《模拟电路教案》word版

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1、教案第一部分课程概况一、课程的性质、目的与任务《模拟电子技术》是电子专业必修的一门专业基础课。通过本课程的学习，使学生掌握半导体基本器件的原理、特性及其选用，了解和掌握常用模拟集成器件的外特性及其应用，掌握基本单元电路的组成、工作原理及其重要性能指标的估算，具有一定的读图能力和初步设计电路的能力，具有一定的动手实践能力和解决问题的能力，为后续课程的学习打下良好的基础。二、与其它课程的联系学习本课程应具备《高等数学》，《大学物理》和《电路分析》理论方面的基础。后续课程为《数字电子技术基础》，《高频电路》，《电子测量仪器》、《电视原理》

2、和《电器控制技术》等课程。三、课程的特点1．对基本概念、基本分析方法的要求并重；2．本课程理论性和实践性都较强；3．实验课程是重要的学习与实践环节，课程设计是重要的补充。四、教学总体要求1．理解半导体基本器件的原理，特性、主要参数及其选用；2．掌握信号放大基本单元电路的组成、工作原理及分析计算方法；3．掌握信号的运算和处理基本单元电路的组成、工作原理及其分析计算方法；4．掌握信号的发生和转换单元电路的组成、基本原理及其重要技术指标的计算；5．通过实验课，理解信号的产生、放大、运算等各种不同处理方法及其采用相应不同的单元电路增强实践能

3、力，掌握必要的测试技能和整理实验数据的能力。五、教材及教学参考资料教材：《模拟电子技术》主编：胡宴如参考资料：《电子技术基础》主编：康华光95第二部分教学内容和教学要求绪论及第一章常用半导体器件教学内容：1．半导体中的载流子和导电规律，PN结的原理和特性；2．半导体二极管、三极管工作原理、特性曲线和主要参数；3．场效应管的结构、工作原理、特性曲线和主要参数。教学要求：了解常用半导体器件的基本结构、工作原理和主要参数，掌握外特性，能正确选择和使用这些器件。教学建议：1．二极管、三极管、N沟道结型和绝缘栅型增强型场效应管的外特性、主要参

4、数的物理意义是本章重点；2．采用多媒体教学课件进行教学。绪论一、课程名称简介1、信号按时间可分为：模拟信号和数字信号2、信号按工作频率可分为：微波、高频、低频信号3、本课程主要研究低频模拟信号。二、电子技术发展史三、电子技术应用概况四、课程特点五、与其他课程的比较1、《模拟电子技术》与《电路分析》(见表)2、《模拟电子技术》与《数字电子技术》(见表)六、学习方法和学习要求七、本书内容八、热门技术及其他知识第一章常用半导体器件1.1半导体基础知识导体：电阻率小于10－4Ωcm的物质称为导体，载流子为自由电子。绝缘体：电阻率大于109Ω

5、cm的物质称为绝缘体，基本无自由电子。95半导体：电阻率介于导体、绝缘体之间的物质称为半导体，主要有硅、锗等（4价元素）材料。其电阻率在各种因素（掺杂、光照、电场、磁场）作用下变化巨大，电阻率且随温度增加而减小（负温度系数）。1.1.1本征半导体纯净的不含其它杂质的半导体称为本征半导体。（结构完整）T=0°K时，它同绝缘体，无自由电子。温度升高，热运动使本征半导体的价电子脱离共价键成为自由电子，且在共价键处留下“空穴”。电子带负电，空穴带正电，是两种载流子。产生电子—空穴对的过程称为激发，电子—空穴对成对消失的过程称为复合。本征半导

6、体电子浓度ni和空穴浓度np相等，且随温度增高而增大。一定温度下n:和np达到动态平衡。1.1.2杂质半导体半导体掺入杂质,电阻率急剧下降。例:室温下,纯锗电阻率约为47Ωcm,掺入百万分之一的硼,电阻率下降到1Ωcm。一、N型半导体掺入五价元素磷、锑、砷等构成。其电子多，是多子。空穴是少子。五价元素为施主原子。二、P型半导体掺入三价元素硼、镓、铟等构成。空穴是多子，电子为少子。三价元素为受主原子。§1.2半导体二极管1.2.1PN结及其单向导电性P型和N型半导体通过一定的工艺制造在一起，则它们接触面上形成一个特殊的薄层称为PN结。

7、一、PN结中载流子的运动在PN结界面的两侧，由多数载流子扩散形成了一个由不能移动的正负离子组成的空间电荷区，因而产生了一个电位差VD，称电位壁垒，它的电场方向由N区指向P区，阻碍了扩散运动，却使少数载流子作漂移运动。扩散作用使得空间电荷区增宽，导致内电场增强，结果又导致漂移作用增强，当多子的扩散运动和少子的漂移运动相等时，就达到了某种动态平衡，此时空间电荷区宽度不变。空间电荷区又称为耗尽层、阻档层、势垒区，其厚度约为几—几十微米。电位壁垒（硅0.6—0.8V）（锗0.2—0.3V）95平衡时，PN结无电流流过。（图1、2、1）二、P

8、N结的单向导电性1．PN结加正向电压（图1、2、2）如图，当P区接“＋”，N区接“—”，称为PN结正向偏置（正偏）。95此时，外电场削弱了内建电场，多子扩散顺利进行，可形成较大的扩散电流。外加电压越大，内建电场越削弱，扩散电流越增加，