体散射,材料(共4篇)

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1、为了适应公司新战略的发展，保障停车场安保新项目的正常、顺利开展，特制定安保从业人员的业务技能及个人素质的培训计划体散射,材料(共4篇)　　晶体中的散射、迁移率与温度的关系　　载流子的散射：我们所说的载流子散射就是晶体中周期场的偏离，包括两种散射，即电离杂质散射和晶格振动散射。　　一、电离杂质散射　　定义：载流子受到电离杂质中心库仑作用引起运动方向的变化。特点：(1)散射几率P是各向异性的。　　(2)散射几率P和杂质浓度大体成正比，和能量的3/2次方成反比；由于能量与温度成正比，因此在温度较低时，电离杂质有较强的散射作用，此时迁移

2、率由电离杂质散射决定，由公式μ=eτ/m得到　　μ∝T3/2　　二、晶格散射　　格波：晶格原子的本征运动称为格波。　　在金刚石和闪锌矿结构的半导体中，每个原胞有两个原子对应同一个q值有六种振动方式：三个声学波和三个光学波。　　声学波：长波极限下，同一原胞两个不等价原子振动方向相同。光学波：长波极限下，同一原胞两个不等价原子振动方向相反。声子：格波能量量子化，引入“声子”表示晶格振动能量量子化的单元，即晶格振动能量的量子。目的-通过该培训员工可对保安行业有初步了解，并感受到安保行业的发展的巨大潜力，可提升其的专业水平，并确保其在这

3、个行业的安全感。为了适应公司新战略的发展，保障停车场安保新项目的正常、顺利开展，特制定安保从业人员的业务技能及个人素质的培训计划体散射,材料(共4篇)　　晶体中的散射、迁移率与温度的关系　　载流子的散射：我们所说的载流子散射就是晶体中周期场的偏离，包括两种散射，即电离杂质散射和晶格振动散射。　　一、电离杂质散射　　定义：载流子受到电离杂质中心库仑作用引起运动方向的变化。特点：(1)散射几率P是各向异性的。　　(2)散射几率P和杂质浓度大体成正比，和能量的3/2次方成反比；由于能量与温度成正比，因此在温度较低时，电离杂质有较强的散

4、射作用，此时迁移率由电离杂质散射决定，由公式μ=eτ/m得到　　μ∝T3/2　　二、晶格散射　　格波：晶格原子的本征运动称为格波。　　在金刚石和闪锌矿结构的半导体中，每个原胞有两个原子对应同一个q值有六种振动方式：三个声学波和三个光学波。　　声学波：长波极限下，同一原胞两个不等价原子振动方向相同。光学波：长波极限下，同一原胞两个不等价原子振动方向相反。声子：格波能量量子化，引入“声子”表示晶格振动能量量子化的单元，即晶格振动能量的量子。目的-通过该培训员工可对保安行业有初步了解，并感受到安保行业的发展的巨大潜力，可提升其的专业水

5、平，并确保其在这个行业的安全感。为了适应公司新战略的发展，保障停车场安保新项目的正常、顺利开展，特制定安保从业人员的业务技能及个人素质的培训计划　　晶格散射对迁移率的影响：对于Si，Ge等半导体只考虑纵声学波对电子的散射。计算表明：　　纵声学波晶格散射的散射几率和温度的2/3次方成正比，与电离杂质散射相反。所以，有　　μ∝T-3/2　　三、同时存在几种散射机制　　在同时存在几种散射机制时，总的散射几率应为各散射几率之和，由前面的分析可以得到：　　P=PI+PL　　其中PI和PL代表电离杂质散射几率和纵声学波散射几率；对迁移率则有

6、　　1　　??1　　?I??L1　　其中μI,μL分别表示电离杂质散射和晶格散射单独起作用时的迁　　移率.　　由于　　μI∝T3/2　　μL∝T?3/2　　故：　　低温时，迁移率μ正比于温度的3/2次方，此时目的-通过该培训员工可对保安行业有初步了解，并感受到安保行业的发展的巨大潜力，可提升其的专业水平，并确保其在这个行业的安全感。为了适应公司新战略的发展，保障停车场安保新项目的正常、顺利开展，特制定安保从业人员的业务技能及个人素质的培训计划　　μ≈μI∝T3/2；　　温度高时，迁移率μ反比于温度的3/2次方,此时　　μ≈μL∝

7、T?3/2;　　四、正向导通压降　　决定于势垒高度。势垒高度本身就由金半功函数差决定。　　正向开启电压，应该是有个电流密度来确定它一半是多少？。　　JF:开启电流密度，一般是100mA/CM2　　Ron:主要受限于有源区掺杂，也是和势垒高度相关的。　　串联电阻，电极的电阻是一个，还有体材料的。如果是2DEG器件，那么就是沟道电阻和电极电阻。　　五、碳化硅电力电子器件研发进展与存在题目　　1引言　　借助于微电子技术的长足发展，以硅器件为基础的电力电子技术因大功率场效应晶体管和尽缘栅双极晶体管等新型电力电子器件的全面应用而臻于成熟。

8、目前，这些器件的开关性能已随其结构设计和制造工艺的相当完善而接近其由材料特性决定的理论极限，依靠硅器件继续完善和进步电力电子装置与系统性能的潜力已十分有限。于是，依靠新材料满足新一代电力电子装置与系统对器件性能的更高要求，早在世纪交替之前就在电力电子学界与技术界