半导体材料往年试地的题目流出

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1、实用标准文案Twostandardmethodsforinvestigatingrelaxationprocessesinsolids—deepleveltransientspectroscopy(DLTS)andthermostimulateddepolarizationmethod(TSD)areanalyzed.Acomplexformalismisintroducedandnumericallyanalyzed.Relatedfeatureswererevealedincludingadirectreflectionoftheshapeof

2、anarbitrarydistributionofrelaxationtimesbytheDLTS/TSDresponse.Theextraordinaryresolutionabilityoftheso-calledstepheatingTSDisnumericallydemonstrated.AdiscussionisgivenofanewapproachtotheanalysisoftheDLTSspectraaswellasTSDcurrentsduetodifferentrelaxationmechanisms,namelyintheca

3、seofadistributionoftheactivationenergy.Keywords:deepleveltransientspectroscopy,thermallystimulateddepolarization,relaxationprocess精彩文档实用标准文案1.硅单晶的制备方法主要有两种，一种是（直拉法），另一种是（悬浮区熔法）。2.硅晶体中的化学键类型是（共价键），它的晶体结构为（金刚石结构）。3.在Si，GaAs，InP中间接带隙的半导体材料是（Si）。4.在Si，Ge，GaN中禁带宽度从大到小的排列顺序是（GaNSiGe

4、）。5.在纯净的InP中掺杂S，这时InP为（n）型半导体，多数载流子为（电子）。6.非晶态半导体的结构特征是（长程无序短程有序）。7.在你了解的半导体材料或器件的电学表征技术中，列举两种（扫描电子显微镜（SEM））和（霍尔效应测试）。8.Al掺杂调节GaAs禁带宽度，GaAs禁带宽度变宽还是变窄（宽)。9.列举两种常见的半导体材料或器件的表征技术（高分辨率x射线衍射技术XRD）、（光致发光技术PL）。10.CVD设备可制备半导体薄膜材料，CVD字母代表的意思是（化学气相沉积）。1)下图为Au-Si相图。在融态下互溶，在固态下，完全不互相溶解，解释

5、相图，并以Au（90%atompercent）Si(10%atompercent)合金为例，解释其从熔融状态结晶的过程。2)解释偏析现象和区熔提纯的概念？偏析现象：将含有杂质的晶态物质，融化后再结晶时，杂质在结晶的固体中和未结晶的液体中浓度不同。区熔提纯：利用偏析现象将物料局部融化形成狭窄熔区。并令其沿链长，从一段缓慢地移动到另一段。重复多次使杂质尽量集中在尾部或头部，进而达到中部材料被提纯的效果。3)半导体材料分析过程中涉及五个基本特性，运用一到两个特性解释说明GaAs材料与其他半导体材料的差别。晶体结构、能带结构、杂质和缺陷、电学特性、光学特性

6、。GaAs禁带宽度较宽，是直接带隙半导体精彩文档实用标准文案1)描述三氯氢硅方法制备多晶硅的过程和主要化学反应方程式。首先将液态三氯氢硅通入蒸发器使其汽化，并将氢气也通入其中。蒸发器中的三氯硅烷在一定温度和压力下蒸发。再将该混合气体通入还原炉中。还原炉中安插有高纯硅芯，硅芯上通入电流，使硅芯表面温度达到1100℃左右。混合气体在其表面反应，生成多晶硅并沉积在硅芯上。硅芯半径不断增大，形成硅棒，同时生成HCl气体、SiCl4气体等副产物，从管道排出，待为期回收装置处理或在利用。SiHCl3+H2=Si+3HCl4SiHCl3=Si+3SiCl4+2H

7、2SiCl4+2H2=Si+4HCl2)解释概念：自发成核。描述自发成核的形核功的表达式，解释其意义。自发成核：在一定过冷度、过饱和度条件下，由体系直接形成的晶核。临界状态下体系的自由能为表面能的1/3,其余2/3被体积自由能降低抵消。在临界状态下成核必须提供这1/3表面能，这部分能量需由外界提供才能发生相变，这个功叫形核功。3)解释量子阱和超晶格的概念，画图说明并推导量子阱态密度的表达式。量子阱：势垒足够厚（＞20nm）并且足够高（＞0.5ev）时，相邻的量子阱中电子波函数不会发生相互交叠，材料中的电子行为如同在多个单阱中电子行为的总和。这种材料

8、称为多量子阱材料。如果只有一个阱，就叫单量子阱材料。超晶格：如果垒很薄（＜10nm）高度也比较低，由于隧道共振效应使得量子