高精度cmos带隙基准源的

高精度cmos带隙基准源的

ID:29021750

大小:1.27 MB

页数:38页

时间:2018-12-16

高精度cmos带隙基准源的_第1页
高精度cmos带隙基准源的_第2页
高精度cmos带隙基准源的_第3页
高精度cmos带隙基准源的_第4页
高精度cmos带隙基准源的_第5页
资源描述:

《高精度cmos带隙基准源的》由会员上传分享,免费在线阅读,更多相关内容在应用文档-天天文库

1、兰州交通大学毕业设计(论文)摘要基准电压源是模拟电路设计中广泛采用的一个关键的基本模块。所谓基准电压源就是能提供高稳定度基准量的电源,这种基准源与电源、工艺参数和温度的关系很小,但是它的温度稳定性以及抗噪性能影响着整个电路系统的精度和性能。本文的目的便是设计一种高精度的CMOS带隙基准电压源。本文首先介绍了基准电压源的国内外发展现状及趋势。然后详细介绍了带隙基准电压源的基本结构及基本原理,并对不同的带隙基准源结构进行了比较。接着对如何提高带隙基准的电源抑制比以及带隙基准电压源的温度补偿原理进行了分析,还总结了目前提高带隙基准电压源温度特性的各种方法。在此基础上运

2、用曲率校正、内部负反馈电路、RC滤波器、快速启动电路,设计出了具有良好的温度特性和高电源抑制比的带隙基准电压源电路。最后应用HSPICE仿真工具对本文中设计的带隙基准电压源电路进行了完整模拟仿真并分析了结果。模拟和仿真结果表明,电路实现了良好的温度特性和高电源抑制比,0℃~100℃温度范围内,基准电压温度系数大约为11.2ppm/℃,在1Hz到10MHz频率范围内平均电源抑制比(PSRR)可达到-80dB,启动时间为700。关键词:带隙基准电压源;温度系数;电源抑制比;34兰州交通大学毕业设计(论文)AbstractVoltagereferenceisthevi

3、talbasicmodulewhichiswidelyadoptedinanalogcircuits.Itcansupplyavoltagewithhighstability.Thepowersupply,technicsparameterrandtemperaturehaslessereffetetothisvoltage.Itstemperaturestabilityandantinoisecapabilityinfluencetheprecisionandperformanceofthewholesystem.Thepurposeofthisarticle

4、istodesignahighprecisionCMOSbandgapvoltagereference.Inthisarticle,thepresentsituationanddevelopmentaltrendofvoltagereferencestudiesbothathomeandabroadarepresented.Thestructureandprincipleofvoltagereferenceareanalyzedindetail,andthenthedifferentstructuresofbandgapvoltagereferenceareco

5、mpared.Byanalyzingthepowersupplyrejectionratio(PSRR)andtheprincipleoftemperaturecompensation,themethodofimprovingthetemperaturecharacteristicissummarized.Thedesignofabandgapvoltagereferencecircuitwithhighpowersupplyrejectionratioandgoodtemperaturecharacteristiciscompletedbyapplyingcu

6、rvatureemendation,insidenegativefeedbacktechnology,RCfilterandfaststart-upcircuit.Atlast,thecircuitshavebeensimulatedwithHSPICEsimulationtools.Thesimulationresultsshowthat,thecircuitwithgoodtemperaturecharacteristicandhighpowersupplyrejectionratio,andatthetemperaturerangeof0℃to100℃,t

7、hetemperaturecoefficient(TC)isabout11.2ppm/℃.Inthefrequencyrangeof1Hzto10MHz,theaveragepowersupplyrejectionratioismorethan-80dBandithasaturn-ontimelessthan700.KeyWords:bandgapvoltagereference;temperaturecoefficient;powersupplyrejectionratio;34兰州交通大学毕业设计(论文)目录1.绪论11.1国内外研究现状与发展趋势11.2课

8、题研究的目的意义21.3

当前文档最多预览五页,下载文档查看全文

此文档下载收益归作者所有

当前文档最多预览五页,下载文档查看全文
温馨提示:
1. 部分包含数学公式或PPT动画的文件,查看预览时可能会显示错乱或异常,文件下载后无此问题,请放心下载。
2. 本文档由用户上传,版权归属用户,天天文库负责整理代发布。如果您对本文档版权有争议请及时联系客服。
3. 下载前请仔细阅读文档内容,确认文档内容符合您的需求后进行下载,若出现内容与标题不符可向本站投诉处理。
4. 下载文档时可能由于网络波动等原因无法下载或下载错误,付费完成后未能成功下载的用户请联系客服处理。