应淀积某种单质和化
11、合物的一种方法，即应用气相化学反应的一种成膜方法。依据成膜种类，使用的化学气相淀积（CVD）气体也不同，以下表是几类化学气相淀积混合气的组成：:U+](A-Q/M"`(B7y#q'Xj-J(y/N2b.B;l'}+o+I-j.z#g膜的种类:~'z-J ~'c*X.@"e7S.P#f混合气组成)Q$O$K9b0S$f*`;e5q生成方法8^!G-w#A:F4T(L半导体膜 J.Y,v#a4x$e$c"L.
