《薄膜沉积技术》word版

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1、招专业人才上一览英才第一章清洗芯片及湿式蚀刻 一、清洗芯片（RCAclean）1.        开N2、DIWATER2.        DIwaterclean5min3.        浸泡步骤如下4.        注意事项：    4.1先倒入DIwater后再倒入酸或碱，若有H2O2则最后倒入    4.2NH4OH与HCl之气体不能混合，宜用不同之exhaust （∵NH3＋HClàNH4Cl）步骤CHEMICAL比例浸泡时间温度LIFETIMENOTE1H2SO4：H2O2（SPM）3：110~20min75~85℃2~3次去金属杂质有机物及光阻

2、2DIwater 5min   3HF：H2O（DHF）1：100不沾水  去nativeoxide及金属杂质4DIwater 5min   5NH4OH：H2O2：H2O（APM）1：4：2010~20min75~85℃1次去微粒及有机物污染6DIwater 5min   7HCl：H2O2：H2O（HPM）1：1：610~20min75~85℃1次去无机金属离子8DIwater 5min   9HF：H2O（DHF）1：100不沾水  去nativeoxide10DIwater 5min   11N2DRY      二、照相完EtchSiO2后之clean

3、ing一览英才网是基于行业垂直细分和区域横向细分的网络招聘网站平台，国内各行业各地区首选求职招聘网站平台！联系人：施结琴电话：0755-86153960/18902455965邮件：shijq@epjob88.com网站：光伏英才网http://gf.epjob88.com招专业人才上一览英才1.    B.O.E.etchSiO21000~1200A/min（可由较大区域不沾水判定是否已etched）2.    DIwaterclean5min3.    余同上RCAclean之浸泡步骤4.    各种SiO2之Etchrate比较    4.1Wetoxid

4、efasterthandryoxide    4.2Bdopedàetchrate↓    4.3Pdopedàetchrate↑    4.4I2damageàetchrate↑    4.5CVDSiO2àetchrate↑ 三、PhosphorousPredep.后之cleaning1.wafer取出后，煮水5min（事先准备好芯片，于沸腾时放入）2.HF：H2O＝1：15etch5min除去磷玻璃（PSG）3.DIwaterclean5min 四、Al之cleaning（蒸镀前）1.HCl：H2O＝1：1for30sec2.DIwaterclean5mi

5、n 五、W之cleaning（蒸镀用之boat）1.HF：HNO3＝1：1for10sec2.DIwaterclean5min 六、Al之etching一览英才网是基于行业垂直细分和区域横向细分的网络招聘网站平台，国内各行业各地区首选求职招聘网站平台！联系人：施结琴电话：0755-86153960/18902455965邮件：shijq@epjob88.com网站：光伏英才网http://gf.epjob88.com招专业人才上一览英才       1.H3PO4：HNO3：CH3COOH：H2O＝50：2：10：9,heatto60℃（etchingrate1

6、000~3000A/min）2.DIwaterclean5min 七、SiO2之etching1.B.O.E.etchingrate：1000~1200A/min或etching至不沾水2.DIwaterclean5min3.化学反应式：SiO2＋6HFàH2＋SiF6＋2H2O4.B.O.E.recipe：NH4F（40﹪）：HF（49﹪）＝6：15.HFetchingrate：300A/secat25℃（veryfast）第二章微影技术 微影技术是形成阻挡蚀刻或阻挡离子布值之罩幕层（mask），以选择性进行蚀刻或植入。系利用光的能量使受光照的光阻（photo

7、resist）性质改变，因而在显影（develop）时被溶解掉，未受光照部分则形成图案做蚀刻之阻挡，此即为正光阻（positivephotoresist）。反之，若感光后变成不溶解的光阻称为负光阻（negativephotoresist）。如下图所示。 图一：正、负光阻曝光显影成像及蚀刻后图形转移结果剖析图一览英才网是基于行业垂直细分和区域横向细分的网络招聘网站平台，国内各行业各地区首选求职招聘网站平台！联系人：施结琴电话：0755-86153960/18902455965邮件：shijq@epjob88.com网站：光伏英才网http://gf.epjob88

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