“战略性先进电子材料”重点专项2018年度项目的编制大纲设计

《“战略性先进电子材料”重点专项2018年度项目的编制大纲设计》由会员上传分享，免费在线阅读，更多相关内容在工程资料-天天文库。

1、实用标准文案“战略性先进电子材料”重点专项2017年度项目申报指南项目申报全流程指导单位：北京智博睿投资咨询有限公司精彩文档实用标准文案依据《国家中长期科学和技术发展规划纲要（2006—2020年）》，按照《国务院关于改进加强中央财政科研项目和资金管理的若干意见》及《国务院印发关于深化中央财政科技计划（专项、基金等）管理改革方案的通知》精神，科技部会同有关部门组织开展了《国家重点研发计划“战略性先进电子材料”重点专项实施方案》编制工作，在此基础上启动本专项2016年项目，并发布本指南。本专项总目标是：面向国家在节能环保、智能制造、新一代信息技术领域对战略性先进电子材料的迫切需

2、求，支撑“中国制造2025”、“互联网+”等国家重大战略目标，瞄准全球技术和产业制高点，抓住我国“换道超车”的历史性发展机遇，以第三代半导体材料与半导体照明、新型显示为核心，以大功率激光材料与器件、高端光电子与微电子材料为重点，通过体制机制创新、跨界技术整合，构建基础研究及前沿技术、重大共性关键技术、典型应用示范的全创新链，并进行一体化组织实施。培养一批创新创业团队，培育一批具有国际竞争力的龙头企业，形成各具特色的产业基地。精彩文档实用标准文案本专项围绕第三代半导体材料与半导体照明、新型显示、大功率激光材料与器件、高端光电子与微电子材料等4个方向部署35个任务，专项实施年限为

3、5年，即2016~2020年。按照重点突出、分步实施的原则，2016年首批启动4个方向中的15个任务。对于应用示范类任务，其他经费（包括地方财政经费、单位出资及社会渠道资金等）与中央财政经费比例不低于3：1；对于重大共性关键技术类任务，其他经费与中央财政经费比例不低于2：1。针对任务中的研究内容，以项目为单位进行申报。项目设1名项目负责人，项目下设课题数原则上不超过5个，每个课题设1名课题负责人，每个课题承担单位原则上不超过5个。1.第三代半导体材料与半导体照明1.1大失配、强极化第三代半导体材料体系外延生长动力学和载流子调控规律研究内容：研究AlN/高Al组分AlGaN及其

4、量子结构、InN/高In组分InGaN及其量子结构的外延生长动力学和缺陷调控规律、光电性质及载流子调控规律；研究蓝光波段高质量量子阱的外延生长动力学，发展提升内量子效率、光提取效率的新机制、新效应和新方法；研究核壳结构量子阱、金属纳米结构耦合量子阱及其光电性质；研究半/非极性量子结构的外延生长、缺陷控制及其光电性质。研究Si衬底和其它大失配衬底上GaN基异质结构的外延生长动力学和缺陷调控规律；研究GaN基异质结构中点缺陷性质及其新型表征手段；研究强电场下载流子输运性质和热电子/热声子驰豫规律；精彩文档实用标准文案研究表面/界面局域态、体缺陷态对GaN基异质结构及电子器件性能的

5、影响机制和规律。考核指标：AlN外延层位错密度<1×107cm—2，深紫外波段量子阱发光内量子效率>50%；InN室温电子迁移率>4000cm2/Vs；绿光波段量子阱发光内量子效率>50%；蓝光波段内量子效率>90%；非/半极性面量子阱发光内量子效率>50%；核壳结构量子阱Droop效应<10%。Si衬底上AlGaN/GaN异质结构二维电子气室温迁移率>2300cm2/Vs；InAlN/GaN异质结构二维电子气室温迁移率>2200cm2/Vs；掌握强电场下载流子输运和热电子/热声子驰豫规律，掌握有效控制GaN基异质结构表面/界面局域态的方法，明确影响和提升电子器件可靠性的物理

6、机制。预期成果：申请发明专利20项，发表论文50篇。实施年限：不超过5年拟支持项目数：1—2项1.2面向下一代移动通信的GaN基射频器件关键技术及系统应用研究内容：研究半绝缘SiC衬底上高均匀性、高耐压、低漏电GaN基异质结构外延生长；设计和研制高工作电压、高功率、高效率、高线性度GaN基微波功率器件；研发低栅漏电流、低电流崩塌效应、低接触电阻GaN基器件制备工艺与提高成品率的规模制备技术及其可靠性技术；研究高热导率封装基材与高频低损耗封装技术；精彩文档实用标准文案开展GaN基射频电子器件在移动通信宽带、高效率放大设备上的应用研究。考核指标：4~6英寸半绝缘SiC衬底上GaN

7、基异质结构漏电<10μA/mm，二维电子气室温迁移率>2300cm2/Vs，方块电阻<300Ω/sq；研制出高性能的高效器件、宽带器件和超高频器件，高效器件工作频率2.6GHz、功率>330W、效率>70%，宽带器件工作频率1.8~2.2GHz、功率>330W、效率>60%，超高频器件工作频率30~80GHz、带宽>5GHz、脉冲功率>10W、效率>28%；研制出基于GaN射频器件的高线性度功率放大器系统和多载波聚合功放系统，在移动通信基站领域实现批量应用。形成1~2件国家/行业标准。预期成果：申请发明