异常分析报告

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1、为了适应公司新战略的发展，保障停车场安保新项目的正常、顺利开展，特制定安保从业人员的业务技能及个人素质的培训计划异常分析报告　　1、设备异常分析目录格式　　2、异常分析报告格式　　设备异常分析报告　　异常分析报告　　由于近期老员工的陆续离职，新员工刚刚接触这个工作，对产品加工认知度及工作经验没有那么丰富。两次加工这类异常已经开会宣导教育了很多次，针对ET-780这次异常将对新老员工进行深刻教育，让员工明白两次加工的危害。强化螺纹孔全检要求，对规定详细化，并且告知每个操作人员。在工作中随时抽查员工是否遵守规定，若有不遵

2、守规定的，对其教育再进行适当的处罚。目的-通过该培训员工可对保安行业有初步了解，并感受到安保行业的发展的巨大潜力，可提升其的专业水平，并确保其在这个行业的安全感。为了适应公司新战略的发展，保障停车场安保新项目的正常、顺利开展，特制定安保从业人员的业务技能及个人素质的培训计划　　通止规通规不过，这个问题不是经常性出现，根据这次JY-037异常分析可能造成导致这次异常的原因，第一个原因由于产品加工位置的模具销为尖顶深度大概5MM-10MM之间，而且加工位置为盲孔，刀具在加工过程中按照先前编好的程式加工，模具销尖顶位置和加

3、工螺纹孔的位置不一定是一致的，刀具的头部也是尖的，尖顶位置在加工的时候给刀具起到了一定的导向作用，这样的话就有可能导致刀具在加工过程中出现与产品部分不垂直，很有可能导致通规通不过。第二原因可能由于设备的精度比较高，对刀具有要求，现在加工底孔的刀具直径为Φ，已经和上海后藤技术部联系过了，加大底孔刀具直径到Φ，如果验证可以，今后就选用Φ的刀具来加工，从源头上杜绝这类不该发生的异常！　　以上是本人对这两次异常的分析总结。　　时磊　　606NA异常分析报告　　XX年12月24日，QC反馈一张关于606NA00240批NPN三

4、极管NCR报告，现对其产生的异常进行分析：　　具体异常情况：此批产品已流水到干法刻孔，其中20#片子颜色异常，其表现为三极管基区和发射区氧化层颜色相同，如图1所示；而正常的片子基区和发射区颜色是不同的，如图2所示。　　图1图2　　异常分析：图3为NPN三极管结构剖面图，根据公司NPN三极管工艺过程先做基区，然后做发射区。此工艺过程使基区氧化层厚度大于发射区，氧化层在可见光下发生薄膜干涉，在肉眼下可以观察到两极颜色不一样。　　图3目的-通过该培训员工可对保安行业有初步了解，并感受到安保行业的发展的巨大潜力，可提升其的专

5、业水平，并确保其在这个行业的安全感。为了适应公司新战略的发展，保障停车场安保新项目的正常、顺利开展，特制定安保从业人员的业务技能及个人素质的培训计划　　此片在干刻孔后正常，孔区已经刻白，所以两极颜色相同的现象在刻孔前已经存在。干刻孔前产生薄膜的步骤是热淀积氮化硅1000埃，由以往经验判断1000埃氮化硅的颜色和异常片相同，所以猜想：此异常片在热淀积氮化硅时两极都是漂白过的！为此在3D显微镜下测量了异常片基区和发射区孔与对应孔的台阶高度，此高度表征了两极薄膜厚度，如图4所示。　　图4　　测量结果：基区薄膜厚度为970埃

6、　　发射区薄膜厚度为1190埃　　基区发射区薄膜厚度接近1000埃的目标值，这一测量结果一定程度上支持氮化硅直接热生长在硅表面。但是3D显微镜测量薄膜高度普遍存在误差，在测量时我们已经感觉到这种误差。　　特性曲线分析：异常片在晶体管图示仪下得到的三极管特性曲线如图5所示，其特性曲线显示出三极管存在较大的小电流。　　图5　　此特性曲线极大的支持了我们的猜想，根据晶体管原理，三极管的表面特性会对其放大参数产生重要影响，为了得到优良的表面，硅表面的氧化层都是热氧化而成的，此氧化过程要消耗一定的体硅，这会使表面的大量硅悬空键

7、得到中和，表面态目的-通过该培训员工可对保安行业有初步了解，并感受到安保行业的发展的巨大潜力，可提升其的专业水平，并确保其在这个行业的安全感。为了适应公司新战略的发展，保障停车场安保新项目的正常、顺利开展，特制定安保从业人员的业务技能及个人素质的培训计划得到极大的优化。此异常片的表面是由氮化硅覆盖，此氮化硅时由热淀积得到，换句话就是说氮化硅生硬的盖在硅表面，由此存在大量的表面能级，少子寿命很小，由少子产生的漏电流增加。再者，氮化硅与硅表面的应力很大，没有氧化成的缓冲把氮化硅长在硅上会使硅表面的缺陷增加，缺陷能级又一定

8、程度上活跃了少子的作用。这两方面的作用都会使三极管存在小电流，并且放大倍数被削弱，击穿电压被降低！　　由此可以判断：606NA中20#异常为氧化层在生长氮化硅前被漂光！　　原因分析：可以漂掉氧化硅的步骤是存在HF酸的步骤，氮化硅前和QC后相应步骤有：氮化硅前的清洗，酸退前的清洗。经询问工人得知这两部清洗为FSI自动清洗，清洗过程为整批操作，不可