在低温下有些材料

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时间:2018-12-27

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1、为了适应公司新战略的发展,保障停车场安保新项目的正常、顺利开展,特制定安保从业人员的业务技能及个人素质的培训计划在低温下有些材料  课后习题  第一章  1.德拜热容的成功之处是什么?  答:德拜热容的成功之处是在低温下,德拜热容理论很好的描述  了晶体热容,∝T的三次方  2.何为德拜温度?有什么物理意义?  答:HD=hνMAX/k德拜温度是反映晶体点阵内原子间结合力  的一个物理量  德拜温度反映了原子间结合力,德拜温度越高,原子间结合力越  强  3.试用双原子模型说明固体热膨胀的物理本质  答:如图,U1、U2、U3(T3)为不同温度时的能量,当原  子热振动通过平衡位置r0

2、时,全部能量转化为动能,偏离平衡位置时,  动能又逐渐转化为势能;到达振幅最大值时动能降为零,势能目的-通过该培训员工可对保安行业有初步了解,并感受到安保行业的发展的巨大潜力,可提升其的专业水平,并确保其在这个行业的安全感。为了适应公司新战略的发展,保障停车场安保新项目的正常、顺利开展,特制定安保从业人员的业务技能及个人素质的培训计划  打到最大。由势能曲线的不对称可以看到,随温度升高,  势能由U1(T1)、U2向U3变化,振幅增加,振动  中心就由r0',r0''向r0'''右移,导致双原子间距增大,产生热膨胀  第二章  1.电阻率增加5%  由于晶格缺陷和杂质引起的电阻率。  

3、解:按题意:p(300k)=10∧-6则:p(400k)=(10∧-6)*(1+)  ----(1)  在400K温度下马西森法则成立,则:p(400k)=p(镍400k)+  p(杂400k)----(2)又:p(镍400k)=p(镍300k)*[1+α*100]  ----(3)其中参数:α为镍的温度系数约=;p(镍  300k)(室温)=7*10∧-6Ω.cm)将(1)和(3)代入(2)可算出杂质  引起的电阻率p(杂400k)。  2.为什么金属的电阻因温度升高而增大,而半导体的电阻却因温  度的升高而减小?目的-通过该培训员工可对保安行业有初步了解,并感受到安保行业的发展的巨

4、大潜力,可提升其的专业水平,并确保其在这个行业的安全感。为了适应公司新战略的发展,保障停车场安保新项目的正常、顺利开展,特制定安保从业人员的业务技能及个人素质的培训计划  对金属材料,尽管温度对有效电子数和电子平均速率几乎没有影响,然而温度升高会使离子振动加剧,热振动振幅加大,原子的  无序度增加,周期势场的涨落也加大。这些因素都使电子运动的  自由称减小,散射几率增加而导致电阻率增大  而对半导体当温度升高时,满带中有少量电子有可能被激发300K1×10-6Ω·m4000K时  到上面的空带中去,在外电场作用下,这些电子将参与导电。同  时,满带中由于少了一些电子,在满带顶部附近出现

5、了一些空的量子状态,满带变成了部分占满的能带,在外电场作用下,仍留  在满带中的电子也能够起导电作用。  3.表征超导体性能的3个主要指标是什么  ?(P80)  1),临界转变温度TC,即成为超导态的最高温度  2)。临界磁场HC,即能破坏超导态的最小磁场,HC的大小与超  导材料的性质有关  3),临界电流密度JC,即材料保持超导状态的最大输入电流  第三章  1.什么是自发磁化?只不过是目的-通过该培训员工可对保安行业有初步了解,并感受到安保行业的发展的巨大潜力,可提升其的专业水平,并确保其在这个行业的安全感。为了适应公司新战略的发展,保障停车场安保新项目的正常、顺利开展,特制定

6、安保从业人员的业务技能及个人素质的培训计划  把物质本身的磁性显示出来,而不是由外界向物质提供磁性的过  程)  2.形成铁磁性的基本条件是什么?(P143)  答:1)原子内部要有未填满的电子壳层,原子磁矩不等于零  2.)Rab/r>3交换积分A>0(充分条件)或者:1)在原子中存  在有未被电子填满的状态是产生铁磁性的必要  条件;2)产生铁磁性不仅仅取决于原子本身的原子磁矩是否高,  而且还取决于形成晶体时原子间的相互键合作用。这个作用是否  对形成铁磁性有利,这是形成铁磁性的第二个条件  一是外部环境因素,如温度和应力等。二是金属及合金内部因素,  如成分,组织和结构,热处理

7、状态等。  4.磁畴的大小和结构由哪些条件决定?磁畴数目的多少和尺寸形状取决于退磁场能和磁畴壁能的平  衡条件  5.分析抗磁性,顺磁性,反铁磁性,亚铁磁性的磁化率与温度的目的-通过该培训员工可对保安行业有初步了解,并感受到安保行业的发展的巨大潜力,可提升其的专业水平,并确保其在这个行业的安全感。为了适应公司新战略的发展,保障停车场安保新项目的正常、顺利开展,特制定安保从业人员的业务技能及个人素质的培训计划  关系?  1)抗磁性是由外磁场作用

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